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采用具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的低電感表貼封裝的SiC MOSFET
人們普遍認(rèn)為，SiCMOSFET可以實(shí)現(xiàn)非?？斓拈_關(guān)速度，有助于顯著降低電力電子領(lǐng)域功率轉(zhuǎn)換過程中的能量損耗。然而，由于傳統(tǒng)功率半導(dǎo)體封裝的限制，在實(shí)際應(yīng)用中并不總是能發(fā)揮SiC元器件的全部潛力。在本文中，我們首先討論傳統(tǒng)封裝的一些局限性，然后介紹采用更好的封裝形式所帶來的好處。最后，展...
2021-02-03
驅(qū)動(dòng)器 源極引腳 低電感 SiC MOSFET
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在當(dāng)今電子應(yīng)用中，可靠且受控的上電和關(guān)斷真的很重要
當(dāng)今的電子應(yīng)用常常需要不止一個(gè)5 V或3.3 V電源電壓。10個(gè)、20個(gè)或更多的電壓并不罕見。此外，有的電壓域具有相同的電壓電平，但必須作為單獨(dú)的域產(chǎn)生——也就是說，這些電壓必須產(chǎn)生兩次。一個(gè)例子是提供兩個(gè)相同的電壓來分別為模擬和數(shù)字負(fù)載供電。這種分離可防止相互干擾，并在不同時(shí)間為不同負(fù)載...
2021-02-03
電子應(yīng)用 上電 關(guān)斷
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接收器IC混合式混頻器、頻率合成器和IF放大器
無線基站曾經(jīng)封裝在采用氣候控制技術(shù)的大型空間中，但現(xiàn)在卻可以裝在任意地方。隨著無線網(wǎng)絡(luò)服務(wù)提供商試圖實(shí)現(xiàn)全域信號(hào)覆蓋，基站組件提供商面臨壓力，需要在更小的封裝中提供更多的功能。
2021-02-03
接收器IC 混頻器 頻率合成器 IF放大器
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vivo授予艾邁斯兩大獎(jiǎng)項(xiàng)：2020年度“最佳創(chuàng)新獎(jiǎng)”和“最佳交付獎(jiǎng)”
中國，2021年2月2日——全球領(lǐng)先的高性能傳感器解決方案供應(yīng)商艾邁斯半導(dǎo)體（ams AG，瑞士股票交易所股票代碼：AMS）宣布，其在2020年12月10日舉辦的vivo 2020全球供應(yīng)商大會(huì)上榮獲“最佳創(chuàng)新獎(jiǎng)”與“最佳交付獎(jiǎng)”兩項(xiàng)殊榮。本次評(píng)選共有百余家vivo供應(yīng)商參與其中，此次斬獲雙獎(jiǎng)，證明艾邁斯半導(dǎo)體在與viv...
2021-02-02
中國 2021年2月2日——全球領(lǐng)先的高性能傳感器解決方案供應(yīng)商艾邁斯半導(dǎo)體（ams AG 瑞士股票交易所股票代碼：AMS）宣布 其在2020年12月10日舉辦的vivo 2020全球供應(yīng)商大會(huì)上榮獲
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如何減少SiC MOSFET的EMI和開關(guān)損耗？
碳化硅（SiC）MOSFET的快速開關(guān)速度，高額定電壓和低RDSon使其對(duì)于不斷尋求在提高效率和功率密度的同時(shí)保持系統(tǒng)簡單性的電源設(shè)計(jì)人員具有很高的吸引力。
2021-02-02
SiC MOSFET EMI 開關(guān)損耗
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使用低電感電解電容器縮小尺寸并提高性能
隨著在工業(yè)4.0和工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)（IIoT）等新興趨勢的推動(dòng)下，制造和裝配過程的自動(dòng)化繼續(xù)變得越來越普遍，低電感電解電容器可以幫助在機(jī)器人和其他工業(yè)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)成本節(jié)省和性能提升設(shè)備。
2021-02-02
低電感 電解電容器
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2021年5G展望：從5G+行業(yè)到5G+產(chǎn)品的轉(zhuǎn)變
自2019年國內(nèi)5G正式商用開始，5G已經(jīng)走過了2個(gè)年頭，5G前進(jìn)的步伐也越來越清晰。截止到2020年四季度，全球已經(jīng)有超過100個(gè)國家的5G商用網(wǎng)絡(luò)正在運(yùn)營，國內(nèi)的5G基站也超過了60萬個(gè)。于此同時(shí)，我們也看到，基于5G網(wǎng)絡(luò)的各種各樣的行業(yè)應(yīng)用，如4K/8K視頻、云游戲、VR、電網(wǎng)、工業(yè)控制等給用戶帶來了極...
2021-02-02
5G基站 5G 工業(yè)控制
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