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功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（六）——瞬態(tài)熱測量
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2024-12-09
功率器件 瞬態(tài)熱測量
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在校準(zhǔn)中使用埋入式齊納技術(shù)帶來極高精度優(yōu)勢
精密測試設(shè)備依靠精確的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器，確保所有測量結(jié)果都能準(zhǔn)確地反映受測器件的狀態(tài)。在測試和測量中，任何偏移誤差、增益誤差或有效位數(shù)減少都將對測量結(jié)果產(chǎn)生負(fù)面影響。然而，遺憾的是，在高精度系統(tǒng)中，所有這些誤差都無法完全避免。溫度漂移或長期漂移等問題最終會以增益誤差或偏移誤差的形式...
2024-12-09
齊納技術(shù) 精密測試設(shè)備
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高精度與低功耗的醫(yī)療保健產(chǎn)品解決方案
隨著醫(yī)療技術(shù)的迅速發(fā)展和全球?qū)】倒芾硇枨蟮脑黾樱呔扰c低功耗的醫(yī)療保健產(chǎn)品正逐漸成為行業(yè)趨勢的核心。這類產(chǎn)品不僅能夠提供準(zhǔn)確、及時(shí)的健康數(shù)據(jù)，還大幅延長了設(shè)備的使用壽命，滿足了便攜式和長期監(jiān)測需求。從可穿戴設(shè)備到遠(yuǎn)程健康監(jiān)控系統(tǒng)，這些解決方案正為個(gè)人和醫(yī)療機(jī)構(gòu)提供更有效的...
2024-12-09
醫(yī)療保健
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功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（五）——功率半導(dǎo)體熱容
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2024-12-09
功率器件 熱容
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終于搞明白差模噪聲與共模噪聲
開關(guān)穩(wěn)壓器的EMI分為電磁輻射和傳導(dǎo)輻射(CE)。本文重點(diǎn)討論傳導(dǎo)輻射，其可進(jìn)一步分為兩類：共模(CM)噪聲和差模(DM)噪聲。為什么要區(qū)分CM-DM？對CM噪聲有效的EMI抑制技術(shù)不一定對DM噪聲有效，反之亦然，因此，確定傳導(dǎo)輻射的來源可以節(jié)省花在抑制噪聲上的時(shí)間和成本。
2024-12-05
差模噪聲與 共模噪聲
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延長蜂窩物聯(lián)網(wǎng)終端產(chǎn)品的電池壽命
許多物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備都由電池供電，而其中一項(xiàng)重要運(yùn)作因素，就是正常使用情況下的電池壽命。延長電池壽命可以改善用戶體驗(yàn)、降低維護(hù)成本并減少浪費(fèi)。
2024-12-04
蜂窩物聯(lián)網(wǎng) 終端產(chǎn)品 電池壽命
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采用創(chuàng)新型 C29 內(nèi)核的 MCU 如何提升高壓系統(tǒng)的實(shí)時(shí)性能
實(shí)時(shí)微控制器 (MCU) 在幫助高壓汽車和能源基礎(chǔ)設(shè)施系統(tǒng)滿足電源效率、功率密度和安全設(shè)計(jì)要求方面發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。無論是車載充電器 (OBC) 還是不間斷電源 (UPS)，這些設(shè)備都必須在惡劣環(huán)境中為時(shí)間關(guān)鍵型任務(wù)提供快速、確定性的性能。
2024-12-04
C29 內(nèi)核 MCU 高壓系統(tǒng)
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【“源”察秋毫系列】纖維器件及其陣列電學(xué)測試方案詳解
使用電壓表或SMU源表等測試設(shè)備（如數(shù)字多用表的電壓測量檔等），將電壓表的探頭與纖維電學(xué)器件的兩個(gè)輸出電極相連接，確保連接牢固且接觸良好，以減少接觸電阻對測量結(jié)果的影響。當(dāng)纖維電學(xué)器件處于工作狀態(tài)（如受到特定刺激，像壓電纖維器件受到外力作用、光電器件受到光照等）或在特定的電路環(huán)境...
2024-12-04
纖維器件 電學(xué)測試
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第10講：SiC的加工工藝（2）柵極絕緣層
SiC可以通過與Si類似的熱氧化過程，在晶圓表面形成優(yōu)質(zhì)的SiO2絕緣膜。這在制造SiC器件方面具有非常大的優(yōu)勢。在平面柵SiC MOSFET中，這種熱氧化形成的SiO2通常被用作柵極絕緣膜，并已實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品化。然而，SiC的熱氧化與Si的熱氧化存在一些差異，在將熱氧化工藝應(yīng)用于SiC器件時(shí)必須考慮到這一點(diǎn)。
2024-12-04
SiC 柵極絕緣層
- 貿(mào)澤推出RISC-V技術(shù)資源中心 探索開源的未來
- 優(yōu)化簡易PCB電路板的大規(guī)模測試，提高生產(chǎn)效率
- 第10講：SiC的加工工藝（2）柵極絕緣層
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- 干貨 使用分流電阻器測量電流
- 你知道DAC電源噪聲是怎么傳播的嗎？
- 功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（六）——瞬態(tài)熱測量
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- AMTS 2025展位預(yù)訂正式開啟——體驗(yàn)科技驅(qū)動的未來汽車世界，共迎AMTS 20周年！
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