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變?nèi)荻O管的構造原理
變?nèi)荻O管（Varactor Diodes）又稱“可變電抗二極管”，是利用pN結反偏時結電容大小隨外加電壓而變化的特性制成的。反偏電壓增大時結電容減小、反之結電容增大，變?nèi)荻O管的電容量一般較小，其值為幾十皮法到幾百皮法，區(qū)容與小電容之比約為5:1。
2021-11-11
變?nèi)荻O管
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如何估算光接收機的光學靈敏度？
本文主要全部涉及光接收器靈敏度，其中包括由于幅度和時序上的隨機噪聲和符號間干擾（ISI）的積累而可能對功率輸出產(chǎn)生的影響。該分析基于正常的接收器靈敏度，假設理想輸入信號的干擾可忽略不計，例如ISI，上升/下降時間，抖動和發(fā)射器相對強度噪聲（RIN）。
2021-11-11
光接收機 光學靈敏度
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計算隔離式精密高速DAQ的采樣時鐘抖動的簡單步驟
出于魯棒性、安全性、高共模電壓考量，或為了消除可在測量中帶來誤差的接地環(huán)路，許多數(shù)據(jù)采集(DAQ)應用都需要隔離DAQ信號鏈路徑。ADI的精密高速技術使系統(tǒng)設計人員能夠在相同的設計中實現(xiàn)高交流和直流精度，無需犧牲直流精度來換取更高的采樣速率。然而，為實現(xiàn)高交流性能，如信噪比(SNR)，系統(tǒng)設...
2021-11-11
隔離式 高速DAQ 采樣時鐘抖動
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輕負載時開關元件工作相關的注意事項
相移全橋電路中輕負載時流過的電流小，LS中積蓄的能量少，所以很有可能在滯后臂的COSS充放電完成之前就開始開關工作。因此，ZVS工作無法執(zhí)行，很容易發(fā)生MOSFET的導通損耗。
2021-11-11
輕負載 開關元件 注意事項
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使用PWM輸出方式驅(qū)動有刷直流電機：H橋電路PWM驅(qū)動
本文將介紹有刷直流電機使用H橋電路PWM驅(qū)動的具體驅(qū)動方法。接下來介紹有刷直流電機使用H橋電路進行PWM驅(qū)動時的兩個典型示例。
2021-11-11
有刷直流電機 H橋電路 PWM驅(qū)動
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光芯片電磁仿真解決方案
隨著光芯片傳輸速率的提高，傳統(tǒng)的RC提取工具是否已經(jīng)達到了瓶頸？面對多種工藝，更小的互聯(lián)尺寸，如何才能實現(xiàn)寄生參數(shù)的精確提?。坑袥]有一種低迭代，智能的無源建模方法？
2021-11-11
光芯片 電磁仿真 解決方案
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SRII重磅亮相CICD 2021，以先進ALD技術賦能第三代半導體產(chǎn)業(yè)
功率器件作為半導體產(chǎn)業(yè)的重要組成部分，擁有非常廣泛的技術分類以及應用場景。例如，傳統(tǒng)的硅基二極管、IGBT和MOSFET等產(chǎn)品經(jīng)過數(shù)十年的發(fā)展，占據(jù)了絕對領先的市場份額。不過，隨著新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、儲能、手機快充等應用的興起，擁有更高耐壓等級、更高開關頻率、更高性能的新型SiC、GaN等...
2021-11-10
SRII ALD技術 第三代半導體
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