【導(dǎo)讀】相移全橋電路中輕負(fù)載時流過的電流小，L_S中積蓄的能量少，所以很有可能在滯后臂的C_OSS充放電完成之前就開始開關(guān)工作。因此，ZVS工作無法執(zhí)行，很容易發(fā)生MOSFET的導(dǎo)通損耗。

另一方面，當(dāng)超前臂的MOSFET的C_OSS充放電時，能量通過變壓器被輸送到二次側(cè)。參考前面的思路，通過能量收支來考慮ZVS的成立條件時，以Mode（2）為例，假設(shè)相移全橋電路的變壓器的匝比為n，則超前臂的ZVS成立條件可用下面的公式來表示。I_L2是Mode（1）結(jié)束時的I_L，E_{OSS_Q1}和E_{OSS_Q2}分別是完成Q1和Q2的C_OSS充放電所需的能量。

在實(shí)際的電路工作中，需要設(shè)置Dead Time來防止上下臂短路。如上所述，在輕負(fù)載時，滯后臂MOSFET的充放電可能尚未完成，即可能會有漏極電壓V_DS殘留（成為硬開關(guān)），因此，在某些Dead Time的設(shè)置，可能會導(dǎo)致滯后臂MOSFET的導(dǎo)通損耗增加。因此，在設(shè)置Dead Time時需要注意這一點(diǎn)。

下圖是在Dead Time優(yōu)化和未優(yōu)化情況下導(dǎo)通時的示意圖。

在Dead Time未優(yōu)化的情況下，會瞬間流過很大的漏極電流ID。這是由于受到了兩種電流的影響：第一種是柵極-漏極間電容C_GD和柵極-源極間電容C_GS的電容比，導(dǎo)致柵極-源極間電壓V_GS超過了閾值電壓，從而引起的直通電流；另一種是對應(yīng)橋臂MOSFET的C_OSS的充電電流。其中，后者C_OSS的充電電流在硬開關(guān)工作時一定會產(chǎn)生，但前者的直通電流則可以通過設(shè)置MOSFET的C_GD和C_GS的適當(dāng)電容比來防止。因此，選擇C_GD和C_GS的電容比適當(dāng)?shù)腗OSFET很重要。

關(guān)鍵要點(diǎn)

●     輕負(fù)載時，電流小，L_S中積蓄的能量少，因此很有可能在C_OSS的充放電完成之前就開始開關(guān)工作，致使ZVS工作無法執(zhí)行，容易發(fā)生MOSFET的導(dǎo)通損耗。

●     C_OSS的充放電未完成可能會導(dǎo)致V_DS殘留，因此需要設(shè)置適當(dāng)?shù)腄ead Time來防止上下橋臂短路引起的直通電流。

●     MOSFET的C_GD和C_GS的某些電容比可能會導(dǎo)致流過直通電流，因此選擇該電容比適當(dāng)?shù)腗OSFET很重要。

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