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如何使用非耗散鉗位提高反激式效率
在反激式轉換器的標準形式中，變壓器的漏感會在初級場效應晶體管 (FET) 的漏極上產(chǎn)生電壓尖峰。為防止此尖峰變得過大和損壞，F(xiàn)ET 需要一個鉗位網(wǎng)絡，通常帶有耗散鉗位，如圖1所示。但是耗散鉗位中的功率損失限制了反激式轉換器的效率。在這篇電源技巧中，我將研究反激式轉換器的兩種不同變體，它們...
2023-02-20
非耗散鉗位 反激式
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基于晶體管VBE 的振蕩器測量溫度
模擬 EE 世界失去了一顆明星。Jim 的數(shù)百篇文章、書籍和應用筆記是（并將繼續(xù)是）信息、靈感和看到大師輕松解決棘手設計難題的喜悅的無底泉源，所有這些都包含在令人愉快的寫作風格中。這里介紹的設計思想源自他發(fā)表在 AN45測量和控制電路集（夜班尿布和設計）第 7 頁的電路之一。
2023-02-20
晶體管VBE 振蕩器
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如何為電磁線圈仿真選擇邊界條件
在使用 COMSOL Multiphysics 中的 AC/DC 模塊對線圈進行建模時，你是否需要考慮使用哪種類型的邊界條件來截斷建模域。在這篇文章中，我們將介紹可以使用的不同邊界條件以及如何在它們之間進行選擇。
2023-02-20
電磁線圈 仿真
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2023第十屆世界雷達博覽會、2023第三屆“雷達與未來”全球峰會新聞發(fā)布會在京召開
2月17日上午，2023第十屆世界雷達博覽會、2023第三屆“雷達與未來”全球峰會新聞發(fā)布會在京召開。中國電子科技集團副總經(jīng)理楊軍出席發(fā)布會并致辭。中國雷達行業(yè)協(xié)會、中國電子信息產(chǎn)業(yè)集團有限公司、北京市石景山區(qū)人民政府、中電科發(fā)展規(guī)劃研究院有限公司、中電科技國際貿易有限公司等領導和嘉賓出席...
2023-02-20
世界雷達 智慧城市 數(shù)字交通 智慧農(nóng)業(yè) 智能制造
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一文搞懂IGBT的損耗與結溫計算
與大多數(shù)功率半導體相比，IGBT 通常需要更復雜的一組計算來確定芯片溫度。這是因為大多數(shù) IGBT 都采用一體式封裝，同一封裝中同時包含 IGBT 和二極管芯片。為了知道每個芯片的溫度，有必要知道每個芯片的功耗、頻率、θ 和交互作用系數(shù)。還需要知道每個器件的 θ 及其交互作用的 psi 值。
2023-02-20
IGBT 損耗 結溫
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R-Car DNN模擬器的介紹
本篇文章我們將介紹瑞薩為R-Car V4H提供的三種類型的DNN開發(fā)模擬器，以及它們的使用情況和特點。
2023-02-20
R-Car DNN模擬器
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為什么逆導型IGBT可以用于大功率CCM模式 PFC電路
對于功率因數(shù)校正（PFC），通常使用升壓轉換器Boost拓撲結構。它可以最大限度地減少輸入電流的諧波。同時IGBT是大功率PFC應用的最佳選擇，如空調、加熱、通風和空調（HVAC）以及熱泵。
2023-02-20
逆導型IGBT CCM模式 PFC電路
- 利用自動化技術賦能中國基礎設施現(xiàn)代化
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