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帶微處理器的繼電器將會(huì)迅速發(fā)展
隨著微型和片式化技術(shù)的提高。繼電器將向二維、三維尺寸只有幾毫米的微型和表面貼裝化方向發(fā)展；現(xiàn)在國(guó)際上有些廠家生產(chǎn)的繼電器，體積只有5～10年前的1/4～1/8。因?yàn)殡娮诱麢C(jī)在減小體積時(shí)，需要高度不超過(guò)其它電子元件的更小的繼電器。
2008-09-26
繼電器
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TDK開(kāi)發(fā)出1005尺寸移動(dòng)設(shè)備用薄膜帶通濾波器
TDK公司宣布開(kāi)發(fā)出一款厚度僅0.3mm的1005尺寸薄膜帶通濾波器。TDK采用了其在HDD磁頭（TDK的主打產(chǎn)品）生產(chǎn)中研發(fā)的薄膜工藝，從而制造出真正低高度 (low-profile)且體積縮小至早期的2012尺寸產(chǎn)品1/12的濾波器。
2008-09-25
帶通濾波器
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滿(mǎn)足數(shù)字系統(tǒng)設(shè)計(jì)的超薄、緊湊型DC/DC穩(wěn)壓器模塊
模擬DC/DC穩(wěn)壓器IC設(shè)計(jì)師和封裝工程師采用創(chuàng)造性的方法推出具更佳熱性能、更低噪聲和更緊湊尺寸的DC/DC穩(wěn)壓器負(fù)載點(diǎn)（POL）解決方案后，凌力爾特公司推出了最新 DC/DC 微型模塊（μModuleTM）穩(wěn)壓器LTM4604，本文詳細(xì)介紹了LTM4604的若干優(yōu)點(diǎn)及相關(guān)性能。
2008-09-25
DC/DC 穩(wěn)壓器 LTM4604 電流模式架構(gòu) POL 系統(tǒng)
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電子元器件：終端市場(chǎng)未來(lái)價(jià)格壓力加大
半導(dǎo)體：08年上半年國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)收入增長(zhǎng)10.4％，增速創(chuàng)近5年來(lái)的新低，2007年全球分立式功率器件和模塊市場(chǎng)增長(zhǎng)9.3％，未來(lái)五年年均增長(zhǎng)8-9％。
2008-09-24
分立式功率器件 元器件
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中國(guó)功率器件市場(chǎng)增速放緩MOSFET是亮點(diǎn)
在中國(guó)中，電源|穩(wěn)壓器管理IC仍舊占據(jù)市場(chǎng)首要位置，MOSFET位于第二位，大功率晶體管位于第三位，此三大產(chǎn)品銷(xiāo)售額占整體市場(chǎng)的80%以上。IGBT銷(xiāo)售額雖然不大，但隨著其在工業(yè)控制、消費(fèi)電子領(lǐng)域中應(yīng)用的不斷增多，其市場(chǎng)銷(xiāo)售額保持著較快的增長(zhǎng)，是中國(guó)功率器件市場(chǎng)中的新興產(chǎn)品。
2008-09-24
MOSFET 電源 穩(wěn)壓器管理IC IGBT
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SiE726DF：Vishay首款雙面冷卻30V功率MOSFET和肖特基二極管
Vishay目前宣布，推出業(yè)內(nèi)首款采用具頂?shù)咨嵬返姆庋b的30V單片功率MOSFET和肖特基二極管，該可在具有強(qiáng)迫通風(fēng)冷卻功能的系統(tǒng)中高性能運(yùn)作。新型SkyFET SiE726DF器件采用具有雙面冷卻功能的PolarPAK封裝，可提升高電流、高頻運(yùn)用的效率。
2008-09-24
SiE726DF MOSFET 肖特基二極管
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TDK量產(chǎn)1608尺寸的高衰減帶通濾波器
TDK公司9月17日宣布，九月份已開(kāi)發(fā)并量產(chǎn)用于2.4GHz無(wú)線(xiàn)局域網(wǎng)和藍(lán)牙1的積層帶通濾波器。雖然該產(chǎn)品為1608尺寸且厚度僅為0.55mm，但實(shí)現(xiàn)了與早期產(chǎn)品相同的低損耗、高衰減2特性，體積較原先縮小40%。
2008-09-19
帶通濾波器
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微特電機(jī) 變生產(chǎn)大國(guó)為技術(shù)強(qiáng)國(guó)
近幾年，我國(guó)微特電機(jī)行業(yè)有了長(zhǎng)足的發(fā)展，尤其在長(zhǎng)江三角洲、珠江三角洲、環(huán)渤海三大地區(qū)已經(jīng)形成我國(guó)微特電機(jī)的重要生產(chǎn)基地和出口基地。我國(guó)已經(jīng)成為世界微特電機(jī)的生產(chǎn)大國(guó)。
2008-09-18
微特電機(jī)
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優(yōu)化變換器的FET開(kāi)關(guān)以改善能量效率
現(xiàn)在越來(lái)越多的設(shè)計(jì)師在關(guān)注DC/DC功率系統(tǒng)的效率問(wèn)題，功率MOSFET是DC/DC功率電路中功率損耗的罪魁禍?zhǔn)?，而通過(guò)采用先進(jìn)的器件，可以將這一損耗大幅降低。MOSFET廠商主要通過(guò)兩種方式來(lái)優(yōu)化工藝的發(fā)展。首先，為了改善產(chǎn)品的開(kāi)關(guān)特性（開(kāi)關(guān)速度），他們實(shí)施了先進(jìn)的柵極結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，降低了柵極電荷（Q...
2008-09-18
MOSFET 開(kāi)關(guān)和傳導(dǎo)損耗 系統(tǒng)級(jí)效率 開(kāi)關(guān)特性 單元密度
- AMTS 2025展位預(yù)訂正式開(kāi)啟——體驗(yàn)科技驅(qū)動(dòng)的未來(lái)汽車(chē)世界，共迎AMTS 20周年！
- 貿(mào)澤電子攜手安森美和Würth Elektronik推出新一代太陽(yáng)能和儲(chǔ)能解決方案
- 功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（六）——瞬態(tài)熱測(cè)量
- 貿(mào)澤開(kāi)售Nordic Semiconductor nRF9151-DK開(kāi)發(fā)套件
- TDK推出用于可穿戴設(shè)備的薄膜功率電感器
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