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電源管理

南方芯源在西安成立研發(fā)中心西安芯派

2008年8月18日，Samwin公司投資發(fā)起設立的西安芯派科技有限公司正式成立，主要從事MOSFET全新溝通工藝，電源管理IC及射頻技術應用三個方面的產品研發(fā)。該中心的成立將進一步提高Samwin產品的技術先進度。

2008-08-20

西安芯派 Samwin MOSFET 南方芯源

SiB41*DK / SiB911DK：Vishay PowerPAK SC-75封裝功率MOSFET系列

Vishay宣布推出采用 PowerPAK SC-75 封裝的 p 通道功率MOSFET系列，該系列包括額定電壓介于 8V～30V 的多個器件，這些是采用此封裝類型的首批具有上述額定電壓的器件。

2008-08-20

SiB911DK、SiB415DK、SiB411DK、SiB413DK、SiB419DK、SiB417DK SiB417EDK SiB414DK SiB412DK 場效應管 MOSFET

BTAxxx系列：安森美半導體隔離型三端雙向可控硅開關元件

安森美半導體擴充高性能三端雙向可控硅開關元件(TRIAC)產品系列，推出12款新的TRIAC，提供8、12和16安培(A)的可用額定功率，具有35和50毫安(mA)的門觸發(fā)電流(Igt)。這BTAxxx系列器件非常適合于講究隔離電壓、且安全是首要考慮的工業(yè)和控制應用。

2008-08-18

可控硅 TRIAC BTAxxx BTBxxx 工業(yè)和控制應用

298D系列：Vishay便攜應用固體鉭芯片電容器系列小封裝產品

Vishay宣布擴展其 298D系列 MicroTan? 固體鉭芯片電容器，推出0402 封裝尺寸的298D。此電容器充分利用已獲專利的MAP（多陣列封裝）裝配技術以擴展產品系列，現已可在超薄小型0402 K封裝中提供4.7μF-4V至10μF-4V的電容電壓。

2008-08-15

298D 鉭電容器便攜應用

微封裝晶體管和二極管：安森美半導體便攜應用產品

安森美半導體擴充分立器件封裝系列，推出新微封裝的晶體管和二極管。新增加的封裝拓展了公司的微封裝晶體管和二極管系列，配合當今空間受限型便攜應用的嚴峻設計需求。

2008-08-12

晶體管二極管 NZ9F 低正向壓降肖特基二極管齊納二極管便攜應用

EPCOS推出消費和工業(yè)電子應用表貼鋁電解電容器

愛普科斯(EPCOS) 推出新型表貼鋁電解電容器，其電容量范圍介于0.1μF至1500μF，適用于4V DC至100 V DC的電壓。此新型電容器適用于消費和工業(yè)電子領域，是鉭電容器的價格合適的替代品。

2008-08-01

鋁電解電容器

MAX4800A/MAX4802A：Maxim 8通道超聲應用高速開關

Maxim推出通過高速、20MHz串行接口控制的8通道、高壓、低電荷注入SPST開關MAX4800A/MAX4802A。器件采用Maxim專有的BCDMOS工藝，集高壓、雙向DMOS開關及低功耗CMOS邏輯特性于一體，從而實現通過低壓控制信號對高壓模擬信號的有效控制。

2008-07-30

MAX4800A MAX4802A 高速開關

STV250N55F3：意法半導體新250A功率MOSFET

意法半導體（紐約證券交易所代碼：STM）推出一款250A表面貼裝的功率MOSFET晶體管，新產品擁有市場上最低的導通電阻，可以把功率轉換損耗降至最低，并提高系統(tǒng)性能。

2008-07-16

MOSFET STV250N55F3

30CTT045/60CPT045：Vishay第5 代高性能45V肖特基二極管

Vishay宣布推出最大結溫高達 +175°C 的首款新型第五代（Gen. 5.0）高性能 45V 肖特基二極管。30CTT045 與60CPT045器件基于亞微米溝槽技術，可提供超低的正向壓降以及低反向漏電流，從而可使設計人員提高汽車及其他高溫應用中的功率密度。

2008-07-11

30CTT045 60CPT045 肖特基二極管 diode

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