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【技術(shù)大咖測(cè)試筆記系列】之八：低功率范圍內(nèi)的MOSFET表征
半導(dǎo)體行業(yè)一直在尋找新型特殊材料、介電解決方案和新型器件形狀，以進(jìn)一步、再進(jìn)一步縮小器件尺寸。例如，2D材料的橫向和縱向異質(zhì)結(jié)構(gòu)導(dǎo)致了新的顛覆性小型低功率電子器件的產(chǎn)生。
2021-10-20
低功率 MOSFET 泰克科技
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IOTE物聯(lián)網(wǎng)展參觀指南丨面對(duì)面對(duì)接最優(yōu)秀的企業(yè)，聽最前沿的會(huì)議！
最近10年，市場熱點(diǎn)層出不窮，但是IoT始終占據(jù)一席之地，智能家居、智慧城市、AI、新零售、NB-IoT、5G、無源物聯(lián)網(wǎng)等等，都是IoT大產(chǎn)業(yè)的一個(gè)分支，可以說，IoT，是未來數(shù)十年的大趨勢(shì)，萬億級(jí)市場也不會(huì)是夸張的數(shù)字。
2021-10-20
IOTE物聯(lián)網(wǎng) 智慧城市 AI
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電源適配器噪聲產(chǎn)生原因及解決措施
傳導(dǎo)干擾主要評(píng)估輸入和輸出線上流過的干擾噪聲。待測(cè)試的設(shè)備EUT通過阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)LISN 連接到干凈的交流電源上。
2021-10-20
電源適配器 噪聲
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一款基于ARM控制的逆變器電源電路設(shè)計(jì)方案
本設(shè)計(jì)以 ARM 作為控制核心，結(jié)合推挽升壓電路和 SPWM 逆變電路，實(shí)現(xiàn)了將12VDC 輸入電壓轉(zhuǎn)換為110VAC 交流正弦電壓輸出。實(shí)驗(yàn)表明，該逆變器具有電壓紋波小、動(dòng)態(tài)響應(yīng)高和全數(shù)字等特點(diǎn)，能夠滿足實(shí)際需要。
2021-10-20
ARM控制 逆變器電源 電路設(shè)計(jì)
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650V 60mΩ SiC MOSFET高溫性能測(cè)試對(duì)比，國產(chǎn)器件重載時(shí)溫度更低
650V 60mΩ SiC MOSFET主要應(yīng)用市場包括光伏和儲(chǔ)能、驅(qū)動(dòng)、電動(dòng)汽車及充電樁、UPS、電源等。據(jù)HIS報(bào)告，電動(dòng)汽車充電市場的增長將非常強(qiáng)勁，高達(dá)59%。
2021-10-20
SiC MOSFET高 PoE 智能樓宇 國產(chǎn)器件
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應(yīng)對(duì)一致性測(cè)試特定挑戰(zhàn)，需要可靠的PCIe 5.0 發(fā)射機(jī)驗(yàn)證
由于 5G 和IoT互聯(lián)設(shè)備及相關(guān)高帶寬要求預(yù)計(jì)將大幅度攀升，所以數(shù)據(jù)中心運(yùn)營商需要遷移到帶寬更高的網(wǎng)絡(luò)，其中的帶寬要超過當(dāng)前通常使用的100 GB 以太網(wǎng) (100GE)。 遷移到下一代 400GE 網(wǎng)絡(luò)要求更快速的內(nèi)存和更高速的串行總線通信。除了把以太網(wǎng)接口升級(jí)到 400GE，服務(wù)器還需要采用速度更高的串行...
2021-10-20
PCIe 發(fā)射機(jī) 5G IoT 互聯(lián)設(shè)備
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從玻璃貼膜到測(cè)試測(cè)量，都離不開的雙端口雙極性電源~
臺(tái)式電源(PS)往往有偶數(shù)個(gè)端口（忽略機(jī)箱端口）：一個(gè)正端口和一個(gè)負(fù)端口。使用臺(tái)式電源產(chǎn)生正極性輸出很容易：將負(fù)輸出設(shè)置為GND，將正輸出電壓設(shè)置為正輸出。產(chǎn)生負(fù)電源同樣容易，只需將上述設(shè)置反轉(zhuǎn)。
2021-10-20
玻璃貼膜 測(cè)試測(cè)量 雙極性電源
- 利用運(yùn)動(dòng)喚醒功能優(yōu)化視覺系統(tǒng)的功耗
- 宜普電源轉(zhuǎn)換公司勝訴，美國國際貿(mào)易委員會(huì)終裁確認(rèn)英諾賽科侵權(quán)
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