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適用于電流模式DC-DC轉(zhuǎn)換器的統(tǒng)一的LTspice AC模型
當(dāng)電源設(shè)計(jì)人員想要大致了解電源的反饋環(huán)路時(shí)，他們會(huì)利用環(huán)路增益和相位波特圖。知道環(huán)路響應(yīng)可進(jìn)行預(yù)測(cè)有助于縮小反饋環(huán)路補(bǔ)償元件的選擇范圍。
2022-02-09
電流模式DC-DC轉(zhuǎn)換器 LTspice AC模型
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將ICT和FCT優(yōu)勢(shì)結(jié)合在單個(gè)測(cè)試適配器中
一般以針床來(lái)測(cè)試不上電的電路板，使用直接數(shù)字合成（DDS）和離散傅立葉變換（DFT）等技術(shù)生成刺激信號(hào)進(jìn)行模擬測(cè)量分析，以此讓在線測(cè)試儀（ICA）測(cè)量電感、電容、阻抗和電阻等實(shí)際數(shù)據(jù)，以便確認(rèn)所有被測(cè)器件（DUT）測(cè)試節(jié)點(diǎn)的結(jié)果在公差范圍內(nèi)，以及是否有開(kāi)路、短路、錯(cuò)件或極性接反的問(wèn)題。這...
2022-02-09
ICT和FCT 測(cè)試 適配器
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帶有空片檢測(cè)功能的STM32需注意的GPIO設(shè)計(jì)
從STM32F0部分型號(hào)開(kāi)始，比如STM32F04x和STM32F09x，STM32越來(lái)越多的型號(hào)具有了空片檢測(cè)（Empty Check）功能。以前，STM32的啟動(dòng)由BOOT0和BOOT1來(lái)決定，在引入了空片檢測(cè)功能之后，則在BOOT0=0的情況下，還需要分兩種情況：
2022-02-09
空片檢測(cè) STM32 GPIO
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開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器的封裝體積正變得越來(lái)越小
開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器電路已經(jīng)存在多年，用戶可以選擇使用分立式組件來(lái)設(shè)計(jì)自己的產(chǎn)品，也可以購(gòu)買(mǎi)模塊化成品。如今，能夠滿足最新的效率、EMI和功率密度要求的技術(shù)讓模塊化方案獲得更多的青睞。
2022-02-09
開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 封裝體積
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SiC功率器件使用過(guò)程中的常見(jiàn)問(wèn)題集（上）
由于SiC 材料具有更高的擊穿場(chǎng)強(qiáng)、更好的熱穩(wěn)定性、更高的電子飽和速度及禁帶寬度，因此能夠大大提高功率器件的性能表現(xiàn)。相較于傳統(tǒng)的Si功率器件，SiC 器件具有更快的開(kāi)關(guān)速度，更好的溫度特性使得系統(tǒng)損耗大幅降低，效率提升，體積減小，從而實(shí)現(xiàn)變換器的高效高功率密度化。當(dāng)前碳化硅功率器件主...
2022-02-09
SiC功率器件 派恩杰
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LDO如何更加功效
隨著物聯(lián)網(wǎng) （IoT） 不斷占領(lǐng)于我們的住宅和辦公場(chǎng)所，我們會(huì)發(fā)現(xiàn)越來(lái)越多的電器和系統(tǒng)集成了電子元器件，而且我們能夠在世界上的任何一個(gè)角落訪問(wèn)這些電器和系統(tǒng)。不過(guò)，由于有如此之多的設(shè)備被連接到我們的住宅和辦公室，我們消耗了難以計(jì)數(shù)的待機(jī)電能。
2022-02-08
LDO 物聯(lián)網(wǎng)
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可編程輸入倍頻法如何減少整數(shù)邊界雜散
您曾設(shè)計(jì)過(guò)具有分?jǐn)?shù)頻率合成器的鎖相環(huán)（PLL）嗎？這種合成器在整數(shù)通道上看起來(lái)很棒，但在只稍微偏離這些整數(shù)通道的頻率點(diǎn)上雜散就會(huì)變得高很多，是吧？如果是這樣的話，您就已經(jīng)遇到過(guò)整數(shù)邊界雜散現(xiàn)象了 —— 該現(xiàn)象發(fā)生在載波的偏移距離等于到最近整數(shù)通道的距離時(shí)。
2022-02-08
可編程輸入倍頻法 整數(shù)邊界雜散
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