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國星光電NS62m功率模塊上線

發(fā)布時間:2022-12-16 責任編輯:lina

【導讀】在“雙碳”目標背景下,我國電力系統(tǒng)將向以新能源為主體的新型電力系統(tǒng)轉型,儲能作為靈活調節(jié)電源在新型電力系統(tǒng)中承擔重任。而儲能逆變器是儲能系統(tǒng)中關鍵的一環(huán),可控制儲能電池組充電和放電過程,在提高儲能系統(tǒng)的效率及降低成本方面起著重要作用。


近日,國星光電研究院基于寬禁帶半導體碳化硅技術,全新推出“NS62m SiC MOSFET功率模塊新品”,可應用于傳統(tǒng)工控、儲能逆變、UPS、充電樁、軌道交通和其他功率變換領域。


國星光電NS62m功率模塊上線


1. 能源轉型儲能風起正當時


在“雙碳”目標背景下,我國電力系統(tǒng)將向以新能源為主體的新型電力系統(tǒng)轉型,儲能作為靈活調節(jié)電源在新型電力系統(tǒng)中承擔重任。而儲能逆變器是儲能系統(tǒng)中關鍵的一環(huán),可控制儲能電池組充電和放電過程,在提高儲能系統(tǒng)的效率及降低成本方面起著重要作用。


面向儲能逆變器市場,國星光電NS62m功率模塊新品依托SiC MOSFET芯片的優(yōu)異性能,提高了功率模塊的電流密度以及開關頻率,降低了開關損耗和導通損耗,減少了無源器件的使用和冷卻裝置的尺寸,最終達到降低系統(tǒng)成本、提升系統(tǒng)效率的目的。


2. 四大優(yōu)勢全面揭曉NS62m 


兼容靈活性能佳


國星光電NS62m功率模塊采用標準型封裝,半橋拓撲設計,內置NTC熱敏電阻,可實現(xiàn)溫度監(jiān)控;采用62mm尺寸標準基板和接口,可兼容行業(yè)內各大主流產品,實現(xiàn)快速替換使用;具有150℃的連續(xù)工作溫度(Tvjop)和優(yōu)秀的溫度循環(huán)能力,器件可靠性表現(xiàn)卓越。


國星光電NS62m功率模塊上線


全橋拓撲可并聯(lián)


NS62m功率模塊以半橋電路結構應用于逆變器中。在實際應用中,一般會以2個或3個NS62m功率模塊并聯(lián)的形式構成單相全橋拓撲或三相橋拓撲,將直流電變成頻率、幅值可調的交流電,實現(xiàn)逆變功能?;贜S62m功率模塊內SiC MOSFET的體二極管具有出色的開關特性和反向恢復性能,因此在無需額外搭配二極管器件,更可滿足多數場景下的續(xù)流要求。


國星光電NS62m功率模塊上線


如圖中橙色框圖部分所示,每個框圖代表一個NS62m功率模塊,此圖為2個NS62m功率模塊并聯(lián)的形式構成單相全橋拓撲。


參數對比見真章


NS62m功率模塊在工作時可達到更高的開關頻率、更低的開關損耗,同時,可幫助變換器系統(tǒng)效率的提升和散熱結構成本的降低。


國星光電NS62m功率模塊上線


根據實驗數據可得,與市場同等電流規(guī)格的產品對比,NS62m功率模塊動態(tài)特性開通延遲時間減少79納秒;上升時間減少42納秒;關斷延遲時間減少468納秒。開啟損耗降低82%,關斷損耗降低92%,整體開關損耗表現(xiàn)優(yōu)秀。


產品豐富因需至


針對傳統(tǒng)工控、儲能逆變、充電樁等應用領域的需求,國星光電NS62m SiC MOSFET模塊系列型號豐富,可供選擇。依托國星光電先進的第三代半導體器件生產線,公司可響應不同封裝及規(guī)格的SiC功率模塊定制開發(fā)需求,為客戶提供高質量的定制化產品服務。


國星光電NS62m功率模塊上線


目前,國星光電正加速深入第三代半導體賽道,以自主創(chuàng)新為驅動,努力攻克技術難關,加速科技成果轉化,推動產品迭代更新,為第三代半導體產業(yè)化高質量發(fā)展注入源源不斷的新活力。


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