摘要

 

隨著ADC和DAC的性能規(guī)格、形狀參數(shù)和新的傳感器技術(shù)(Rx和Tx)的不斷發(fā)展，RF數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換系統(tǒng)正在發(fā)生快速變化。在這期間，一個(gè)系統(tǒng)級(jí)的設(shè)計(jì)問(wèn)題一直存在，即如何平衡模擬和數(shù)字電路的設(shè)計(jì)，以實(shí)現(xiàn)最大的軟件/系統(tǒng)靈活性（從傳感器到數(shù)字處理單元的輸入/輸出）。這個(gè)基本問(wèn)題需要系統(tǒng)設(shè)計(jì)師劃分（或組合）數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路器件，并結(jié)合模擬和數(shù)字信號(hào)的布線，實(shí)現(xiàn)多種服務(wù)的軟件最大化?，F(xiàn)在，隨著高級(jí)的SiP（系統(tǒng)級(jí)封裝）組裝技術(shù)的發(fā)展，數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器系統(tǒng)的設(shè)計(jì)正逐步從硬件中心向軟件中心轉(zhuǎn)變。Teledyne e2v的SiP設(shè)計(jì)、發(fā)展和組裝的專業(yè)技術(shù)革新了系統(tǒng)級(jí)設(shè)計(jì)，可實(shí)現(xiàn)最大的靈活性并支持多任務(wù)的應(yīng)用。利用最先進(jìn)的技術(shù)（倒裝芯片、有機(jī)封裝等）開發(fā)的RF混合信號(hào)數(shù)字處理應(yīng)用可用于工業(yè)、醫(yī)療、航空電子、儀器、電信、軍事和宇航等應(yīng)用。Teledyne e2v在高級(jí)SiP設(shè)計(jì)和組裝技術(shù)方面擁有超過(guò)40年的經(jīng)驗(yàn)，可幫助系統(tǒng)設(shè)計(jì)師實(shí)現(xiàn)高級(jí)數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換系統(tǒng)平臺(tái)的最高性能和最大價(jià)值。

 

用于SiP設(shè)計(jì)的高級(jí)數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器件

 

高頻數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器系統(tǒng)需要高性能（和可靠的）半導(dǎo)體器件來(lái)處理整個(gè)信號(hào)鏈的關(guān)鍵功能。選擇可以滿足整個(gè)系統(tǒng)性能要求的合適的半導(dǎo)體器件對(duì)SiP的實(shí)現(xiàn)至關(guān)重要。Teledyne e2v為SiP的實(shí)現(xiàn)提供了高速數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器、微處理器、存儲(chǔ)器以及各種模擬和邏輯功能器件。

顯然，數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換接收(Rx)系統(tǒng)的核心器件是ADC。Teledyne e2v在過(guò)去的20多年里一直致力于數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器技術(shù)的創(chuàng)新，并提供了多通道、低噪聲、低失真的微波頻率ADC(如上圖的EV12AQ600)。這種數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器使系統(tǒng)設(shè)計(jì)師能（通過(guò)直接RF轉(zhuǎn)換）消除傳統(tǒng)架構(gòu)中下變頻所需的模擬環(huán)節(jié)。利用Teledyne e2v的高端ADC減少模擬環(huán)節(jié)，并使用高級(jí)的SiP設(shè)計(jì)技術(shù)配合無(wú)需許可證的標(biāo)準(zhǔn)和定制解決方案，設(shè)計(jì)師可以研發(fā)許多標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品和定制產(chǎn)品，以滿足特定的性能和/或環(huán)境需求。

 

未來(lái)高速SiP直接RF數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換接收(Rx)方案的核心是EV12AQ600。結(jié)合RTH120跟蹤保持放大器(THA)，PS620實(shí)驗(yàn)SiP RF前端接收板（如下圖所示）的性能非常優(yōu)秀（見第2頁(yè)上器件的核心參數(shù)）。EV12AQ600是一款四核ADC，包含交叉點(diǎn)開關(guān)(CPS)前端，允許四個(gè)ADC核心同時(shí)、獨(dú)立或成對(duì)地工作，支持四通道1.6Gsps，兩通道3.2Gsps或單通道6.4Gsps的采樣率。典型的四通道模式的SFDR（不考慮H2和H3諧波）優(yōu)于70dBFS(-1dBFS輸出，頻率高達(dá)5980MHz）。

 

 

這款器件可提供多種級(jí)別，包括商業(yè)級(jí)、工業(yè)級(jí)、軍級(jí)，最高支持耐輻射宇航級(jí)。EV12AQ600可用于多種應(yīng)用，如高速數(shù)據(jù)采集、高速測(cè)試儀器、自動(dòng)測(cè)試設(shè)備、地球觀測(cè)SAR雷達(dá)載荷、電信MIMO衛(wèi)星載荷、超寬帶衛(wèi)星數(shù)字接收機(jī)、C波段直接RF轉(zhuǎn)換、微波軟件定義無(wú)線電、點(diǎn)對(duì)點(diǎn)微波接收端、機(jī)器狀態(tài)監(jiān)測(cè)系統(tǒng)、飛行時(shí)間質(zhì)譜分析、LiDAR、高能物理等。

 

器件核心參數(shù)

EV12AQ600 ADC:

• 四個(gè)12-bit 1.6 GSps ADC核心，支持1、2或4通

道時(shí)域交織

• 全交織模式采樣率高達(dá)6.4 GSps

• 6.5 GHz輸入帶寬(-3dB)

• 集成的寬帶交叉點(diǎn)開關(guān)

• 支持多通道同步的同步鏈

RTH120 THA:

• 24GHz 輸入帶寬

• 雙THA使輸出保持時(shí)間超過(guò)半個(gè)采樣時(shí)鐘周期

• 全差分設(shè)計(jì)

 

 

在實(shí)現(xiàn)高速、最先進(jìn)的SiP數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換發(fā)射端(Tx)解決方案方面，關(guān)鍵的技術(shù)是EV12DD700(如右圖所示）。該雙路12位DAC支持高達(dá)12Gsps的采樣率，可直接產(chǎn)生高達(dá)21GHz的輸出信號(hào)，滿刻度階躍響應(yīng)時(shí)間低至15ps，在微波頻率的噪聲很低，性能優(yōu)秀。EV12DD700雙通道DAC也支持Ka波段工作，支持波束形成的應(yīng)用。這款DAC有25GHz的3dB輸出帶寬，即使超過(guò)25GHz也僅有略大于3dB的衰減（見下圖）。每個(gè)DAC都集成了一系列復(fù)雜的信號(hào)處理功能，包括一個(gè)用于直接數(shù)字合成(DDS)功能的可編程anti-sinc濾波器，一個(gè)可編程的復(fù)雜混頻器，以及一個(gè)包含四個(gè)插值環(huán)節(jié)的數(shù)字上變頻器。數(shù)字處理功能包括：插值（4x, 8x和16x）、帶有數(shù)字控制振蕩器（32位NCO)的數(shù)字上變頻(DUC)、直接數(shù)字合成(DDS)、數(shù)字波束形成和波束跳變。DAC的主要功能包括：可編程輸出模式(NRZ, RF, 2RF)、增益調(diào)節(jié)、可編程SINC補(bǔ)償功能和多器件同步。

 

圖 1

 

當(dāng)然，所有的高速數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換系統(tǒng)也需要先進(jìn)的數(shù)字處理能力。例如，Teledyne e2v已經(jīng)認(rèn)證并發(fā)布了一款從NXP最新的Layerscape® 系列篩選出的微處理器LS1046A，可工作在-55℃到125℃（宇航級(jí)LS1046-Spacce也很快會(huì)發(fā)布）。LS1046A是NXP的64位ARM® Layerscape產(chǎn)品系列的一款器件，使用四核ARM® Cortex® A72設(shè)計(jì)。

 

 

這種設(shè)計(jì)在盡可能小的封裝里實(shí)現(xiàn)了無(wú)與倫比的性能。用戶可以使用與ARM® 技術(shù)兼容的龐大的軟件、應(yīng)用、工具的生態(tài)系統(tǒng)。LS1046A是一款1.8GHz的處理器，集成了包處理加速和高速外設(shè)，使用了高性能的架構(gòu)，有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的計(jì)算密度。其超過(guò)45,000CoreMarks® 的計(jì)算性能（即30K DMIPS@1.8GHz)，搭配雙路10Gb以太網(wǎng)、3路PCIe Gen3和1路SATAGen3，適用于一系列高可靠性的軍用、航空和航天的應(yīng)用。LS1046A也集成到了Teledyne e2v最新的Qormino® 計(jì)算模塊中，這個(gè)模塊還包含了一個(gè)4GB的DDR4存儲(chǔ)器（見左側(cè)的照片）。此外，作為Teledyne e2v的半導(dǎo)體生命周期管理計(jì)劃SLiM™的一部分，這款器件的生命周期可達(dá)15年以上，避免了常見的昂貴的器件過(guò)時(shí)問(wèn)題。

 

數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換SiP實(shí)現(xiàn)峰值系統(tǒng)性能：適用于所有細(xì)分市場(chǎng)

 

在工業(yè)、醫(yī)療、飛行電子、儀器、電信、軍事和宇航領(lǐng)域，數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換系統(tǒng)正在經(jīng)歷快速的變化。對(duì)于所有的細(xì)分市場(chǎng)，首要的系統(tǒng)級(jí)設(shè)計(jì)問(wèn)題是，如何在模擬和數(shù)字電路之間取得平衡，實(shí)現(xiàn)最大的軟件/系統(tǒng)靈活性（從傳感器到計(jì)算機(jī)輸入或從計(jì)算機(jī)輸出到傳感器）。這個(gè)基本的問(wèn)題要求系統(tǒng)設(shè)計(jì)師劃分（或組合）數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路器件，并結(jié)合模擬和數(shù)字信號(hào)的布線，以實(shí)現(xiàn)多種服務(wù)的軟件最大化。

 

系統(tǒng)工程師了解他們的市場(chǎng)、應(yīng)用和電路性能的規(guī)范需求，但設(shè)計(jì)參數(shù)，例如風(fēng)險(xiǎn)、技術(shù)選擇、形狀參數(shù)、開發(fā)時(shí)間表（包括時(shí)間表同步）、可靠性，以及與高性能數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換系統(tǒng)相關(guān)的成本，都是高度可變的。這些設(shè)計(jì)參數(shù)，加上不斷變化的系統(tǒng)性能規(guī)格需求，最終導(dǎo)致更窄的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)“交集”（圖2）。

 

當(dāng)然，在任何設(shè)計(jì)參數(shù)上犯錯(cuò)誤，都會(huì)付出巨大的代價(jià)。因此，任何可以嵌入到設(shè)計(jì)開發(fā)中的靈活性，只要能為項(xiàng)目增加整體價(jià)值而不是降低價(jià)值，都是值得投資的。

 

圖 2 - 不斷增加的設(shè)計(jì)參數(shù)和系統(tǒng)級(jí)性能需求，產(chǎn)生了更窄的“交集”。

 

有一個(gè)設(shè)計(jì)參數(shù)可以提高設(shè)計(jì)階段的靈活性，并最終滿足必要的性能需求，特別是對(duì)于數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。它是利用SiP(系統(tǒng)級(jí)封裝）技術(shù)實(shí)現(xiàn)所需的功能。過(guò)去，半導(dǎo)體工藝技術(shù)的不斷進(jìn)步使系統(tǒng)級(jí)設(shè)計(jì)師能夠在SoC（片上系統(tǒng)）上實(shí)現(xiàn)完整的電路功能。隨著門電路長(zhǎng)度縮短至10nm甚至更小，需要大量數(shù)字計(jì)算的SoC應(yīng)用已可以通過(guò)半導(dǎo)體技術(shù)實(shí)現(xiàn)。不幸的是，隨著半導(dǎo)體特征尺寸的減小，芯片的開發(fā)成本呈指數(shù)級(jí)

增長(zhǎng)（見圖3）。

 

圖 3

 

圖3也顯示了最小幾何門尺寸和最大器件振蕩頻率之間的相關(guān)性。如圖所示，F(xiàn)max的拐點(diǎn)在門長(zhǎng)度<28nm的位置。相應(yīng)的，隨著門長(zhǎng)度的減小，開發(fā)成本呈指數(shù)增長(zhǎng)（G=28nm（平均開發(fā)成本5130萬(wàn)美元），G=16nm(平均開發(fā)成本1.063億美元），G=7nm(成本2.97億美元），G=5nm(成本超過(guò)5億美元))。隨著SoC包含更多的功能，需要使用更小的門長(zhǎng)度，其開發(fā)的成本變得令人望而卻步。例如，SoC一直是移動(dòng)電話行業(yè)的驅(qū)動(dòng)技術(shù)，但對(duì)模擬技術(shù)（如MEMS傳感器）的需求不斷增加，導(dǎo)致從SoC到SiP方案的變革。圖4說(shuō)明了當(dāng)前推進(jìn)從SoC到SiP的變革的三個(gè)共存的設(shè)計(jì)參數(shù)：1)技術(shù)：為最優(yōu)系統(tǒng)性能選擇最合適的工藝技術(shù)（即Si、GaAs、GaN、SiGe等），2)小型化，3)成本。

 

 

圖 4

 

推動(dòng)數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換系統(tǒng)從SoC向SiP發(fā)展的另一個(gè)因素是對(duì)數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路器件的劃分（或組合）以及模擬和數(shù)字信號(hào)的布線，這將允許對(duì)多種服務(wù)進(jìn)行最大程度的軟件化。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換系統(tǒng)可以設(shè)計(jì)為“集中式”或“分隨著SoC包含更多的功能，需要使用更小的門長(zhǎng)度，其開發(fā)的成本變得令人望而卻步。例如，SoC一直是移動(dòng)電話行業(yè)的驅(qū)動(dòng)技術(shù)，但對(duì)模擬技術(shù)（如MEMS傳感器）的需求不斷增加，導(dǎo)致從SoC到SiP方案的變革。圖4說(shuō)明了當(dāng)前推進(jìn)從SoC到SiP的變革的三個(gè)共存的設(shè)計(jì)參數(shù)：1)技術(shù)：為最優(yōu)系統(tǒng)性能選擇最合適的工藝技術(shù)（即Si、GaAs、GaN、SiGe等），2)小型化，3)成本。

 

 

圖 5

 

因此，Teledyne e2v的高級(jí)的SiP設(shè)計(jì)、開發(fā)和組裝的專業(yè)技術(shù)使數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的開發(fā)發(fā)生了巨大的變革，實(shí)現(xiàn)了多任務(wù)應(yīng)用設(shè)計(jì)參數(shù)的最大靈活度（即組合和劃分）。通過(guò)使用最先進(jìn)的技術(shù)（焊線、倒裝芯片等），組合（或劃分）RF、混合信號(hào)和數(shù)字處理半導(dǎo)體，高級(jí)的SiP設(shè)計(jì)和組裝技術(shù)能為系統(tǒng)設(shè)計(jì)師帶來(lái)最高性能、最低成本的高頻數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換系統(tǒng)平臺(tái)。

 

 

圖 6a

 

例如，圖6的PS640是一款SiP實(shí)現(xiàn)的RF數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換系統(tǒng)產(chǎn)品，目前正在研發(fā)，用于未來(lái)的L波段到Ka波段的頻率接收機(jī)（1GHz至40GHz)。PS640使用Teledyne e2v基于STMicro BiCMOS055工藝設(shè)計(jì)的新型THA和兩片互相交織的EV12AQ600 ADC，是一款“集中式”的高速SiP數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換接收器（Rx)。圖6也描述了其性能指標(biāo)。圖7描述了一種相同的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的未來(lái)概念，這是一種“分布式”數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換接收器的實(shí)現(xiàn)方式，使用光引擎（包含在SiP中）驅(qū)動(dòng)數(shù)字處理器（FPGA)，實(shí)現(xiàn)最大軟件化（軟件中心）。

 

 

圖 6b
 

 

圖 7

 

TE2V的高級(jí)SiP組裝技術(shù)

 

SiP是將多個(gè)器件（主動(dòng)器件或被動(dòng)器件）封裝在一起的單個(gè)設(shè)備。SiP用于在電子系統(tǒng)層面執(zhí)行多項(xiàng)功能。嵌入在SiP中的半導(dǎo)體器件（包括被動(dòng)器件）可以水平和/或垂直堆疊在基材上，然后進(jìn)行封裝。半導(dǎo)體可以通過(guò)焊線或焊接凸點(diǎn)的方式與基材連接（也可以用于將裸片堆疊成垂直的結(jié)構(gòu)）。如前所述，數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換SiP可能包含多個(gè)裸片，如前置放大器、混頻器、ADC、DAC，專用處理器、存儲(chǔ)集成電路和被動(dòng)器件（如電阻和電容）。這些裸片是使用不同的安裝技術(shù)固定在同一個(gè)基材上。SiP的組裝技術(shù)促進(jìn)了細(xì)分市場(chǎng)的發(fā)展，特別是與超高RF(地面和非地面）、需要MEMs電路的物聯(lián)網(wǎng)(IOT)、移動(dòng)和可穿戴設(shè)備等應(yīng)用相關(guān)的領(lǐng)域。憑借一系列的使用SiP技術(shù)的產(chǎn)品和封裝解決方案，Te2v為工業(yè)、醫(yī)療、航空、軍事、科學(xué)和空間等應(yīng)用的細(xì)分市場(chǎng)提供設(shè)計(jì)和組裝服務(wù)。此外，Teledyne e2v的許多產(chǎn)品都是通過(guò)與NXP、Everspin、Micron等公司的戰(zhàn)略合作開發(fā)的。

 

Te2v可提供一系列SiP設(shè)計(jì)開發(fā)的供應(yīng)鏈管理服務(wù)，包括：裸片設(shè)計(jì)、封裝設(shè)計(jì)、高可靠組裝、高性能速度測(cè)試、質(zhì)量服務(wù)和半導(dǎo)體生命周期管理（SLiMTM，見圖 8）。Te2v擁有超過(guò)40年的宇航設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)，包括ADC、DAC、微處理器、存儲(chǔ)器以及內(nèi)部測(cè)試和質(zhì)量服務(wù)，能為所有細(xì)分市場(chǎng)提供滿足任何質(zhì)量等級(jí)需求的高級(jí)SiP的產(chǎn)品和服務(wù)。Te2v的高級(jí)的SiP組裝技術(shù)包括：焊線、倒裝芯片、有機(jī)和陶瓷封裝（密封和非密封）以及混合組裝。

 

 

圖 8

 

當(dāng)然，在組裝之前，高級(jí)高速SiP開發(fā)需要封裝仿真和封裝參數(shù)的測(cè)試，以評(píng)估散熱和可靠性。例如，圖9介紹了上文提到的PS640的熱仿真。對(duì)于散熱設(shè)計(jì)，將多個(gè)裸片緊密地放置在一起是一個(gè)挑戰(zhàn)。為了準(zhǔn)確預(yù)測(cè)器件最關(guān)鍵區(qū)域的結(jié)溫，需要進(jìn)行仔細(xì)的熱仿真。

 

 

圖 9 - PS640 SiP的熱仿真

 

Te2v使用與設(shè)計(jì)師和客戶討論商定的邊界條件，使仿真的性能匹配最終的測(cè)試結(jié)果（這對(duì)于SiP集成的關(guān)鍵

器件是必需的）。此外，Te2v使用高頻3D場(chǎng)解算器（Ansys HFSS)對(duì)RF SiP的開發(fā)進(jìn)行仿真和設(shè)計(jì)。HFSS是一款用于電磁結(jié)構(gòu)的商業(yè)有限元方法解算器，適用于SiP封裝包含的復(fù)雜RF電子電路/半導(dǎo)體器件、濾波器、傳輸線的封裝設(shè)計(jì)（見圖 10）。

 

 

圖 10 - 對(duì) PS640 進(jìn)行 40GHz 模擬輸入的 3D 場(chǎng)解算器仿真 (Ansys HFSS) 顯示封裝到 THA 的裸片之間的連接狀況，并分析了硅金屬填充里的信號(hào)傳遞。

 

在這個(gè)例子里，Te2v的封裝團(tuán)隊(duì)和負(fù)責(zé)Te2v的SiP開發(fā)流程的半導(dǎo)體團(tuán)隊(duì)共同設(shè)計(jì)了這個(gè)RF模擬前端。由于嵌入在單個(gè)有機(jī)基材里的硅技術(shù)有所不同，以及C4(受控塌陷芯片連接 - 倒裝芯片凸點(diǎn)）和C5（焊球）機(jī)電接口中的RoHS焊點(diǎn)，SiP設(shè)計(jì)的可靠性是一個(gè)重大的工程挑戰(zhàn)。Te2v不斷開發(fā)新技術(shù)，通過(guò)熱機(jī)械分析，并考慮諸如焊料蠕變和粘塑性等的非線性行為，快速并準(zhǔn)確地預(yù)測(cè)產(chǎn)品的翹曲和板級(jí)的可靠性

（見圖11）。

 

 

圖 11 - PS640 在室溫組裝后發(fā)生的封裝翹曲的 50 倍放大圖

 

具體的設(shè)計(jì)和組裝服務(wù)還包括：定制產(chǎn)品、中/低用量產(chǎn)品、高可靠/高端產(chǎn)品、QML-V/QML-Y認(rèn)證以及宇航認(rèn)證（參考圖12中的技術(shù)總結(jié)）：

 

 

圖 12 - Te2v 的高級(jí)組裝技術(shù)，可用于 SIP 的組裝

 

 
 

 

圖 13 - Te2v 的高級(jí)焊線（上）和倒裝芯片（下）技術(shù)，可用于 SIP 的組裝

 

圖13說(shuō)明了Te2v的高級(jí)SiP焊線和倒裝芯片組裝技術(shù)。對(duì)于焊線，圖13（上圖）說(shuō)明了滿足不同半導(dǎo)體類型（Si、GaN、GaAs等）和封裝類型的最新發(fā)展所需的眾多組裝技術(shù)。隨著新一代的半導(dǎo)體和封裝的發(fā)布，必須開發(fā)新的焊線技術(shù)，以滿足性能的要求。焊線大約占所有電子封裝組裝（包含flash存儲(chǔ)器和傳感器等）的三分之二。對(duì)于一些硅節(jié)點(diǎn)，如MEMS傳感器，無(wú)法使用先進(jìn)的倒裝芯片互聯(lián)技術(shù)。在這些情況下，焊線依然具有成本和可靠性方面的優(yōu)勢(shì)。

 

倒裝芯片技術(shù)（也如圖13所示）基于半導(dǎo)體頂部形成的一系列凸起或銅柱。倒裝芯片的流程和傳統(tǒng)IC的制造類似，只需要增加幾個(gè)步驟。在制造過(guò)程接近尾聲時(shí)，對(duì)焊盤進(jìn)行金屬化或焊料預(yù)處理，使其更容易焊接。在最后的晶圓流程中，焊接凸起會(huì)在晶圓頂部的

 

芯片焊盤上形成，然后像往常一樣從晶圓上切下芯片。為了將芯片安裝在外部電路（SiP電路板和/或另一個(gè)芯片或裸片）上，需要翻轉(zhuǎn)芯片使其頂部朝下，并使它的焊盤與外部電路的焊盤對(duì)齊，然后進(jìn)行回流焊（通常使用熱超聲焊接或回流焊接），以使它們互相連接。這會(huì)在芯片電路和底部之間留下了一個(gè)很小的空間。在很多情況下，需填充電氣絕緣的粘合劑，以保證更強(qiáng)的機(jī)械連接，并產(chǎn)生熱橋，確保焊點(diǎn)不會(huì)由于芯片和系統(tǒng)的其他部分的熱量不同而受到應(yīng)力。這些填充物減少了芯片和板子之間的熱膨脹系數(shù)的不匹配帶來(lái)的影響，防止應(yīng)力集中于焊點(diǎn)，防止器件過(guò)早失效。倒裝芯片技術(shù)與焊線技術(shù)不同，在焊線技術(shù)中，芯片被簡(jiǎn)單地安裝，然后用線將芯片的焊盤和外部電路連接起來(lái)。

 

TE2V：為高級(jí)SiP的設(shè)計(jì)和組裝提供一站式服務(wù)

 

在性能生命周期內(nèi)，SiP可降低特定產(chǎn)品和系統(tǒng)的總體成本，特別是與其他設(shè)計(jì)選項(xiàng)（如SoC等）相比時(shí)。SiP可在產(chǎn)品生命周期的各個(gè)階段減少總體的系統(tǒng)開發(fā)成本，如：

 

1. 降低工程成本：在工程開發(fā)時(shí)間、材料和上市時(shí)間方面顯著降低設(shè)計(jì)的難度。

 

2. 降低PCB成本：簡(jiǎn)化特定器件的開發(fā)和使用（利用COTS或定制半導(dǎo)體）。

 

3. 降低組裝成本：將多個(gè)器件集成到一個(gè)封裝里，可在系統(tǒng)整體制造流程中顯著降低成本。

 

4. 降低供應(yīng)鏈成本：簡(jiǎn)化供應(yīng)鏈。來(lái)自不同制造商的多個(gè)器件可被單個(gè)SiP取代，這樣只需管理較少的供應(yīng)商和器件，可大大簡(jiǎn)化供應(yīng)鏈。

 

5. 驗(yàn)證：子系統(tǒng)和系統(tǒng)級(jí)的測(cè)試和認(rèn)證。

Te2v的高級(jí)SiP設(shè)計(jì)和組裝服務(wù)成為所有細(xì)分市場(chǎng)和產(chǎn)品類型的“一站式商店”（參見圖14）。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，Te2v不但為宇航級(jí)的應(yīng)用提供設(shè)計(jì)、組裝和認(rèn)證服務(wù)，也面向其他所有的細(xì)分市場(chǎng)、應(yīng)用和質(zhì)量等級(jí)。

 

 

圖 14

 

最后，隨著高級(jí)系統(tǒng)的發(fā)展進(jìn)入下一個(gè)十年，SiP技術(shù)已成為減少門長(zhǎng)度、減小半導(dǎo)體尺寸的關(guān)鍵要素。隨著越來(lái)越大的SoC逐漸成為SiP包含的眾多器件之一，使用有機(jī)基材和封裝材料進(jìn)行可靠組裝（焊線或倒裝芯片）的技術(shù)需要大量的技術(shù)投資。當(dāng)前，Te2v正準(zhǔn)備在未來(lái)幾年內(nèi)實(shí)現(xiàn)這類技術(shù)的進(jìn)步，所有的技術(shù)研發(fā)都由ESA贊助。

 

 

 

結(jié)語(yǔ)

當(dāng)前，數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的設(shè)計(jì)師正在經(jīng)歷半導(dǎo)體工藝選擇（和幾何尺寸）、電路小型化需求以及不斷增加的開發(fā)成本等關(guān)鍵設(shè)計(jì)參數(shù)的挑戰(zhàn)。此外，高級(jí)系統(tǒng)的開發(fā)可以使用越來(lái)越先進(jìn)的ADC、DAC、微處理器和存儲(chǔ)器件。在工業(yè)、醫(yī)療、航空電子、儀器儀表、通信、軍事和宇航應(yīng)用領(lǐng)域，一個(gè)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的問(wèn)題一直存在，即如何在模擬電路和數(shù)字電路之間取得平衡，以實(shí)現(xiàn)最大的軟件/系統(tǒng)靈活性（從傳感器到計(jì)算機(jī)輸入/輸出）?，F(xiàn)在，高級(jí)SiP（系統(tǒng)級(jí)封裝）技術(shù)的發(fā)展在所有的細(xì)分市場(chǎng)和應(yīng)用中推動(dòng)了數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的設(shè)計(jì)從硬件中心到軟件中心的變革。Teledyne e2v的SiP設(shè)計(jì)、開發(fā)和組裝的專業(yè)技術(shù)革新了系統(tǒng)級(jí)設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了最大的靈活性和多任務(wù)的能力。Teledyne e2v擁有超過(guò)40年的RF、混合信號(hào)和數(shù)字處理應(yīng)用的封裝設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)，其最先進(jìn)的SiP設(shè)計(jì)和組裝技術(shù)（焊線、倒裝芯片、有機(jī)封裝等）將幫助系統(tǒng)設(shè)計(jì)師實(shí)現(xiàn)高頻直接RF數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換系統(tǒng)平臺(tái)的最高性能和最大價(jià)值。

（來(lái)源：Teledyne e2v）