高能效功率電子技術(shù)的最新進(jìn)展
從 1957年第一只晶閘管的誕生開(kāi)始,功率電子技術(shù)以相當(dāng)迅猛的速度發(fā)展。近年來(lái)又取得了長(zhǎng)足的進(jìn)展,產(chǎn)生極佳的經(jīng)濟(jì)及社會(huì)效益。從美國(guó)高能效經(jīng)濟(jì)委員會(huì)(ACEE)出版的一份報(bào)告可以看到,到 2030年,受益于采用半導(dǎo)體技術(shù)而獲得的更高能效,可以使美國(guó)的經(jīng)濟(jì)規(guī)模擴(kuò)大 70%以上,與此同時(shí),使用的電能卻將減少11%。作為高能效功率電子技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先廠商,安森美半導(dǎo)體一直專注于超低損MOSFET/IGBT、智能電源IC及集成功率模塊等方面的研發(fā)和創(chuàng)新,而且取得了長(zhǎng)足的進(jìn)展。
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