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電源管理

PFC電路：死區(qū)時(shí)間理想值的考量

由于該電路是進(jìn)行同步整流工作的電路，所以我們通過(guò)仿真來(lái)探討高邊（HS）和低邊（LS）SiC MOSFET SCT2450KE的死區(qū)時(shí)間理想值，即不直通的最短時(shí)間。死區(qū)時(shí)間可以通過(guò)仿真工具的PWM控制器參數(shù)TD1（HS）和TD2（LS）來(lái)分別設(shè)置。

2023-07-18

PFC電路死區(qū)時(shí)間理想值

了解這些就可以搞懂 IGBT

絕緣柵雙極晶體管（IGBT, Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種三端功率半導(dǎo)體器件，主要用作電子開(kāi)關(guān)，在較新的器件中以結(jié)合高效和快速開(kāi)關(guān)而聞名。IGBT通過(guò)在單個(gè)器件中組合用于控制輸入的隔離柵極FET和作為開(kāi)關(guān)的雙極功率晶體管，將MOSFET的簡(jiǎn)單柵極驅(qū)動(dòng)特性與雙極晶體管的高電流和低飽和...

2023-07-18

工作原理 IGBT

用于鋰離子和鋰聚合物電池的通用電池充電器與用于隨身充電 (OTG) 的 USB 3.0 供電 (PD) 技術(shù)一起使用的應(yīng)用越來(lái)越廣泛，包括無(wú)人機(jī)、智能手機(jī)、平板電腦、無(wú)繩吸塵器、便攜式醫(yī)療設(shè)備、無(wú)線揚(yáng)聲器和電子收銀機(jī)設(shè)備。在這些應(yīng)用中，一直要求設(shè)計(jì)者減少充電時(shí)間和外形尺寸，提高功率密度，并降低成本。

2023-07-17

USB 充電器 FRS

計(jì)算DC-DC補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)的分步過(guò)程

本文旨在幫助設(shè)計(jì)人員了解DC-DC補(bǔ)償?shù)墓ぷ髟?、補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)的必要性以及如何使用正確的工具輕松獲得有效的結(jié)果。該方法使用LTspice?中的一個(gè)簡(jiǎn)單電路，此電路基于電流模式降壓轉(zhuǎn)換器的一階（線性）模型1。使用此電路，無(wú)需執(zhí)行復(fù)雜的數(shù)學(xué)計(jì)算即可驗(yàn)證補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)值。

2023-07-17

DC-DC 補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò) 計(jì)算過(guò)程

淺析汽車空氣懸架系統(tǒng)中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用

汽車懸架系統(tǒng)可以調(diào)節(jié)車身的高度、阻尼、剛度，有效提升駕駛的舒適性與操控性，從而讓駕駛者在不同的車速、路面條件下有不同的駕駛感受，提高車輛的平順性和品質(zhì)感。

2023-07-14

汽車空氣懸架電機(jī)驅(qū)動(dòng)

按摩椅中的有刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)

近年來(lái)，隨著人們健康意識(shí)的增強(qiáng)，亞健康、中國(guó)老年、商旅辦公等人群的擴(kuò)大，以及智能化按摩椅產(chǎn)品的不斷更新升級(jí)，具有良好按摩保健功效的按摩椅正逐步獲得廣大消費(fèi)者的認(rèn)可。從電機(jī)的種類上來(lái)看，有刷電機(jī)因其簡(jiǎn)單的控制方式和優(yōu)良的轉(zhuǎn)矩控制特性，在調(diào)速領(lǐng)域一直占有主導(dǎo)地位。為了提高功率，按...

2023-07-14

按摩椅有刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)

電池管理系統(tǒng)有助于優(yōu)化電動(dòng)汽車性能嗎

倒計(jì)時(shí)已經(jīng)開(kāi)始：自動(dòng)駕駛、電動(dòng)、互聯(lián)汽車將在未來(lái)幾年徹底改變整個(gè)汽車行業(yè)——這一變化遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出了網(wǎng)絡(luò)訪問(wèn)或方向盤和踏板的消失。自動(dòng)駕駛聯(lián)網(wǎng)汽車將帶我們進(jìn)入一個(gè)更高效、更經(jīng)濟(jì)、更清潔、更環(huán)保的新交通時(shí)代，鋰離子（Li-ion）電池和電池管理系統(tǒng)將成為電動(dòng)汽車（e-mobility）的關(guān)鍵。

2023-07-13

電池管理系統(tǒng) 電動(dòng)汽車

安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 靜態(tài)特性分析

SiC MOSFET 在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)中正迅速普及，因?yàn)樗畛醯囊恍┛煽啃詥?wèn)題已得到解決，并且價(jià)位已達(dá)到非常有吸引力的水平。隨著市場(chǎng)上的器件越來(lái)越多，必須了解 SiC MOSFET 與 IGBT 之間的共性和差異，以便用戶充分利用每種器件。本系列文章將概述安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關(guān)鍵特性及驅(qū)動(dòng)條件...

2023-07-13

安森美 SiC MOSFET 靜態(tài)特性

高能效、小外形的240W USB PD3.1 EPR適配器的參考設(shè)計(jì)

更大容量電池需具備相同或更快充電時(shí)間的趨勢(shì)正在加速USB-C PD采用更大的功率及更高的輸出電壓， USB PD組織發(fā)布了最新的USB PD3.1 EPR規(guī)范，使得最大的輸出達(dá)到48V 5A, 240W的功率。在設(shè)計(jì)USB PD適配器和充電器時(shí)，要滿足COC V5 Tier2 等最新的能效標(biāo)準(zhǔn)，并考慮小型化設(shè)計(jì)以配合移動(dòng)便攜式設(shè)備等輕...

2023-07-13

USB PD3.1 適配器參考設(shè)計(jì)

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高能效、小外形的240W USB PD3.1 EPR適配器的參考設(shè)計(jì)

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