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什么是陶瓷電容器？ 陶瓷電容器的應(yīng)用
陶瓷電容器陶瓷電容器使用陶瓷材料作為電介質(zhì)。陶瓷是早用于生產(chǎn)電容器的材料之一，因?yàn)樗且环N已知的絕緣體。陶瓷電容器使用了許多幾何形狀，其中一些，如陶瓷管狀電容器和阻擋層電容器，由于其尺寸、寄生效應(yīng)或電氣特性，如今已經(jīng)過(guò)時(shí)。現(xiàn)代電子產(chǎn)品中常用的陶瓷電容器類型是多層陶瓷電容器，也...
2024-08-13
陶瓷電容器
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頻率控制如何確保UWB應(yīng)用可靠、安全
超寬帶 (UWB) 是在第二次世界大戰(zhàn)期間為安全通信和雷達(dá)系統(tǒng)開(kāi)發(fā)的，后來(lái)被禁止用于商業(yè)用途，幾十年來(lái)一直未得到充分利用。2002 年發(fā)布的美國(guó)聯(lián)邦法規(guī)允許廣泛地使用 UWB。此后，該技術(shù)在工業(yè)、消費(fèi)、通信和汽車等越來(lái)越多的商業(yè)應(yīng)用中獲得了顯著的發(fā)展。這些應(yīng)用都利用了該技術(shù)的精確定位和位置跟...
2024-08-13
頻率控制 UWB應(yīng)用
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開(kāi)關(guān)模式電源問(wèn)題分析及其糾正措施：電感器不符合規(guī)格要求
本文是系列文章中的第一篇，該系列文章將討論常見(jiàn)的開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)的設(shè)計(jì)問(wèn)題及其糾正方案。本文旨在解決DC-DC開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器的功率級(jí)設(shè)計(jì)中面臨的復(fù)雜難題，重點(diǎn)分析電感問(wèn)題。設(shè)計(jì)人員為了獲得各種優(yōu)勢(shì)，例如減少輸出紋波和盡量縮減解決方案尺寸，往往會(huì)選擇超出推薦范圍的電感值。
2024-08-13
開(kāi)關(guān)模式電源 電感器
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橋式整流器好用 但這一點(diǎn)要特別注意！
橋式整流器 是一種由四個(gè)二極管組成的橋式配置，可將交流輸入轉(zhuǎn)換為直流輸出。橋式整流器從雙線交流輸入提供全波整流，與具有中心抽頭次級(jí)繞組的變壓器的3線輸入的整流器相比，成本和重量更低。本文介紹了橋式整流器工作原理與電路圖，并介紹了相關(guān)產(chǎn)品。
2024-08-13
橋式整流器
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什么是S參數(shù)？
S參數(shù)量化了RF能量是如何通過(guò)系統(tǒng)傳播的，因而包含有關(guān)其基本特征的信息。使用S參數(shù)可以將最復(fù)雜的RF器件表示為簡(jiǎn)單的N端口網(wǎng)絡(luò)。圖1顯示了一個(gè)雙端口未平衡網(wǎng)絡(luò)的例子，該網(wǎng)絡(luò)可用于表示許多標(biāo)準(zhǔn)RF元件，例如RF放大器、濾波器或衰減器等。
2024-08-09
S參數(shù)
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先進(jìn)封裝下的芯粒間高速互聯(lián)接口設(shè)計(jì)思考
近年來(lái)，隨著AIGC的發(fā)展，生產(chǎn)力的生成方式、產(chǎn)品形態(tài)都在發(fā)生重大的變化。計(jì)算規(guī)模和模型規(guī)模的不斷增大，尤其是大模型的出現(xiàn)和廣泛應(yīng)用對(duì)算力的需求呈現(xiàn)出爆發(fā)式的增長(zhǎng)。這一系列的變化對(duì)計(jì)算架構(gòu)提出了新的挑戰(zhàn)，首先是系統(tǒng)規(guī)模越來(lái)越大，系統(tǒng)結(jié)構(gòu)越來(lái)越復(fù)雜；其次計(jì)算形態(tài)的變革，傳統(tǒng)的計(jì)算形...
2024-08-08
先進(jìn)封裝 互聯(lián)接口設(shè)計(jì)
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做3D感測(cè)系統(tǒng)設(shè)計(jì)難？試試3D 霍爾效應(yīng)傳感器！
本文將回顧 3D 霍爾效應(yīng)位置傳感器的基本原理，介紹這種傳感器在機(jī)器人、篡改檢測(cè)、人機(jī)接口控制和萬(wàn)向電機(jī)系統(tǒng)中的應(yīng)用。然后以 Texas Instruments 的高精度、線性 3D 霍爾效應(yīng)位置傳感器為例，介紹相關(guān)的評(píng)估板及其應(yīng)用指導(dǎo)，從而加快開(kāi)發(fā)進(jìn)程。如果您對(duì)3D霍爾效應(yīng)傳感器感興趣，歡迎閱讀，相信這...
2024-08-07
3D感測(cè)系統(tǒng) 3D 霍爾效應(yīng)傳感器
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要降本增效還要更可靠！能源基礎(chǔ)設(shè)施升級(jí)靠它們了！
本文簡(jiǎn)要回顧了與經(jīng)典的硅 (Si) 方案相比，SiC技術(shù)是如何提高效率和可靠性并降低成本的。然后在介紹 onsemi 的幾個(gè)實(shí)際案例之前，先探討了 SiC 的封裝和系統(tǒng)集成選項(xiàng)，并展示了設(shè)計(jì)人員該如何最好地應(yīng)用它們來(lái)優(yōu)化 SiC 功率 MOSFET 和柵極驅(qū)動(dòng)器性能，以應(yīng)對(duì)能源基礎(chǔ)設(shè)施的挑戰(zhàn)。
2024-08-07
能源基礎(chǔ)設(shè)施 硅 SiC技術(shù)
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半導(dǎo)體參數(shù)分析儀的FFT分析
傅立葉分析可以將時(shí)域信號(hào)與頻域信號(hào)進(jìn)行轉(zhuǎn)換?？焖俑盗⑷~變換（FFT）計(jì)算在獲取時(shí)間相關(guān)的直流信號(hào)（如電流、電壓）并將其轉(zhuǎn)換為頻率和基于交流的參數(shù)，如電流譜密度、1/f噪聲、熱噪聲和交流阻抗）時(shí)非常有用。源測(cè)量單元 （SMU）和脈沖測(cè)量單元（PMU）是4200A-SCS參數(shù)分析儀的模塊，用于在時(shí)域測(cè)...
2024-08-07
半導(dǎo)體 參數(shù) 分析儀 FFT分析 參數(shù)分析儀 半導(dǎo)體參數(shù)
- 授權(quán)代理商貿(mào)澤電子供應(yīng)Same Sky多樣化電子元器件
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