【導(dǎo)讀】雙向可控硅憑借僅使一個(gè)觸發(fā)器就能夠觸發(fā)的優(yōu)勢，成為目前理想且實(shí)用的交流開關(guān)器件。隨著雙向可控硅在電子電路中的應(yīng)用逐漸增多，雙向可控硅的原理和應(yīng)用也逐漸受到關(guān)注。本文就詳細(xì)介紹了雙向可控硅導(dǎo)通的設(shè)計(jì)準(zhǔn)則。
導(dǎo)通
1.高IGT：需要高峰值IG。
2.由IG觸發(fā)到負(fù)載電流開始流動(dòng)，兩者之間遲后時(shí)間較長：要求IG維持較長時(shí)間。
3.低得多的dIT/dt承受能力：若控制負(fù)載具有高dI/dt值（例如白熾燈的冷燈絲），門極可能發(fā)生強(qiáng)烈退化。
4.高IL值（1-工況亦如此）：對于很小的負(fù)載，若在電源半周起始點(diǎn)導(dǎo)通，可能需要較長時(shí)間的IG，才能讓負(fù)載電流達(dá)到較高的IL。在標(biāo)準(zhǔn)的AC相位控制電路中，如燈具調(diào)光器和家用電器轉(zhuǎn)速控制，門極和MT2的極性始終不變。這表明，工況總是在1+和3-象限，這里雙向可控硅的切換參數(shù)相同。這導(dǎo)致對稱的雙向可控硅切換，門極此時(shí)最靈敏。
說明：以1+、1-、3-和3+標(biāo)志四個(gè)觸發(fā)象限，完全是為了簡便，例如用1+取代“MT2+，G+”等等。這是從雙向可控硅的V/I特性圖導(dǎo)出的代號。正的MT2相應(yīng)正電流進(jìn)入MT2，相反也是（見圖3）。實(shí)際上，工況只能存在1和3象限中。上標(biāo)+和-分別表示門極輸入或輸出電流。
將上述內(nèi)容進(jìn)行精華總結(jié)，就是本文中想要向大家傳達(dá)的，雙向可控硅中導(dǎo)通的關(guān)鍵準(zhǔn)則：設(shè)計(jì)雙向可控硅觸發(fā)電路時(shí)，只要有可能，就要避開3+象限（WT2-，G+）。
本文針對雙向可控硅應(yīng)用中關(guān)于導(dǎo)通方面的內(nèi)容進(jìn)行精華總結(jié)，給出言簡意賅總結(jié)內(nèi)容的同時(shí)，還將規(guī)則的由來與原理進(jìn)行了講解，方便讀者理解。在進(jìn)行雙向可控硅設(shè)計(jì)之前不妨花上幾分鐘來閱讀本文，詳細(xì)一定會(huì)有意想不到的收獲。
相關(guān)閱讀：
可控硅整流器必須要哪些保護(hù)措施，你知道嗎？
深度剖析：雙向可控硅基礎(chǔ)之過零檢測與波形
支高招：可控硅調(diào)光的噪聲抑制方法
