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可控硅整流器必須要哪些保護(hù)措施,你知道嗎?

發(fā)布時(shí)間:2015-12-16 責(zé)任編輯:sherry

【導(dǎo)讀】盡管可控硅本身在選擇時(shí)就已準(zhǔn)備了很大的電流電壓裕量,然而為了使它的工作穩(wěn)定性更加出色,工程師在使用這一元件進(jìn)行電路設(shè)計(jì)時(shí),還必須為其加上各種保護(hù)。在今天的文章中,我們將會(huì)就可控硅整流器的保護(hù)措施,進(jìn)行簡(jiǎn)要介紹。
 
可控硅整流器在工作時(shí)的可靠性和持續(xù)穩(wěn)定性,離不開(kāi)各項(xiàng)保護(hù)措施的有效設(shè)置。盡管可控硅本身在選擇時(shí)就已準(zhǔn)備了很大的電流電壓裕量,然而為了使它的工作穩(wěn)定性更加出色,工程師在使用這一元件進(jìn)行電路設(shè)計(jì)時(shí),還必須為其加上各種保護(hù)。

晶閘管關(guān)斷過(guò)電壓保護(hù)
 
在可控硅整流器的正常工作過(guò)程中,晶閘管關(guān)斷過(guò)電壓保護(hù)措施的設(shè)置,是保證整流器安全運(yùn)行的重要保障。由于晶閘管在導(dǎo)通期間,載流子充滿(mǎn)元件內(nèi)部,在可控硅的關(guān)斷過(guò)程中,管子在反向作用下,正向電流下降到零時(shí),元件內(nèi)部殘存著載流子。這些載流子在反向電壓作用下瞬時(shí)出現(xiàn)較大的反向電流,使殘存的載流子迅速消失,這時(shí)反向電流減小,這也就意味著diG/dt極大,由此所產(chǎn)生的感應(yīng)電勢(shì)很大,這個(gè)電勢(shì)與電源串聯(lián),反向加在已恢復(fù)阻斷的元件上,可導(dǎo)致晶閘管反向擊穿。這就是關(guān)斷過(guò)電壓。數(shù)值可達(dá)工作電壓的5到6倍。保護(hù)措施:在晶閘管兩端并接阻容吸收電路。

交流側(cè)過(guò)電壓保護(hù)
 
除了晶閘管關(guān)斷過(guò)電壓保護(hù)措施之外,可控硅整流器的交流側(cè)過(guò)電壓保護(hù)也同樣是必不可少的。在電路系統(tǒng)的設(shè)計(jì)過(guò)程中,由于交流側(cè)電路在接通或斷開(kāi)時(shí)出現(xiàn)暫態(tài)過(guò)程,因此會(huì)產(chǎn)生操作過(guò)電壓。高壓合閘的瞬間,由于初次級(jí)之間存在分布電容,初級(jí)高壓經(jīng)電容耦合到次級(jí),出現(xiàn)瞬時(shí)過(guò)電壓,而這種瞬時(shí)過(guò)電壓對(duì)整流器的危害是相當(dāng)大的。想要對(duì)瞬時(shí)過(guò)電壓進(jìn)行控制,并保障可控硅整流器的安全工作,工程師可以選擇在三相變壓器次級(jí)星形中點(diǎn)與地之間并聯(lián)適當(dāng)電容,這種設(shè)置能夠顯著減小這種過(guò)電壓。
 
直流側(cè)過(guò)電壓保護(hù)
 
可控硅整流器的直流側(cè)過(guò)電壓保護(hù)措施,也同樣是非常重要的。當(dāng)負(fù)載斷開(kāi)時(shí)或快熔斷時(shí),儲(chǔ)存在變壓器中的磁場(chǎng)能量會(huì)產(chǎn)生過(guò)電壓,顯然在交流側(cè)阻容吸收保護(hù)電路可以抑制這種過(guò)電壓,但由于變壓器過(guò)載時(shí)儲(chǔ)存的能量比空載時(shí)要大,還不能完全消除。想要對(duì)直流側(cè)過(guò)電壓進(jìn)行抑制,目前工程師們常用的方法是使用壓敏吸收進(jìn)行保護(hù)。除此之外,整流器的過(guò)電流保護(hù)也同樣是需要工程師進(jìn)行逐一的,通常情況下的做法是添加快速熔斷器進(jìn)行保護(hù),實(shí)際上它不能保護(hù)可控硅,而是保護(hù)變壓器線(xiàn)圈。
 
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