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IGBT柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì),關(guān)鍵元件該怎么選?

發(fā)布時(shí)間:2022-10-12 責(zé)任編輯:lina

【導(dǎo)讀】柵極驅(qū)動(dòng)中最關(guān)鍵的時(shí)刻是IGBT的開啟和關(guān)閉。我們的目標(biāo)是快速執(zhí)行此功能,在IGBT開啟時(shí)噪音和振鈴最小。不過(guò),上升/下降時(shí)間過(guò)快可能會(huì)導(dǎo)致不必要的振鈴和不良EMI,而上升/下降時(shí)間過(guò)慢會(huì)增加IGBT的開關(guān)損耗。


柵極驅(qū)動(dòng)中最關(guān)鍵的時(shí)刻是IGBT的開啟和關(guān)閉。我們的目標(biāo)是快速執(zhí)行此功能,在IGBT開啟時(shí)噪音和振鈴最小。不過(guò),上升/下降時(shí)間過(guò)快可能會(huì)導(dǎo)致不必要的振鈴和不良EMI,而上升/下降時(shí)間過(guò)慢會(huì)增加IGBT的開關(guān)損耗。


IGBT柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì),關(guān)鍵元件該怎么選?

圖1:DGD0216 的柵極驅(qū)動(dòng)組件


上圖展示的是來(lái)自Diodes的DGD0216柵極驅(qū)動(dòng)器組件。通過(guò)仔細(xì)選擇RG和RRG,可以有選擇地控制IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器的上升和下降時(shí)間。開啟時(shí),所有電流將通過(guò)RG流過(guò)IC,并對(duì)IGBT柵極電容充電,因此增加或減少RG將相應(yīng)地增加或減少應(yīng)用中的上升時(shí)間。隨著DRG的添加,下降時(shí)間可以獨(dú)立控制,因?yàn)殛P(guān)斷電流從IGBT柵極電容通過(guò)RRG和DRG流向集成電路中的驅(qū)動(dòng)器到GND。因此,增加或減少RRG將相應(yīng)地增加或減少下降時(shí)間。有時(shí)不需要這種精細(xì)控制,在這種情況下,您可以只使用RG。


增加導(dǎo)通和關(guān)斷可以限制由寄生電感引起的振鈴和噪聲,因此在噪聲環(huán)境中,可能需要增加?xùn)艠O電阻。柵極元件的選擇是一個(gè)折衷方案,即一方面,上升時(shí)間越快,振鈴越多,電磁干擾越差,但效率越高;而另一方面,上升時(shí)間越慢,電磁干擾和噪聲性能越好,而效率越差。


柵極元件的精確值取決于應(yīng)用程序的參數(shù)和系統(tǒng)要求。RG值通常在5Ω到50Ω之間,最佳值由IGBT柵極電容和柵極驅(qū)動(dòng)器的驅(qū)動(dòng)電流決定。RRG值通常在3Ω和20Ω之間,最佳值由IGBT柵極電容和柵極驅(qū)動(dòng)器的驅(qū)動(dòng)電流決定。


更多有關(guān)晶體管的技術(shù)信息, 參見(jiàn)digikey.cn以下內(nèi)容:


· 晶體三級(jí)管基礎(chǔ)

· 并聯(lián)雙極型晶體管

· 如何尋找BJT、MOSFET和IGBT晶體管的替代物料

· 如何確定元件是否具有極性

· 快速計(jì)算BJT額定功率?記住這個(gè)公式就夠了

(來(lái)源:得捷電子DigiKey ,作者Digi-Key)



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