【導讀】在今年于德國紐倫堡舉行的歐洲電力電子展（以下簡稱PCIM Europe）這場業(yè)界年度盛會期間（6月11日至13日），羅姆將展示功率半導體新解決方案，尤其是寬帶隙器件。羅姆豐富的SiC、Si和GaN系列產(chǎn)品組合旨在滿足各個應用領域的需求，尤其是電動汽車領域和電源應用領域。遵循“賦能增長，推動創(chuàng)新”的理念，羅姆始終持續(xù)用技術促進可持續(xù)發(fā)展，解決社會和生態(tài)所面臨的各種問題。
~展示高效的EcoGaN? 和SiC電源解決方案~
在今年于德國紐倫堡舉行的歐洲電力電子展（以下簡稱PCIM Europe）這場業(yè)界年度盛會期間（6月11日至13日），羅姆將展示功率半導體新解決方案，尤其是寬帶隙器件。羅姆豐富的SiC、Si和GaN系列產(chǎn)品組合旨在滿足各個應用領域的需求，尤其是電動汽車領域和電源應用領域。遵循“賦能增長，推動創(chuàng)新”的理念，羅姆始終持續(xù)用技術促進可持續(xù)發(fā)展，解決社會和生態(tài)所面臨的各種問題。
（展位號：9號館304）
羅姆在9號館304展位上展示的產(chǎn)品和產(chǎn)品亮點如下：
SiC（碳化硅）：
作為SiC行業(yè)佼佼者，羅姆將在PCIM Europe 2024上首次推出其適用于汽車應用的新型SiC功率模塊。除此之外，羅姆還將展示生產(chǎn)工藝向8英寸SiC晶圓工藝的轉換，并探討有關SiC產(chǎn)品的未來發(fā)展方向。羅姆的第4代SiC MOSFET實現(xiàn)了業(yè)界超低的導通電阻，能夠更大程度地降低開關損耗，并支持15V和18V柵源電壓。
GaN（氮化鎵）：
羅姆會通過多個評估套件展示EcoGaN?系列150V和650V級的GaN HEMT。Power Stage IC BM3G0xxMUV-LB（包含內置650V GaN HEMT和柵極驅動器）能夠實現(xiàn)集成度更高、體積更小的PFC和QR（準諧振）反激轉換器。這些器件能為各種需要高功率密度和效率的電子系統(tǒng)提供更佳解決方案。羅姆還將展示十余種EcoGaN?系列產(chǎn)品的相關電路板以及它們在工業(yè)解決方案中的貢獻。
展會期間，羅姆的電源專家將參加多個小組討論，并會發(fā)表多次會議演講。此外，他們還將在此次展會上展示相關海報。
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