DRAMless并非永遠(yuǎn)代表低預(yù)算
發(fā)布時(shí)間:2020-02-13 責(zé)任編輯:lina
【導(dǎo)讀】閃存控制器的設(shè)計(jì)要么具有外部 DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存)接口,要么就沒有具備。一旦部署在其應(yīng)用程序中,像是SSD和其他閃存設(shè)備(如USB磁盤驅(qū)動(dòng)器)中,具有DRAM的設(shè)備通常可以提供較高的性能。這通常是隨機(jī)性能。
除了設(shè)計(jì)沒有DRAM的SSD或USB磁盤驅(qū)動(dòng)器的成本外,還有其他原因。
閃存控制器的設(shè)計(jì)要么具有外部 DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存)接口,要么就沒有具備。一旦部署在其應(yīng)用程序中,像是SSD和其他閃存設(shè)備(如USB磁盤驅(qū)動(dòng)器)中,具有DRAM的設(shè)備通??梢蕴峁┹^高的性能。這通常是隨機(jī)性能。這些性能優(yōu)勢(shì)是在線社群的常見主題,他們進(jìn)入基準(zhǔn)檢驗(yàn),要求提供最佳的一流性能。這導(dǎo)致了一個(gè)總體誤解,認(rèn)為沒有DRAM的SSD是一種低成本解決方案,因?yàn)檩^低的成本明顯是存儲(chǔ)系統(tǒng)中不使用DRAM的一大原因。這符合"多付多拿,少付少拿"此一簡(jiǎn)單論點(diǎn)。在消費(fèi)市場(chǎng),DRAMless解決方案被公認(rèn)為次等產(chǎn)品,但許多人不知道的是,情況并非總是如此。
在消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品中,沒有DRAM的SSD可能是次等選項(xiàng)。然而,在工業(yè)領(lǐng)域,DRAMless則完全是另一碼事,因?yàn)楣拘枰叩目煽啃运?。此外,還需注意外部DRAM可能比并入控制器本身的SRAM更便宜。On-chip SRAM成本高,但與off-chip DRAM相比具有某些優(yōu)勢(shì)。在Hyperstone,我們經(jīng)常被問到為什么我們的控制器是DRAMless。事實(shí)上,這是為實(shí)現(xiàn)更高可靠性所做的決定。DRAMless閃存控制器的可靠性通過幾個(gè)方面得到提升,其中一點(diǎn)像較少組件一樣簡(jiǎn)單容易失敗,或引出錯(cuò)誤的較少組件,最終可能會(huì)導(dǎo)致問題??刂破骷夹g(shù)是復(fù)雜的,我們用更少的技術(shù)實(shí)現(xiàn)越多本身就是一項(xiàng)壯舉。
電源故障時(shí)的DRAM
為了理解為什么DRAM對(duì)可靠性沒有好處,我們必須了解它有什么功能。將DRAM加到閃存控制器可提高整體性能。但是,為此,它會(huì)存儲(chǔ)映射表的某些部分,其中閃存控制器將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在DRAM中的數(shù)據(jù)。如果發(fā)生電源故障,此時(shí)存儲(chǔ)在DRAM中的所有內(nèi)容都將遺失,從而導(dǎo)致寶貴的映像數(shù)據(jù)遺失。由于設(shè)計(jì)上,具備DRAM 的閃存控制器更容易受到影響。與NAND閃存單元不同,DRAM在電源切斷后不會(huì)繼續(xù)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。在工業(yè)環(huán)境中,一流的電源故障管理對(duì)于確保寶貴的網(wǎng)絡(luò)和自動(dòng)化數(shù)據(jù)不受危害至關(guān)重要。由于電源故障本質(zhì)上是意外的,因此在編寫、讀取、消除、映射更新和后臺(tái)固件操作等一系列過程中都有可能會(huì)發(fā)生。強(qiáng)大的電源故障管理的目標(biāo)是避免在意外斷電、電壓電源差異過大或熱插入的情況下?lián)p壞數(shù)據(jù)和設(shè)備故障。Hyperstone的閃存控制器沒有DRAM,將映射表專門存儲(chǔ)在閃存上,當(dāng)關(guān)閉電源時(shí)不會(huì)遺失數(shù)據(jù)。因此,在發(fā)生電源故障時(shí),不可能損壞映射表。
使用具有DRAM的閃存控制器,通過附加電容器將數(shù)據(jù)寫入閃存的時(shí)間延長(zhǎng)到耗盡電源為止,因此在配備DRAM的閃存控制器的SSD固態(tài)硬盤中,可以實(shí)現(xiàn)更強(qiáng)的電源故障穩(wěn)健性。這在某種程度上減輕了問題,但還不是完全緩解。最終,這是一個(gè)權(quán)衡,必須權(quán)衡可靠性和性能需求,以實(shí)現(xiàn)理想的解決方案。
Hyperstone閃存控制器為了在斷電時(shí)保護(hù)數(shù)據(jù),利用多種算法。藉由將DRAM從方程中刪除,Hyperstone控制器可確保系統(tǒng)在發(fā)生電源故障時(shí)保持其數(shù)據(jù)完整性的可能性大大增加。在設(shè)計(jì)存儲(chǔ)系統(tǒng)時(shí)了解這些流程是非常寶貴的,尤其是在與您的記憶卡制造商討論選擇時(shí)或是直接采購(gòu)閃存控制器時(shí)。
DRAM如何影響功耗?
DRAM需要電源來提高SSD固態(tài)硬盤和其他存儲(chǔ)裝置的性能。在消費(fèi)市場(chǎng),性能是引導(dǎo)設(shè)計(jì)決策有利于使用DRAM的閃存控制器的重點(diǎn)項(xiàng)目。對(duì)于在工業(yè)領(lǐng)域運(yùn)行的 SSD固態(tài)硬盤和其他存儲(chǔ)裝置,低功耗和尤其是可靠性更是實(shí)現(xiàn)可持續(xù)性、更有利益的供應(yīng)鏈不可或缺的一部分。這就是為什么DRAMless閃存控制器更適用于提供工業(yè)領(lǐng)域服務(wù)的原因。
閃存控制器是否應(yīng)具有DRAM,很大程度上取決于您為哪一類行業(yè)所制造或購(gòu)買。對(duì)于消費(fèi)類應(yīng)用,在閃存控制器中加入DRAM可提高性能、高效地緩存數(shù)據(jù),最終并延長(zhǎng)產(chǎn)品的使用壽命。工業(yè)領(lǐng)域則還有其他要求。雖然性能很重要,但產(chǎn)品認(rèn)證成本很高,降低任何特定產(chǎn)品的物料列表是設(shè)計(jì)過程中的關(guān)鍵。DRAMless閃存控制器可降低問題風(fēng)險(xiǎn),在設(shè)計(jì)基于NAND閃存的存儲(chǔ)解決方案時(shí)至關(guān)重要,可靠性和低功耗是必須的。
(作者:Lena Harman)
特別推薦
- 授權(quán)代理商貿(mào)澤電子供應(yīng)Same Sky多樣化電子元器件
- 使用合適的窗口電壓監(jiān)控器優(yōu)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)
- ADI電機(jī)運(yùn)動(dòng)控制解決方案 驅(qū)動(dòng)智能運(yùn)動(dòng)新時(shí)代
- 倍福推出采用 TwinSAFE SC 技術(shù)的 EtherCAT 端子模塊 EL3453-0090
- TDK推出新的X系列環(huán)保型SMD壓敏電阻
- Vishay 推出新款采用0102、0204和 0207封裝的精密薄膜MELF電阻
- Microchip推出新款交鑰匙電容式觸摸控制器產(chǎn)品 MTCH2120
技術(shù)文章更多>>
- 意法半導(dǎo)體推出首款超低功耗生物傳感器,成為眾多新型應(yīng)用的核心所在
- 是否存在有關(guān) PCB 走線電感的經(jīng)驗(yàn)法則?
- 智能電池傳感器的兩大關(guān)鍵部件: 車規(guī)級(jí)分流器以及匹配的評(píng)估板
- Quobly與意法半導(dǎo)體攜手, 加快量子處理器制造進(jìn)程,實(shí)現(xiàn)大型量子計(jì)算解決方案
- DigiKey和MediaTek強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合,開啟物聯(lián)網(wǎng)邊緣AI和連接功能新篇章
技術(shù)白皮書下載更多>>
- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動(dòng)避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車模塊拋負(fù)載的解決方案
- 車用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
熱門搜索