【導(dǎo)讀】去耦電容是電路中裝設(shè)在元件的電源端的電容，此電容可以提供較穩(wěn)定的電源，同時(shí)也可以降低元件耦合到電源端的噪聲，間接可以減少其他元件受此元件噪聲的影響。今天聊聊有意思的去耦電容的擺放設(shè)計(jì)。先來(lái)看看Bypass和decoupling充滿(mǎn)畫(huà)面感的區(qū)別。請(qǐng)看圖。
從遠(yuǎn)處而來(lái)的信號(hào)（不一定是有用信號(hào)）經(jīng)過(guò)電容濾波，這時(shí)候的電容所起到的作用，起了一個(gè)好聽(tīng)的名字，叫Bypass;
從源段輸出去的信號(hào)經(jīng)過(guò)的濾波電容，這個(gè)電容叫decoupling;
EN,蠻有想像力的。
在低頻場(chǎng)合，許多人根本就不關(guān)心EMC，上次一個(gè)朋友說(shuō)，你說(shuō)那么多高速的東西，可我做電力的，用不上呀，聽(tīng)起來(lái)好像是我不好，我應(yīng)該多顧及一下他聽(tīng)課的感受。不過(guò)，這個(gè)時(shí)代是高速的時(shí)候代，DDR4都3200了，你還窩在50/60Hz，是不是該多充充電了。
同樣，低頻場(chǎng)合，許多EMC設(shè)計(jì)規(guī)則都是看不見(jiàn)的。在高頻場(chǎng)合，許多細(xì)節(jié)就需要關(guān)心了，一不小心就一堆EMC問(wèn)題。比如今天要聊的電容的擺放。
圖例1是最常見(jiàn)的做法，VDD和GND PIN腳拉出來(lái)，并上電容，再打孔到各自的層?？雌饋?lái)好像是沒(méi)啥問(wèn)題。
圖例2是把過(guò)孔打在了的出來(lái)的兩根線上，這個(gè)好像也有好多人做呀。
圖例3，把回流的GND線打斷了，GND的腳和去耦電容的GND直接打到了GND平面上，介個(gè)，介個(gè)，想法有點(diǎn)另類(lèi)，貌似好像不錯(cuò)的樣子。
圖例4就更歷害了，VDD和GND兩個(gè)直接打孔到對(duì)應(yīng)的平面，在附近的位置打孔上來(lái)再放一顆去耦電容。完美！
四個(gè)圖放完之后，有沒(méi)有發(fā)現(xiàn)什么好玩的地方。仔細(xì)想想，哪種擺放最好？是基于什么考慮的？
圖例1和圖例2有一個(gè)去耦電容組成的小小環(huán)路。
圖例3稍好一些，環(huán)路較前兩者更小一些。
圖例4霸氣側(cè)漏，幾乎是最小環(huán)路了。
其實(shí)這篇有點(diǎn)接昨天的Return Path的味道。細(xì)微之處顯功夫，對(duì)于環(huán)路的控制，EMC工程師需要練就火眼金睛，才能在未來(lái)的整改中省下必要的時(shí)間成本。
以上內(nèi)容轉(zhuǎn)載自電磁兼容小小家。
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