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MOSFET性能改進(jìn)：RDS(ON)的決定因素
許多中高壓MOSFET（250V及以上）具有平面MOS（π-MOS）結(jié)構(gòu)，而小于200V的產(chǎn)品大多具有溝槽MOS（U-MOS）結(jié)構(gòu)。因此，當(dāng)耐受電壓VDSS＝600V時(shí)，Rdrift成為主導(dǎo)因素，當(dāng)耐受電壓是30V時(shí)，因素Rch的比例較高。
2021-11-29
MOSFET RDS
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移動(dòng)設(shè)備的 ESD 設(shè)計(jì)戰(zhàn)略：您的 SEED 工具
我們在第 1 部分介紹了 ESD 的基本概念以及系統(tǒng)高效 ESD 設(shè)計(jì) (SEED)。本博客將為您介紹 SEED 工具箱中所有必要的部分。第 3 部分將介紹如何將 SEED 方法及建模和模擬一起用于優(yōu)化系統(tǒng)級手機(jī)設(shè)計(jì)。
2021-11-29
移動(dòng)設(shè)備 ESD 設(shè)計(jì)戰(zhàn)略
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做好準(zhǔn)備：關(guān)于 ESD 和 RF 設(shè)備您需要了解什么
靜電放電 (ESD) 現(xiàn)象從一開始就存在。我們第一次接觸 ESD 往往是在孩童時(shí)代，在干燥的冬日觸碰金屬門把手時(shí)，會(huì)有種觸電的感覺——這就是靜電放電。這種短暫的不適感通常對人類來說不是問題，但是即使是少量的 ESD 也有可能會(huì)損毀敏感電路。
2021-11-29
ESD RF設(shè)備
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重負(fù)載時(shí)中開關(guān)元件工作相關(guān)的注意事項(xiàng)
在重負(fù)載時(shí)，如果MOSFET的體二極管的反向恢復(fù)時(shí)間trr較長，且有電流殘留，則在超前臂的MOSFET關(guān)斷時(shí)，寄生雙極晶體管可能會(huì)誤導(dǎo)通，從而損壞MOSFET。這種問題發(fā)生在由關(guān)斷時(shí)產(chǎn)生的對漏源電容CDS的充電電流而使寄生雙極晶體管自發(fā)地導(dǎo)通（誤導(dǎo)通）、瞬間流過大電流時(shí)。
2021-11-29
重負(fù)載 開關(guān)元件 注意事項(xiàng)
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IGBT的電流是如何定義的
IGBT的電流是器件基本參數(shù)之一，顯而易見FS450R12KE4就是450A 1200V IGBT模塊。這樣的理解對于日常工作交流來說是足夠了，但對于一位設(shè)計(jì)工程師是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠的，而且業(yè)內(nèi)充滿著誤解和流言。
2021-11-29
IGBT 輸出電流 定義
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如何使用數(shù)字信號控制器構(gòu)建更好的汽車和電動(dòng)汽車系統(tǒng)
傳統(tǒng)的汽車和電動(dòng)汽車系統(tǒng)都依賴于無數(shù)電子設(shè)備的有效運(yùn)行，以實(shí)現(xiàn)便利功能以及關(guān)鍵任務(wù)功能安全功能。雖然提出了各種各樣的要求，但這些不同的應(yīng)用從根本上要求能夠在極端條件下運(yùn)行，同時(shí)提供可靠、高性能的實(shí)時(shí)響應(yīng)。
2021-11-26
數(shù)字信號控制器 汽車系統(tǒng) 電動(dòng)汽車系統(tǒng)
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了解 3 種靜態(tài)電流 (IQ) 的規(guī)格
靜態(tài)電流 (IQ) 通常定義為集成電路 (IC) 在空載和非開關(guān)但啟用狀態(tài)下消耗的電流。廣義上，靜態(tài)電流是 IC 在任何超低功耗狀態(tài)下消耗的輸入電流，這一定義更有助于我們理解靜態(tài)電流的內(nèi)涵。
2021-11-26
靜態(tài)電流 IQ
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