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Si8461DB/5DB系列:Vishay推出業(yè)界最小的芯片級(jí)MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出兩款MICRO FOOT功率MOSFET--- Si8461DB和Si8465DB,最大尺寸為1mm x 1 mm x 0.548mm,是迄今為止業(yè)界最小的芯片級(jí)功率MOSFET。
2009-11-06
Vishay Si8461DB Si8465DB 芯片級(jí)MOSFET
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威瑯電氣提供用在薄膜太陽(yáng)能板上的接線盒
薄膜型太陽(yáng)電池相較于結(jié)晶硅太陽(yáng)電池,其僅需要一層極薄的光電材料,因此其所使用材料量也相對(duì)較低;另外,薄膜的基板可使用軟性或硬性的基材,可選擇的應(yīng)用彈性高,雖說(shuō)目前制作成本仍高于結(jié)晶硅太陽(yáng)電池約30~40%,不過(guò),硅材短缺議題,卻促進(jìn)其技術(shù)發(fā)展的度,未來(lái)待技術(shù)發(fā)展成熟,應(yīng)用的領(lǐng)域則將更為寬廣。
2009-11-06
威瑯 薄膜太陽(yáng)能板 接線盒
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高可靠性多層陶瓷電容器產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目建成
高可靠性多層陶瓷電容器產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目建成
2009-11-06
陶瓷電容器 高可靠性 江南高新產(chǎn)業(yè)園
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MEMS告別平淡,2010年將迎來(lái)強(qiáng)勁增長(zhǎng)
Yole在新發(fā)表的MEMS產(chǎn)業(yè)報(bào)告中指出,該市場(chǎng)在07、08年的營(yíng)收規(guī)模分別為71億美元與68億美元,估計(jì)在09年為69億美元。不過(guò)預(yù)測(cè)MEMS市場(chǎng)可在2010~2014年之間維持12%的年復(fù)合成長(zhǎng)率。
2009-11-06
MEMS 微機(jī)電系統(tǒng) MEMS振蕩器 雙軸陀螺儀
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FCI發(fā)布安全氣囊連接器最新技術(shù)——AK2+ ESD點(diǎn)火管
“新型AK2+ ESD連接器解決方案是FCI與大眾/奧迪(VW/Audi)共同努力的結(jié)晶,計(jì)劃于2010年初夏首次應(yīng)用于大眾汽車(chē)的一款車(chē)型。作為安全防護(hù)系統(tǒng)(SRS)的領(lǐng)導(dǎo)者,F(xiàn)CI機(jī)動(dòng)車(chē)事業(yè)部一直用心聆聽(tīng)客戶的需求?!必?fù)責(zé)FCI機(jī)動(dòng)車(chē)事業(yè)部業(yè)務(wù)線SRS/高端電纜組件(HECA)的全球銷(xiāo)售&營(yíng)銷(xiāo)總裁Marcus Wierer說(shuō)道
2009-11-06
FCI 安全氣囊 連接器 AK2+ ESD 點(diǎn)火管
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TDK:詳解MLCC技術(shù)及材料未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)
隨著半導(dǎo)體集成技術(shù)的發(fā)展,IC的集成度越來(lái)越高,線路板表面上元器件的使用日趨減少。不過(guò)隨著各種電子設(shè)備功能的增加、半導(dǎo)體器件的高速化低功耗(低電壓驅(qū)動(dòng))趨勢(shì)、電子模塊的小型化及接口數(shù)增加,勢(shì)必會(huì)引起電子回路的電磁干擾,為了使電子線路能正常穩(wěn)定地工作,就需要增加外圍元件來(lái)消除電磁噪...
2009-11-06
TDK MLCC 陶瓷貼片電容
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全球經(jīng)濟(jì)放緩 電子廠進(jìn)軍個(gè)人健康設(shè)備市場(chǎng)
目前中國(guó)制造的個(gè)人健康狀況電子監(jiān)測(cè)設(shè)備主要包括電子秤、人體脂肪分析儀、電子體溫計(jì)、血壓計(jì)和心率監(jiān)測(cè)儀等。2008年,僅血壓計(jì)和個(gè)人電子秤的出貨量就超過(guò)了1.12億個(gè),約占出口保健與個(gè)人護(hù)理產(chǎn)品的五分之一,銷(xiāo)售收入為7.45億美元,主要銷(xiāo)往歐盟。與2007年的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)相比,銷(xiāo)售數(shù)量下降了4%,但...
2009-11-06
醫(yī)療電子 電子秤 人體脂肪分析儀 健康監(jiān)測(cè)設(shè)備
- 利用運(yùn)動(dòng)喚醒功能優(yōu)化視覺(jué)系統(tǒng)的功耗
- 宜普電源轉(zhuǎn)換公司勝訴,美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)終裁確認(rèn)英諾賽科侵權(quán)
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