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開(kāi)啟大功率無(wú)線充電新時(shí)代
無(wú)線充電技術(shù)包括感應(yīng)、磁諧振、電容、射頻輻射、激光、聲波和其他新興技術(shù)。感應(yīng)耦合技術(shù)處于領(lǐng)先地位 [1]，因此，其相關(guān)標(biāo)準(zhǔn) Qi 在無(wú)線充電領(lǐng)域應(yīng)用最為廣泛。
2022-09-14
無(wú)線充電 WLC1115 發(fā)射器
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碳化硅MOS 四引腳封裝在應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)
瑞森半導(dǎo)體科技有限公司經(jīng)過(guò)多年研發(fā)，推出碳化硅MOS和SBD系列產(chǎn)品，目前已得到市場(chǎng)和客戶(hù)認(rèn)可，廣泛應(yīng)用于高端服務(wù)器電源、太陽(yáng)能逆變、UPS電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、儲(chǔ)能、充電樁等領(lǐng)域。
2022-09-14
碳化硅 MOS TO-247封裝
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深入剖析高速SiC MOSFET的開(kāi)關(guān)行為
本文探討了影響高速SiC MOSFET開(kāi)關(guān)特性的關(guān)鍵因素，包括器件特性、工作條件和外部電路；解釋了開(kāi)關(guān)損耗的主要影響因素，并確定了影響器件行為和使用的重要因素，這些因素可以顯著提升SiC MOSFET在功率電路中的開(kāi)關(guān)性能。
2022-09-13
SiC MOSFET 開(kāi)關(guān)
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巧用LC濾波器額，改善高速DAC電源相位噪聲！
對(duì)于高速DAC供電電源的選擇，LDO是久經(jīng)考驗(yàn)的穩(wěn)壓器，尤其適合用來(lái)實(shí)現(xiàn)優(yōu)質(zhì)噪聲性能。相關(guān)技術(shù)資訊，可參閱文章：選擇超低噪聲的LDO來(lái)改善相位噪聲 。
2022-09-13
LC濾波器 DAC 相位噪聲
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常見(jiàn)的觸摸開(kāi)關(guān)，你了解多少？
觸摸開(kāi)關(guān)是一種公認(rèn)的電氣開(kāi)關(guān)，與同類(lèi)機(jī)械開(kāi)關(guān)一樣通過(guò)手動(dòng)操作接通或斷開(kāi)電路。這種開(kāi)關(guān)最初在20世紀(jì)80年代初是用作鍵盤(pán)和鍵盤(pán)的薄膜或絲網(wǎng)印刷開(kāi)關(guān)的，由于其性能不盡如人意且缺乏觸覺(jué)反饋，在推廣之處遇到了阻力。然而，在20世紀(jì)80年代末，在設(shè)計(jì)中納入金屬拱頂?shù)陌姹精@得了更廣泛的普及，這要...
2022-09-13
觸摸開(kāi)關(guān) DigiKey
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如何為無(wú)線狀態(tài)監(jiān)控系統(tǒng)選擇最佳MEMS傳感器（上篇）
如今MEMS加速度計(jì)性能快速提升，擁有更低功耗、更小尺寸、更高集成度、更寬帶寬以及低于100μg/√Hz的噪聲水平等，并可基于無(wú)線解決方案代替有線系統(tǒng)，以小巧輕便的三軸模擬器件取代單軸笨重的壓電傳感器，讓經(jīng)濟(jì)高效地連續(xù)監(jiān)控暴增的機(jī)器設(shè)備成為可能。對(duì)于維護(hù)和設(shè)施工程師而言，這意味著可通過(guò)全新...
2022-09-13
無(wú)線狀態(tài)監(jiān)控 MEMS傳感器
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藍(lán)牙模塊對(duì)于電路的影響
本文討論了在實(shí)際中電子信號(hào)處理電路中可能會(huì)受到高頻電磁波干擾的情況。這些情況在普通的課堂中和教科書(shū)中往往都會(huì)被省略掉。電路中所增加的那些看似對(duì)于普通信號(hào)處理無(wú)關(guān)的外圍電阻、電容，卻在保證電路穩(wěn)定工作起到關(guān)鍵的作用。因此，遇到問(wèn)題雖然造成麻煩，但通過(guò)觀察、分析和解決，會(huì)進(jìn)一步擴(kuò)...
2022-09-09
藍(lán)牙模塊 EMIRR 原理
- 車(chē)用開(kāi)關(guān)電源的開(kāi)關(guān)頻率定多高才不影響EMC？
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- DigiKey 2024 年第三季度新增 139 家供應(yīng)商和 611,000 多種創(chuàng)新產(chǎn)品，擴(kuò)展了新產(chǎn)品陣容
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