【導讀】SiCMOSFET與SiMOSFET各有其優(yōu)勢,SiMOSFET管的輸出阻抗高,反向耐壓提高,通態(tài)電阻隨之上升,有效限制了高壓場合的應(yīng)用。SiCMOSFET管的阻斷電壓高,工作頻率高,且耐高溫,這兩種MOSFET管隔油器優(yōu)勢特點和應(yīng)用的場合,本文就詳細講述SiMOSFET管和SiCMOSFET管的性價比哪個高。
SiC與Si性能對比
簡單來說,SiC主要在以下3個方面具有明顯的優(yōu)勢為:擊穿電壓強度高(10倍于Si),更寬的能帶隙(3倍于Si),熱導率高(3倍于Si),這些特性使得SiC器件更適合應(yīng)用在高功率密度、高開關(guān)頻率的場合。
SiCMOSFET性能明顯優(yōu)于SiMOSFET
1.極其低的導通電阻RDS(ON),導致了極其優(yōu)越的正向壓降和導通損耗,更能適應(yīng)高溫環(huán)境下工作。
2.SiCMOSFET管具有SiMOSFET管的輸入特性,即相當?shù)偷臇艠O電荷,導致性能卓越的切換速率。
3.寬禁帶寬度材料,具有相當?shù)偷穆╇娏鳎苓m應(yīng)高電壓的環(huán)境應(yīng)用。
SiCMOSFET與SiMOSFET在設(shè)備中應(yīng)用對比
現(xiàn)代工業(yè)對電力電子設(shè)備提出了許多新的要求,要求體積小、功率大、發(fā)熱量小、設(shè)備輕便等。面對這些新要求,SiMOSFET一籌莫展,而SiCMOSFET就開始大顯身手了。通過對SiCMOSFET管與SiMOSFET管相關(guān)電氣參數(shù)進行比較,我們可以肯定SiCMOSFET將成為高壓高頻場合中應(yīng)用的主流器件,可謂應(yīng)用SiCMOSFET者得天下。
圖1:SiCMOSFET與SiMOSFET在設(shè)備中應(yīng)用的對比圖
低電阻特性,SiC具有低電阻特性,在同等電壓和電流等級的MOSFET中,SiCMOSFET的內(nèi)阻要幾倍小于SiMOSFET的內(nèi)阻,且SiC的模塊體積小型化,有利于增加系統(tǒng)功率密度。
高速工作特性,SiCMOSFET相對于SiMOSFET具有更高頻率的工作特性,使系統(tǒng)中的電容電感器件體積小型化,減小系統(tǒng)整體體積,同時也降低了生產(chǎn)加工成本。
高溫工作特性,SiCMOSFET比SiMOSFET更適合應(yīng)用于高溫工作環(huán)境,原因在于一方面SiCMOSFET自身損耗小,發(fā)熱量小,自身溫升相對較小,另一方面,熱導率高3倍于SiMOSFET。
圖2:SiC與Si性價比對照圖
有了以上特性對比結(jié)果,我們可以清楚的認識到SiCMOSFET性能全面優(yōu)于SiMOSFET。雖然單個SiCMOSFET價格高于SiMOSFET,
但是應(yīng)用了SiCMOSFET的系統(tǒng)設(shè)備整體價格低于應(yīng)用SiMOSFET的設(shè)備,原因在于SiCMOSFET各項優(yōu)秀性能使得設(shè)備中的電容容值減小、電感降低、散熱片面積和體積減少以及設(shè)備整體體積和成本明顯減小。歡迎撥打世強服務(wù)熱線電話40088-73266獲得專業(yè)快捷的服務(wù)!
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