下一代MEMS器件將采用壓電或磁性材料和3D封裝等先進技術以增強MEMS產品的功能性。該項目由納米電子行業(yè)公私合營組織歐洲納米計劃顧問委員會（ENIAC）合作組織（JU）發(fā)起。 


為運作這個2800萬歐元為期30個月的Lab4MEMS項目，意法半導體與橫跨9個歐洲國家的大學、研究機構和技術授權組織進行合作。該項目運用意法半導體在法國、意大利和馬耳他的MEMS設施建立一整套集研制測試封裝于一體的下一代MEMS制造能力中心。

意法半導體擁有800余項MEMS專利，產品銷量已突破30億顆大關，自營產能日產量超過400萬顆，這些驕人的業(yè)績讓意法半導體成為Lab4MEMS項目進行下一代MEMS研究的領導者。該項目將開發(fā)壓電（PZT）薄膜等技術以增強現(xiàn)有純硅MEMS的特性，如下一代MEMS將實現(xiàn)更大的位移、更高的感應功能及能量密度。智能傳感器、執(zhí)行器、微泵和能量收集器的制造需要這些先進技術，以滿足未來數(shù)據(jù)存儲器、噴墨打印機、醫(yī)療保健設備、汽車電子系統(tǒng)、工業(yè)控制和智能樓宇以及智能手機和導航設備等消費電子應用的需求。

該項目還將開發(fā)先進封裝技術和芯片垂直互連技術，采用倒裝片、芯片通孔、封裝通孔技術實現(xiàn)3D集成器件，滿足人體局部傳感器和遠程健康監(jiān)護應用的需求。完善適合量產的壓電沉積制程，并將其整合至復雜的MEMS制程，在系統(tǒng)級芯片上實現(xiàn)創(chuàng)新的執(zhí)行器和傳感器，是該項目的主要目標之一。

Lab4MEMS是ENIAC JU簽定的一個關鍵使能技術（KET）試制項目，旨在于開發(fā)對社會影響重大的技術和應用領域。意法半導體歐洲研發(fā)與公共事務部項目經理Roberto Zafalon表示：“ENIAC JU研究項目與意法半導體的運用科技提高生活品質的承諾相結合可產生更大的協(xié)同效應，項目成員和利益相關者受益，包括ENIAC成員國，都會從這個重要項目受益。我們期望開發(fā)成果最終可轉化為長期的市場增長和寶貴的知識型就業(yè)機會。”

ENIAC JU是一個公私合營的產學聯(lián)盟，成員包括ENIAC成員國、歐盟和歐洲納米電子技術研究協(xié)會（AENEAS），目前該組織通過競標的形式為其招標的研發(fā)項目提供大約18億歐元的研發(fā)經費。意法半導體負責的Lab4MEMS項目于2012年中標，2013年1月開始運作。