IDT 的 4H 性能 MEMS 振蕩器擁有一個差分的 LVDS / LVPECL 輸出,和相比同級別產(chǎn)品最低的相位抖動(100 fs @ 1.875 – 20 MHZ和亞 300 fs @ 12 KHZ – 20MHZ),滿足高性能網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用對低抖動芯片組的需要。集成的頻率裕量 (frequency margining) 設(shè)定功能使客戶在應(yīng)用操作中能夠?qū)⒄袷幤黝l率微調(diào)至 ±1000 ppm,實(shí)現(xiàn)誤碼率最小并便于裕量測試。IDT 的 4H MEMS 振動器適用于多種封裝尺寸,包括更小的 3225(3.2 x 2.5 mm),以節(jié)省密集部署應(yīng)用中的板空間和成本。IDT 是提供可將 MEMS 振蕩器性能、特性和小封裝尺寸組合在一起的唯一供應(yīng)商。
具有頻率裕量設(shè)定功能的低抖動MEMS振蕩器
IDT 公司副總裁兼計時與同步部門總經(jīng)理 Christian Kermarrec 表示:“IDT 最新的MEMS 系列構(gòu)建于標(biāo)準(zhǔn)的 4M 和升級的 4E 振蕩器系列基礎(chǔ)上,滿足萬兆以太網(wǎng)和網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用對高性能的要求。作為計時解決方案的領(lǐng)導(dǎo)廠商,我們?yōu)榭蛻籼峁┳罡咝阅懿考蛣?chuàng)新特性,以便于他們進(jìn)行下一代產(chǎn)品開發(fā)。我們很高興看到很多 OEM 廠商越過 MEMS 起步型提供商而選擇 IDT,這正是由于 IDT 所能提供的經(jīng)驗(yàn)和技術(shù)創(chuàng)新。”
HIS 公司 MEMS 與傳感器部門總監(jiān)和首席分析師 Jérémie Bouchaud 表示:“云計算和存儲架構(gòu)正在快速發(fā)展,幾乎 50% 的服務(wù)器和存儲簇隨著萬兆以太網(wǎng)而出貨。高性能MEMS 振蕩器能使企業(yè)級計算和存儲架構(gòu)的誤碼率更低,并能同時提供更好的可靠性。”
IDT 的集成頻率裕量設(shè)定功能使客戶能夠在業(yè)界采用一個技術(shù)技巧作為“額外 PPM 時鐘”。這一技術(shù)時鐘系統(tǒng)處在一個稍微更高的頻率,允許 OEM 廠商降低誤碼率,并能減少網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用的封裝損失。與只提供固定頻率的競爭性 MEMS 器件不同,IDT 的器件允許數(shù)以百計的偏頻,它們會在達(dá)到 625 兆赫的任何基礎(chǔ)頻率選擇之后 —— 甚至在最終生產(chǎn)系統(tǒng)中產(chǎn)生。這使得設(shè)計人員能夠加快開發(fā)進(jìn)程和優(yōu)化系統(tǒng)性能。
4H MEMS 振蕩器利用 IDT 專利的壓電 MEMS (pMEMS) 諧振器技術(shù),可提供一個擁有無與倫比性能和可靠性的高頻率源。IDT MEMS 振蕩器提供優(yōu)于石英 40 倍的可靠性,無擾動、無零時故障、對電磁干擾 (EMI) 有更高抖動阻力,并具有出色的抗沖擊和抗振性,這使它們成為傳統(tǒng)的基于石英振蕩器的一個理想的升級解決方案。
IDT 4H 系列是在成功的 4M 和 4E 系列 MEMS 振蕩器基礎(chǔ)上拓展的。作為差分石英振蕩器的嵌入式替代品,4M 標(biāo)準(zhǔn)振蕩器可提供顯著性能,相位抖動不到 1 皮秒 (ps)。 4E 升級版振蕩器將一個 LVDS 或 LVPECL 輸出和一個同步CMOS 輸出集成到單一封裝中,無需外部晶體和二級振蕩器。此外,4E 振蕩器擁有四個可選的輸出頻率,允許用一個單一的器件替換四個組件,減少材料清單,鞏固庫存。
供貨
IDT 4H MEMS 振蕩器目前處于客戶送樣階段,采用標(biāo)準(zhǔn)的 7.0 x 5.0 mm, 5.0 x 3.2mm 和3.2 x 2.5mm VFQFPN封裝。可用大多數(shù)標(biāo)準(zhǔn)頻率。自定義頻率可根據(jù)要求進(jìn)行配置。