介觀壓阻效應及GaAs，AlAs/InGaAsDBRT結構薄膜

介觀壓阻效應的定義為“等效電阻的應力調制”，等效電阻是對共振隧效應的一種具體描述。由4個物理過程組成：①在力學信號下，納米結構中的應力分布將發(fā)生變化；②一定條件下應力變化可引起內建電場的產(chǎn)生；③內建電場將導致納米帶結構中量子能級發(fā)生變化；④量子能級變化會引起共振隧穿電流變化。簡言之，在共振隧穿附近，通過上述過程，可將一個微弱的力學信號轉化。為一個較強的電學信號，體現(xiàn)出較大的壓阻系數(shù)。這里所用的介觀壓阻效應元件為GaAs/A1As/InGaAs DBRT結構薄膜納米級窄帶隙材料。隨著外部壓力引起的拉伸應變的變化(如圖1所示)，DBRT結構的共振隧穿電流和阻抗顯著變化。并且，阻抗應變輸出可由外部電壓有效調節(jié)。其優(yōu)點是靈敏度高、靈敏度可調、靈敏度隨溫度變化小。

 
圖1：量子阱外加偏壓前后示意圖

傳感器結構設計及力學分析

所設計的壓阻式壓力微傳感器，其制法是將N型硅腐蝕成厚10～25μm的膜片，并在一面擴散了4個阻值相等的P型電阻。硅膜片周邊用硅杯固定，則當膜片兩面有壓力差時，膜片即發(fā)生變形，從而導致電阻變化。用微電路檢測出這種電阻變化，通過計算即可得出壓力變化如圖2所示。

 
圖2：周邊固支圓平膜片傳感器示意圖

計算時假設：小撓度理論；壓力是均勻作用于平膜片表面。由平膜片的應力計算公式可知：

當r<0．635R時，σ>0；

同樣，當r=0．812R時，σT=0，且σr<0，如圖3所示。在圓形硅膜片上，沿[110]晶向，在0．635R半徑內外各擴散2個電阻，并適當安排擴散的位置，使得σn=一σro，則有(△R／R)i=一(△R/R)

 
圖3：周邊固支圓平膜片表面應力示意圖

這樣即可組成差動全橋電路，測出壓力P的變化。式中σri，σro分別為內、外電阻上所受徑向力的平均值；(△R／R)i，(△R/R)分別為內、外電阻的相對變化。

根據(jù)膜的結構與應力計算公式，推出被測壓力與應變片測出的應變關系：

 

式中：μ為硅材料的泊松比，μ=O.35；R,r，h分別為硅膜片的有效半徑，計算半徑，厚度；E為硅材料的模量，E=8．7Gpa；P為作用于平膜片上的壓力；ω為平膜片的撓度；

經(jīng)過分析，綜合考慮設計的要求，初步設定：h=20μm，R=200μm。其固有頻率可以按下式計算：

 

傳感器的性能分析與計算

使用介觀壓阻效應原理代替壓阻原理來檢測壓力，將圓膜片上的的壓敏電阻換成GaAs／A1As／InGaAs DBRT結構薄膜。用傳遞矩陣法計算該薄膜在沿生長方向的應力變化下的輸出響應，通過整個結構的隧穿電流密度可表示為：


 
式中：e為電子電荷的大小，m*為GoAs電子的有效質量，kB為玻爾茲曼常數(shù)，T為絕對溫度，EF為費米能級，E1為入射電子垂直(縱向)能量。

傳感器的輸出為：
 

設偏壓為0．75 V設偏壓為0．75 V，電橋的激勵電壓為2．5 V的情況下，該傳感器的靈敏度S為：


 

圖4：不同拉伸應變下偏壓對隧道電流的影響

結語

該結構的壓力微傳感器由于敏感元件與變換元件一體化，尺寸小，其固有頻率很高，可以測量頻率范圍很寬的脈動壓力。在不同的偏壓下，該傳感器的靈敏度不同。說明靈敏度可調節(jié)。同樣結構的微壓力傳感器，如果敏感元件是硅或銅鎳合金壓敏電阻，其靈敏度分別為0．38x104V／m和O．17×104V／m?？梢姴捎霉舱袼泶┒O管做為敏感元件的微壓力傳感器其靈敏度較之傳統(tǒng)的傳感器得到了很大的提高。