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如何將CoolMOS應(yīng)用于連續(xù)導(dǎo)通模式的圖騰柱功率因數(shù)校正電路
功率因素校正為將電源的輸入電流塑形為正弦波并與電源電壓同步,最大化地從電源汲取實(shí)際功率。 在完美的 PFC 電路中,輸入電壓與電流之間為純電阻關(guān)系,無(wú)任何輸入電流諧波。 目前,升壓拓?fù)涫?PFC 最常見的拓?fù)?。在效率和功率密度的表現(xiàn)上,必須要走向無(wú)橋型,才能進(jìn)一步減少器件使用,減少功率器件數(shù)量與導(dǎo)通路徑上的損耗。 在其中,圖騰柱功率因素校正電路(totem-pole PFC)已證明為成功的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),其控制法亦趨于成熟。
2021-11-25
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分析無(wú)芯變壓器柵極驅(qū)動(dòng)器
功率器件在工業(yè)和汽車系統(tǒng)的設(shè)計(jì)中起著決定性的作用。為了滿足這些應(yīng)用的特定要求并縮短上市時(shí)間,ROHM使用專有的微制造工藝來(lái)開發(fā)無(wú)核片上變壓器,以實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健的隔離,這對(duì)SiC技術(shù)尤其有用。碳化硅已被引入工業(yè)和汽車市場(chǎng)的廣泛應(yīng)用中,包括太陽(yáng)能逆變器,所有類型的高壓電源和汽車車載電池充電器。
2021-11-15
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SRII重磅亮相CICD 2021,以先進(jìn)ALD技術(shù)賦能第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
功率器件作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要組成部分,擁有非常廣泛的技術(shù)分類以及應(yīng)用場(chǎng)景。例如,傳統(tǒng)的硅基二極管、IGBT和MOSFET等產(chǎn)品經(jīng)過(guò)數(shù)十年的發(fā)展,占據(jù)了絕對(duì)領(lǐng)先的市場(chǎng)份額。不過(guò),隨著新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、儲(chǔ)能、手機(jī)快充等應(yīng)用的興起,擁有更高耐壓等級(jí)、更高開關(guān)頻率、更高性能的新型SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體功率器件逐漸嶄露頭角,獲得了業(yè)界的持續(xù)關(guān)注。
2021-11-10
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功率半導(dǎo)體的進(jìn)步實(shí)現(xiàn)3級(jí)直流快速充電,解決電動(dòng)汽車的里程焦慮
目前,電動(dòng)汽車的使用仍受到阻礙,主要在于 “里程焦慮”問(wèn)題,并且車主不愿在道路上等待數(shù)小時(shí)充電時(shí)間。然而,隨著全國(guó)各地部署越來(lái)越多的充電樁,“直流快速充電”有望將等待時(shí)間縮短至數(shù)分鐘。這些額定功率達(dá)350 kW的大功率充電樁,必須利用最新的電源轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和半導(dǎo)體開關(guān)技術(shù),以盡可能提高電能效來(lái)實(shí)現(xiàn)成本效益。本文將介紹這些大功率充電樁的典型設(shè)計(jì)方法,對(duì)功率器件的一些選擇,以及最新的寬禁帶半導(dǎo)體可帶來(lái)的優(yōu)勢(shì)。
2021-11-03
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高功率器件驅(qū)動(dòng)風(fēng)向:隔離柵極驅(qū)動(dòng)
D類音頻功率放大器的市場(chǎng)需求每年以約50%的速度增長(zhǎng),以高性能設(shè)備為目標(biāo)應(yīng)用。D類音頻放大器的高能效和低熱性等特點(diǎn)支持輕薄時(shí)尚的產(chǎn)品設(shè)計(jì),大功率電源還可節(jié)省成本。D類放大器滿足小尺寸、低功耗、高音頻輸出的市場(chǎng)主流需求,從而成為音頻類產(chǎn)品的中堅(jiān)力量。
2021-11-03
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通用汽車與Wolfspeed達(dá)成戰(zhàn)略供應(yīng)商協(xié)議,在通用汽車未來(lái)電動(dòng)汽車計(jì)劃中采用SiC
2021年10月11日,美國(guó)密歇根州底特律市和北卡羅來(lái)納州達(dá)勒姆市訊 – 通用汽車(NYSE: GM)和 Wolfspeed, Inc.(NYSE: WOLF)于近日宣布達(dá)成一項(xiàng)戰(zhàn)略供應(yīng)商協(xié)議,約定 Wolfspeed 為通用汽車的未來(lái)電動(dòng)汽車計(jì)劃開發(fā)并提供碳化硅(SiC)功率器件解決方案。Wolfspeed SiC 器件將賦能通用汽車安裝更高效的電動(dòng)汽車動(dòng)力系統(tǒng),從而擴(kuò)大其快速完善的電動(dòng)汽車產(chǎn)品組合范圍。
2021-10-11
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什么情況下應(yīng)該從硅片轉(zhuǎn)換到寬帶隙技術(shù)?
自從寬帶隙 (WBG) 器件誕生以來(lái),為功率變換應(yīng)用帶來(lái)了一股令人激動(dòng)的浪潮。但是,在什么情況下從硅片轉(zhuǎn)換到寬帶隙技術(shù)才有意義呢?迄今為止,屏蔽柵極 MOSFET、超級(jí)結(jié)器件和 IGBT等基于硅的功率器件已經(jīng)很好地在業(yè)界得到大規(guī)模應(yīng)用。這些器件在品質(zhì)因數(shù) (FoM) 方面不斷改進(jìn),加上在拓?fù)浼軜?gòu)和開關(guān)機(jī)理等方面的進(jìn)步,使工程師能夠?qū)崿F(xiàn)更高的系統(tǒng)效率。
2021-09-15
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通過(guò)AC整流橋上的有源開關(guān)提高效率
提高電源轉(zhuǎn)換效率和功率密度一直是電源行業(yè)的首要目標(biāo),在過(guò)去十年中,更因功率器件、拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和控制方案的發(fā)展而取得長(zhǎng)足的進(jìn)步。超結(jié)MOSFET、SiC二極管以及最新GaN FET的發(fā)展,確保了更高頻率下的更高開關(guān)效率;同時(shí),高級(jí)拓?fù)浼捌湎鄳?yīng)控制方案的實(shí)現(xiàn)也在高速發(fā)展。因此,平衡導(dǎo)通損耗與開關(guān)損耗以實(shí)現(xiàn)最佳工作點(diǎn),現(xiàn)在已完全可以實(shí)現(xiàn)。
2021-09-10
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X-FAB與派恩杰達(dá)成長(zhǎng)期戰(zhàn)略合作,共同推動(dòng)全球SiC產(chǎn)業(yè)發(fā)展
2021年9月6日,模擬晶圓代工龍頭企業(yè)X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)和國(guó)產(chǎn)SiC功率器件供應(yīng)商派恩杰聯(lián)合對(duì)外宣布,雙方就批量生產(chǎn)SiC晶圓建立長(zhǎng)期戰(zhàn)略合作關(guān)系,此前雙方已經(jīng)合作近三年時(shí)間。
2021-09-06
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羅姆為電動(dòng)汽車充電樁打造高效解決方案
全球能源短缺和大氣污染問(wèn)題日益嚴(yán)峻,汽車產(chǎn)業(yè)綠色低碳發(fā)展已成為降低全社會(huì)碳排放、增強(qiáng)國(guó)家競(jìng)爭(zhēng)力的有效手段。作為領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體廠商之一,羅姆一直致力于技術(shù)創(chuàng)新,研發(fā)各種高效、高品質(zhì)的功率器件,為大功率智能充電站提供安全可靠的解決方案,在支持綠色出行的同時(shí)助力全面低碳社會(huì)的可持續(xù)發(fā)展。
2021-08-26
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IGBT模塊及散熱系統(tǒng)的等效熱模型
功率器件作為電力電子裝置的核心器件,在設(shè)計(jì)及使用過(guò)程中如何保證其可靠運(yùn)行,一直都是研發(fā)工程師最為關(guān)心的問(wèn)題。功率器件除了要考核其電氣特性運(yùn)行在安全工作區(qū)以內(nèi),還要對(duì)器件及系統(tǒng)的熱特性進(jìn)行精確設(shè)計(jì),才能既保證器件長(zhǎng)期可靠運(yùn)行,又充分挖掘器件的潛力。
2021-08-23
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非隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器與功率元器件
ROHM不僅提供電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC,還提供適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)的非隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器,以及分立功率器件IGBT和功率MOSFET。我們將先介紹羅姆非隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器,再介紹ROHM超級(jí)結(jié)MOSFET PrestoMOSTM。
2021-08-05
- 電源中的分壓器
- 貿(mào)澤電子為電子設(shè)計(jì)工程師提供先進(jìn)的醫(yī)療技術(shù)資源和產(chǎn)品
- 讓汽車LED照明無(wú)死角,LED驅(qū)動(dòng)的全面進(jìn)化
- 豪威集團(tuán)推出專為無(wú)LED閃爍的汽車攝像頭設(shè)計(jì)的全新1200萬(wàn)像素圖像傳感器
- 貿(mào)澤開售Microchip WBZ350射頻就緒多協(xié)議MCU模塊
- 大聯(lián)大品佳集團(tuán)推出基于聯(lián)發(fā)科技的AI識(shí)別與檢測(cè)方案
- Kioxia推出適用于云端和超大規(guī)模環(huán)境的PCIe 5.0 NVMe EDSFF E1.S SSD
- 利用自動(dòng)化技術(shù)賦能中國(guó)基礎(chǔ)設(shè)施現(xiàn)代化
- 單結(jié)晶體管符號(hào)和結(jié)構(gòu)
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