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氮化鎵柵極驅(qū)動專利：RC負(fù)偏壓關(guān)斷技術(shù)之松下篇
松下與英飛凌曾共同研發(fā)了增強(qiáng)型GaN GIT功率器件，兩家公司都具有GaN GIT功率器件的產(chǎn)品。對于其柵極驅(qū)動IC，如上期所介紹的，英飛凌對其GaN EiceDRIVER? IC已布局有核心專利；而松下在這一技術(shù)方向下也是申請了不少專利，其中就包括采用RC電路的負(fù)壓關(guān)斷方案。
2022-12-22
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不同功率器件在充電樁三相LLC拓?fù)渲械膽?yīng)用探討
近年來新能源汽車發(fā)展迅速，對充電樁也提出了高功率密度、大功率、高效率等要求。基于三相LLC變換器技術(shù)的30千瓦功率模塊單元性能更優(yōu)，可以滿足現(xiàn)有的市場需求?；?0千瓦三相LLC變換器常見的母線電壓等級800V，對于650V和1200V器件存在兩種不同的拓?fù)浞桨浮Ｎ恼箩槍@兩類拓?fù)溥M(jìn)行參數(shù)設(shè)計(jì)，選取三種功率器件方案：
2022-12-13
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如何利用表面貼裝功率器件提高大功率電動汽車電池的充電能力
終端用戶希望新的電動汽車設(shè)計(jì)能夠最大限度地減少車輛的空閑時間，尤其是在長途駕駛中。電動汽車設(shè)計(jì)人員需要提高充電器的功率輸出、功率密度和效率，以實(shí)現(xiàn)終端用戶期望的快速充電。目前，單個單元充電器的設(shè)計(jì)范圍是從7千瓦到30千瓦。將單個單元元件組合到模塊化設(shè)計(jì)中可以增加功率輸出，幫助充電器制造商實(shí)現(xiàn)占地面積更小、靈活性更高和可擴(kuò)展性的目標(biāo)。對有源功率元件使用先進(jìn)的隔離封裝，可實(shí)現(xiàn)更高的功率密度并顯著減少電路設(shè)計(jì)中的熱管理工作，從而解決大功率充電的挑戰(zhàn)。
2022-12-13
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提高功率器件動態(tài)參數(shù)測試效率的7個方法
對功率器件動態(tài)參數(shù)進(jìn)行測試是器件研發(fā)工程師、電源工程師工作中的重要一環(huán)，測試結(jié)果用于驗(yàn)證、評價、對比功率器件的動態(tài)特性。如何能夠高效地完成測試是工程師一直關(guān)注的，也是在選擇功率器件動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)時需要著重關(guān)注的，一個高效的測試系統(tǒng)能夠幫助工程師快速完成測試、獲得測試結(jié)果、提升工作效率、節(jié)約時間和精力。
2022-12-06
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用于 EV 充電系統(tǒng)柵極驅(qū)動的隔離式 DC／DC 轉(zhuǎn)換器
電動汽車充電系統(tǒng)正在不斷發(fā)展。目前通常使用 400V 電池充電總線電壓的 AC Level 2 壁掛式充電盒正在向需要 800V 總線電壓的直流快速充電 (DCFC) 系統(tǒng)遷移。像碳化硅這樣的寬帶隙功率器件非常適合這些應(yīng)用，與硅 IGBT 相比具有更低的傳導(dǎo)和開關(guān)損耗。然而，SiC 更快的開關(guān)速率以及更高的電壓會對柵極驅(qū)動器電路提出一些獨(dú)特的要求。在本文中，我們將重點(diǎn)介紹 Murata 產(chǎn)品經(jīng)理 Ann-Marie Bayliss 在近的 electronica 2022電源論壇上關(guān)于該公司用于此類柵極驅(qū)動應(yīng)用的隔離式 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的演講的某些方面。
2022-12-05
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通過利用電化學(xué)診斷技術(shù)分析傳感器的健康狀況
電動汽車充電系統(tǒng)正在不斷發(fā)展。目前通常使用 400V 電池充電總線電壓的 AC Level 2 壁掛式充電盒正在向需要 800V 總線電壓的直流快速充電 (DCFC) 系統(tǒng)遷移。像碳化硅這樣的寬帶隙功率器件非常適合這些應(yīng)用，與硅 IGBT 相比具有更低的傳導(dǎo)和開關(guān)損耗。然而，SiC 更快的開關(guān)速率以及更高的電壓會對柵極驅(qū)動器電路提出一些獨(dú)特的要求。在本文中，我們將重點(diǎn)介紹 Murata 產(chǎn)品經(jīng)理 Ann-Marie Bayliss 在近的 electronica 2022電源論壇上關(guān)于該公司用于此類柵極驅(qū)動應(yīng)用的隔離式 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的演講的某些方面。
2022-12-05
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RS瑞森半導(dǎo)體高壓MOS在開關(guān)電源中的應(yīng)用
開關(guān)電源（Switch Mode Power Supply，簡稱SMPS），又稱交換式電源、開關(guān)變換器，是電源供應(yīng)器的一種高頻化電能轉(zhuǎn)換裝置，也是一種以半導(dǎo)體功率器件為開關(guān)管，控制其關(guān)斷開啟時間比率，來保證穩(wěn)定輸出直流電壓的電源。
2022-11-10
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IGBT單管數(shù)據(jù)手冊參數(shù)解析（上）
IGBT是大家常用的開關(guān)功率器件，本文基于英飛凌單管IGBT的數(shù)據(jù)手冊，對手冊中的一些關(guān)鍵參數(shù)和圖表進(jìn)行解釋說明，用戶可以了解各參數(shù)的背景信息，以便合理地使用IGBT。
2022-11-01
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這些功率器件撐起3,000億特高壓建設(shè)
新能源是支撐國家可持續(xù)發(fā)展的關(guān)鍵，隨著“碳達(dá)峰”和“碳中和”目標(biāo)的提出，中國新能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展將再次提速。但新能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展面臨的一個關(guān)鍵問題是發(fā)電與用電區(qū)域不均衡，風(fēng)電、太陽能和水電等可再生能源主要集中在西部和西北部，用電則主要集中在中東部。并且風(fēng)電和太陽能（光伏）等發(fā)電方式波動性較大，在新能源布局較多的西北部地區(qū)，由于用電負(fù)荷低于發(fā)電量，造成了較高比例的“棄風(fēng)”、“棄光”現(xiàn)象。
2022-10-31
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庖丁解?？?span id="a64c6ge" class='red'>功率器件雙脈沖測試平臺
雙脈沖測試是表征功率半導(dǎo)體器件動態(tài)特性的重要手段，適用于各類功率器件，包括MOSFET、IGBT、Diode、SiC MOSFET、GaN HEMTs。同時，這項(xiàng)測試發(fā)生在器件研發(fā)、器件生產(chǎn)、系統(tǒng)應(yīng)用等各個環(huán)節(jié)，測試結(jié)果有力地保證了器件的特性和質(zhì)量、功率變換器的指標(biāo)和安全，可以說是伴隨了功率器件生命的關(guān)鍵時刻。
2022-10-31
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高集成度功率電路的熱設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)
目前隨著科學(xué)技術(shù)和制造工藝的不斷發(fā)展進(jìn)步，半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展日新月異。對于功率半導(dǎo)體器件而言，其制造工藝也同樣是從平面工藝演變到溝槽工藝，功率密度越來越高。目前功率半導(dǎo)體器件不僅是單一的開關(guān)型器件如IGBT或MOSFET器件類型，也增加了如智能功率模塊IPM等混合型功率器件類型。在IPM模塊中既集成有功率器件，還集成了驅(qū)動器和控制電路IC，這樣的功率半導(dǎo)體器件具有更高的集成度。這種混合集成型的功率半導(dǎo)體器件其封裝結(jié)構(gòu)和傳統(tǒng)的單一功率半導(dǎo)體器件有一定的區(qū)別，因此其散熱設(shè)計(jì)和熱傳播方式也有別于傳統(tǒng)的功率半導(dǎo)體器件，會給使用者帶來更大的熱設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。
2022-10-28
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SiC MOSFET AC BTI 可靠性研究
作為目前碳化硅MOSFET型號最豐富的國產(chǎn)廠商派恩杰，不僅在功率器件性能上達(dá)到國際一流廠商水平，在AC BTI可靠性上更是超越國際一流廠商?？偛命S興博士用高性能和高可靠性的產(chǎn)品證明派恩杰是國產(chǎn)碳化硅功率器件的佼佼者，展現(xiàn)了超高的碳化硅設(shè)計(jì)能力和工藝水平。
2022-10-19
- 授權(quán)代理商貿(mào)澤電子供應(yīng)Same Sky多樣化電子元器件
- 使用合適的窗口電壓監(jiān)控器優(yōu)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)
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