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RF/微波

多波束相控陣接收機混合波束成型功耗優(yōu)勢的定量分析

本文對模擬、數(shù)字和混合波束成型架構(gòu)的能效比進行了比較，并針對接收相控陣開發(fā)了這三種架構(gòu)的功耗的詳細(xì)方程模型。該模型清楚說明了各種器件對總功耗的貢獻，以及功耗如何隨陣列的各種參數(shù)而變化。對不同陣列架構(gòu)的功耗/波束帶寬積的比較表明，對于具有大量元件的毫米波相控陣，混合方法具有優(yōu)勢。

2022-09-28

相控陣接收機波束成型

LOTO示波器實測開環(huán)增益頻響曲線／電源環(huán)路響應(yīng)穩(wěn)定性

一般我們用的電源系統(tǒng)/控制系統(tǒng)或者信號處理系統(tǒng)都可以簡單理解成負(fù)反饋控制系統(tǒng)。最典型的，運放組成的信號放大電路就是這樣的系統(tǒng)。本文以最簡單的運放信號放大電路為例，演示如何使用LOTO示波器測量控制系統(tǒng)的開環(huán)增益頻響曲線，以及演示電源的環(huán)路響應(yīng)穩(wěn)定性測試。

2022-09-26

LOTO示波器開環(huán)增益頻響曲線電源環(huán)路

混合波束賦形接收機動態(tài)范圍—從理論到實踐

本文介紹了相控陣混合波束賦形架構(gòu)中接收機動態(tài)范圍指標(biāo)的測量與分析的比較。測量使用市售32通道開發(fā)平臺進行驗證分析。本文回顧了子陣列波束賦形接收機的分析，重點是處理模擬子陣列中信號合并點處的信號增益與噪聲增益之間的差異。本文分析了開發(fā)平臺接收機性能，并與測量結(jié)果進行了比較。最后討...

2022-09-26

波束賦形接收機動態(tài)范圍

整流電容濾波負(fù)載實例

六期連載，整流電路AC/DC變換應(yīng)用非常廣泛，其中二極管整流在電機驅(qū)動中是主流的方案，而且功率范圍很廣，所以了解二極管整流工程設(shè)計非常重要。

2022-09-23

整流電容濾波負(fù)載

功率放大器模塊及其在5G設(shè)計中的作用

許多射頻設(shè)計人員都對 Franklin Douglass 的名言深有同感：“沒有斗爭就沒有進步?！痹跒?5G 進行設(shè)計時，尤其如此?？萍加型淖儫o線通信，但也會帶來設(shè)計難題。利用功率放大器模塊 (PAM) 來化解。以下是你需要知道的一切。

2022-09-23

功率放大器模塊 5G

整流電容濾波負(fù)載原理——看似簡單的整流電路詳解（四）

2022-09-16

整流電容濾波原理

讓數(shù)字預(yù)失真的故障排除和微調(diào)不再難必備攻略請查收

本文介紹ADI ADRV9002的數(shù)字預(yù)失真(DPD)功能。所用的一些調(diào)試技術(shù)也可應(yīng)用于一般DPD系統(tǒng)。首先，概述關(guān)于DPD的背景信息，以及用戶試驗其系統(tǒng)時可能會遇到的一些典型問題。最后，文章介紹在DPD軟件工具幫助下可應(yīng)用于DPD算法以分析性能的調(diào)優(yōu)策略。

2022-09-16

數(shù)字預(yù)失真 ADI ADRV9002

GaN HEMT 大信號模型

GaN HEMT 為功率放大器設(shè)計者提供了對 LDMOS、GaAs 和 SiC 技術(shù)的許多改進。更有利的特性包括高電壓操作、高擊穿電壓、功率密度高達 8 W/mm、fT 高達 25 GHz 和低靜態(tài)電流。另一方面，GaN RF 功率器件具有自加熱特性，并且元件參數(shù)的非線性與信號電平、熱效應(yīng)和環(huán)境條件之間存在復(fù)雜的依賴關(guān)系。這...

2022-09-15

GaN HEMT 功率放大器

巧用LC濾波器額，改善高速DAC電源相位噪聲！

對于高速DAC供電電源的選擇，LDO是久經(jīng)考驗的穩(wěn)壓器，尤其適合用來實現(xiàn)優(yōu)質(zhì)噪聲性能。相關(guān)技術(shù)資訊，可參閱文章：選擇超低噪聲的LDO來改善相位噪聲。

2022-09-13

LC濾波器 DAC 相位噪聲

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