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超結MOS/低壓MOS在5G基站電源上的應用

發(fā)布時間:2023-12-18 責任編輯:lina

【導讀】5G基站是5G網(wǎng)絡的核心設備,實現(xiàn)有線通信網(wǎng)絡與無線終端之間的無線信號傳輸,5G基站主要分為宏基站和小基站。5G基站由于通信設備功耗大,采用由電源插座、交直流配電、防雷器、整流模塊和監(jiān)控模塊組成的電氣柜。所以顧名思義,5G電源就是指5G通訊設備專用電源。


一、前言 


5G基站是5G網(wǎng)絡的核心設備,實現(xiàn)有線通信網(wǎng)絡與無線終端之間的無線信號傳輸,5G基站主要分為宏基站和小基站。5G基站由于通信設備功耗大,采用由電源插座、交直流配電、防雷器、整流模塊和監(jiān)控模塊組成的電氣柜。所以顧名思義,5G電源就是指5G通訊設備專用電源。


5G基站電源,分兩大主流:目前,5G基站供電系統(tǒng)有兩大主流,一是UPS供電系統(tǒng),二是HVDC 供電系統(tǒng)。5G基站電源的發(fā)展趨勢主要向著解決方案小型化、高頻化、高可靠性以及效率提升的目標前進。


超結MOS/低壓MOS在5G基站電源上的應用 


二、典型應用拓撲 


針對MOS管在5G電源上的應用,推薦瑞森半導體兩款產(chǎn)品系列;


在PFC線路和Flyback線路,推薦瑞森半導體超結MOSFET系列:

由原深溝槽工藝革新成多層外延工藝,具有低導通電阻,優(yōu)異EMI特性,低損耗,高效率,低溫升等特性。能夠顯著降低高電壓下單位面積的導通電阻,進而降低導通損耗。同時,超結MOSFET擁有極低的FOM值,從而擁有極低的開關能量損耗和驅動能量損耗。


為適應電源系統(tǒng)高效率小型化的需求,同步整流線路圖推薦使用瑞森半導體低壓SGT MOS系列:

采用SGT溝槽屏蔽柵設計及工藝制造技術,具有更高的工藝穩(wěn)定性和可靠性及更快的開關速度、更小的柵電荷和更高的應用效率等優(yōu)點。


超結MOS/低壓MOS在5G基站電源上的應用 


三、推薦產(chǎn)品選型 


針對5G線路圖的PFC線路和Flyback線路,推薦瑞森半導體超結MOSFET系列。


超結MOS/低壓MOS在5G基站電源上的應用 


為適應電源系統(tǒng)高效率小型化的需求,同步整流線路推薦使用瑞森半導體低壓SGT MOS系列。


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