【導讀】三星宣布完成了基于 8nm生產(chǎn)工藝的射頻（RF） 技術的開發(fā)。這項尖端的代工技術有望提供“一個芯片解決方案”，尤其是通過支持多通道和多天線芯片設計增強 5G 網(wǎng)絡通信。這項 8nm射頻平臺的推出將會進一步鞏固三星在 5G 半導體市場的領導地位。
三星的 8nm射頻工藝技術是對已廣泛應用的射頻相關解決方案組合（包括 28nm和 14nm的射頻）的最新補充。自2017年以來，三星通過為高端智能手機出貨超過5億顆移動射頻芯片，確立了其在射頻市場的領先地位。
三星電子代工技術開發(fā)團隊主管 Hyung Jin Lee 表示：“通過卓越的創(chuàng)新和工藝制造，我們已經(jīng)加強了我們的下一代無線通信產(chǎn)品。隨著 5G mmWave 的擴大，三星的 8nm射頻將成為在緊湊型移動設備上尋求長電池壽命和出色信號質(zhì)量的客戶的絕佳解決方案”。
隨著持續(xù)擴展到先進節(jié)點，數(shù)字電路在性能、功耗和面積（PPA）方面有了明顯的改善，而模擬/射頻塊卻沒有享受到這樣的改善，原因是退行性組件，如窄線寬帶來的電阻增加。因此，大多數(shù)通信芯片往往看到射頻特性的退化，如接收頻率的放大性能惡化和功耗增加。
為了克服模擬/射頻擴展的挑戰(zhàn)，三星開發(fā)了一種 8nm射頻專用的獨特架構，名為 RFextremeFET（RFeFET），可以在使用更少的功率的同時顯著改善射頻特性。與 14nm射頻相比，三星的 RFeFET 補充了數(shù)字 PPA 的擴展，同時恢復了模擬/射頻的擴展，從而實現(xiàn)了高性能5G平臺。
三星的工藝優(yōu)化最大限度地提高了通道流動性，同時最大限度地減少了寄生效應。由于RFeFET的性能得到極大改善，射頻芯片的晶體管總數(shù)和模擬/射頻塊的面積可以減少。
與14nm的射頻技術相比，由于RFeFET架構的創(chuàng)新，三星的8nm射頻工藝技術在射頻芯片面積減少35%的情況下，功率效率最高可提高 35%。
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