每個上變頻器和下變頻器芯片都是高集成的（見圖1），由IQ混頻器及片內(nèi)正交移相器構(gòu)成，可配置為基帶IQ模式（零中頻，IQ頻率支持dc至6 GHz），或者配置為中頻模式（實中頻，中頻頻率支持800 MHz至6 GHz）。上變頻器的RF輸出端集成了一個含壓控衰減器(VVA)的驅(qū)動放大器，下變頻器的RF輸入端包含低噪聲放大器(LNA)和帶VVA的增益放大器。兩個芯片的本振(LO)鏈路由一個集成式LO緩沖放大器、一個四倍頻器和一個可編程的帶通濾波器組成。大部分可編程和校準功能都通過SPI接口進行控制，這使得IC易于通過軟件配置至出色的性能水平。

 

圖1. (a) ADMV1013上變頻器芯片框圖。(b) ADMV1014下變頻器芯片框圖。

 

ADMV1013上變頻器內(nèi)部視圖

 

ADMV1013提供兩種頻率轉(zhuǎn)換模式。一種模式是從基帶I和Q直接上變頻至RF頻段。在這種I/Q模式下，基帶I和Q差分輸入信號范圍是從dc到6 GHz，例如，由一對高速數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)產(chǎn)生的信號。IQ輸入信號的共模電壓范圍為0 V至2.6 V；因此，它們可以滿足大部分DAC的接口需求。當所選DAC的共模電壓在這個范圍內(nèi)時，可以通過配置上變頻器的寄存器，使其輸入共模電壓和 DAC輸出的共模電壓實現(xiàn)最佳的匹配，從而簡化接口設計。另一種模式是復IF輸入（例如由正交數(shù)字上變頻器器件生成的信號），單邊帶上變頻到RF頻段。ADMV1013的獨特之處在于，它能夠在I/Q模式下對I和Q混頻器的直流偏置誤差進行數(shù)字校正，從而改善RF輸出的LO泄漏。校準之后，在最大增益下，RF輸出 端的LO泄漏可以低至-45 dBm。對零中頻無線電設計造成妨礙的一個更困難的挑戰(zhàn)是I和Q的相位不平衡，導致邊帶抑制能力差。零中頻面臨的另一個挑戰(zhàn)是邊帶通常太接近微波載波，使濾波器難以實現(xiàn)。ADMV1013解決了這個問題，它允許用戶通過寄存器調(diào)諧對I和Q相位不平衡進行數(shù)字校正。正常操作期間，上變頻器展現(xiàn)出未經(jīng)校準的26 dBc邊帶抑制。使用片內(nèi)寄存器之后，其邊帶抑制經(jīng)過校準可以提高到約36 dBc。兩種校準特性都是通過SPI實現(xiàn)，無需額外電路。在I/Q模式下，還可以通過調(diào)節(jié)基帶I和Q DAC的相位平衡來進一步提高邊帶抑制。這些性能增強特性幫助最小化外部濾波，同時改善微波頻率下的無線電性能。

 

集成了LO緩沖器之后，該部件所需的驅(qū)動力僅為0 dBm。因此， 可使用集成壓控振蕩器(VCO)的頻綜（例如 ADF4372 或 ADF5610）, 直接地驅(qū)動該器件，進一步減少外部組件數(shù)量。片內(nèi)四倍頻器 將LO頻率倍升至所需的載波頻率，然后通過可編程的帶通濾波器濾除不需要的倍頻器諧波，該帶通濾波器放置在混頻器正交相位生成模塊之前。這種布局大大減少了進入混頻器的雜散頻率，同時允許該部件與外部低成本、低頻率的頻率合成器/VCO協(xié)同工作。然后，經(jīng)過調(diào)制的RF輸出通過一對放大器級（兩者 中間存在一個VVA）進行放大。增益控制模塊為用戶提供35 dB調(diào)節(jié)范圍，最大級聯(lián)轉(zhuǎn)換增益為23 dB。ADMV1013采用40引腳基板柵格陣列封裝（見圖2）。這些特性結(jié)合起來，可以提供卓越的性能、最大的靈活性和易用性，同時最大程度減少需要的外部 組件的數(shù)量。因此，可以實現(xiàn)小型蜂窩基站等小型微波平臺。

 

圖2. 采用6 mm × 6 mm表貼封裝的ADMV1013在評估板上的圖示。

 

ADMV1014下變頻器內(nèi)部視圖

 

ADMV1014也有一些相似的元件，例如其LO路徑中包含LO緩沖器、四倍頻器、可編程的帶通濾波器，以及正交移相器。但是，構(gòu)建作為下變頻器件（見圖1b中的框圖），ADMV1014的RF前端中安裝有一個LNA，緊接著安裝了一個VVA和一個放大器。連續(xù)的19 dB增益調(diào)整范圍由施加給VCTRL引腳的dc電壓進行控 制。用戶可以選擇在I/Q模式下使用ADMV1014作為從微波到基帶dc的直接解調(diào)器。在這種模式下，經(jīng)過解調(diào)的I和Q信號在各自的I和Q差分輸出處放大。它們的增益和dc共模電壓可以通過SPI由寄存器設置，使得差分信號可以dc耦合到（例如）一對基帶模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)?；蛘撸珹DMV1014可以用作單端復IF端口的鏡 像抑制下變頻器。在任何一種模式下，I和Q相位、幅度的不平衡都可以通過SPI進行校正，在下變頻器解調(diào)至基帶或IF時，提高其鏡像抑制性能?？偟膩碚f，下變頻器在24 GHz至42 GHz頻率范圍內(nèi)，可以提供5.5 dB總級聯(lián)噪聲系數(shù)，以及17 dB最大轉(zhuǎn)換增益。當工作頻率接近基帶邊緣（高達44 GHz）時，級聯(lián)式NF 仍然堅定保持6 dB。

 

圖3. 采用更小型的5 mm × 5 mm封裝的ADMV1014在評估板上的圖示。

 

大幅提升5G mmW無線電性能

 

圖4所示為下變頻器在28 GHz頻率時的測量性能，測量時，采用 5G NR波形，包含4個獨立的100 MHz通道，每個通道都在-20 dBm 輸入功率下調(diào)制至256 QAM。測量得出的EVM結(jié)果為-40 dB (1% rms)，支持對mmW 5G所需的高階調(diào)制方案進行解調(diào)。憑借上下變頻器>1 GHz的帶寬容量，以及上變頻器的23 dBm OIP3和下變頻器的0 dBm IIP3，其組合可以支持高階QAM調(diào)制，從而實現(xiàn)更高的數(shù)據(jù)吞吐量。此外，該器件也支持其他應用，如衛(wèi)星和地面接收站寬帶通信鏈路、安全通信無線電、RF測試設備和雷達系統(tǒng)。其出色的線性度和鏡像抑制性能令人矚目，與緊湊的解決方案尺寸、較小外形、高性能微波鏈路結(jié)合之后，可以實現(xiàn)寬帶基站。

 

圖4. 測量得出的EVM性能（rms百分比）與28 GHz時的輸入功率以及對應的256 QAM星座圖。

 

ADMV1014

 

●     寬帶RF輸入頻率范圍：24 GHz至44 GHz

●     2種下變頻模式

    ○ 從RF至基帶I/Q直接變頻

    ○ 鏡像抑制下變頻為復中頻

●     LO輸入頻率范圍：5.4 GHz至10.25 GHz

●     LO四倍頻器最高可達41 GHz

●     匹配50 Ω、單端RF輸入和復中頻輸出

●     匹配100 Ω平衡或50 Ω單端LO輸入之間的選項

●     具有可調(diào)輸出共模電壓電平的100 Ω平衡基帶I/Q輸出阻抗

●     鏡像抑制優(yōu)化

●     用于設置混頻器輸入功率的平方律功率檢波器

●     用于接收器功率控制的可變衰減器

●     可通過四線式SPI接口編程

●     32引腳、5 mm × 5 mm LGA封裝

 

 

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