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5G毫米波終端技術(shù)及測(cè)試方案分析

發(fā)布時(shí)間:2019-07-19 責(zé)任編輯:xueqi

【導(dǎo)讀】作為5G關(guān)鍵技術(shù)之一的毫米波技術(shù)已成為目前標(biāo)準(zhǔn)組織及產(chǎn)業(yè)鏈各方研究和討論的重點(diǎn),毫米波將會(huì)給未來(lái)5G終端的實(shí)現(xiàn)帶來(lái)諸多的技術(shù)挑戰(zhàn),同時(shí)毫米波終端的測(cè)試方案也將不同于目前的終端。本文將對(duì)毫米波頻譜劃分近況,毫米波終端技術(shù)實(shí)現(xiàn)挑戰(zhàn)及測(cè)試方案進(jìn)行介紹及分析。
 
1、引言
 
隨著移動(dòng)通信的迅猛發(fā)展,低頻段頻譜資源的開(kāi)發(fā)已經(jīng)非常成熟,剩余的低頻段頻譜資源已經(jīng)不能滿(mǎn)足5G時(shí)代10Gbps的峰值速率需求,因此未來(lái)5G系統(tǒng)需要在毫米波頻段上尋找可用的頻譜資源。作為5G關(guān)鍵技術(shù)之一的毫米波技術(shù)已成為目前標(biāo)準(zhǔn)組織及產(chǎn)業(yè)鏈各方研究和討論的重點(diǎn),毫米波將會(huì)給未來(lái)5G終端的實(shí)現(xiàn)帶來(lái)諸多的技術(shù)挑戰(zhàn),同時(shí)毫米波終端的測(cè)試方案也將不同于目前的終端。本文將對(duì)毫米波頻譜劃分近況,毫米波終端技術(shù)實(shí)現(xiàn)挑戰(zhàn)及測(cè)試方案進(jìn)行介紹及分析。
 
2、毫米波頻譜劃分
 
2015年,ITU-R WP5D發(fā)布了IMT.ABOVE 6GHz的研究報(bào)告,詳細(xì)研究了不同頻段無(wú)線(xiàn)電波的衰減特性。在同年的世界無(wú)線(xiàn)電通信大會(huì)(WRC-15)上提出了多個(gè)5G候選的毫米波頻段,最終5G毫米波頻譜的確定將在WRC-19上的完成。經(jīng)過(guò)多年的研究和討論,各國(guó)各地區(qū)對(duì)毫米波頻譜資源的劃分都有所進(jìn)展,以下將著重介紹中國(guó)、美國(guó)及歐洲在毫米波頻段劃分上的近況。
 
中國(guó):2017年6月,工信部面向社會(huì)廣泛征集24.75-27.5 GHz、37-42.5 GHz或其他毫米波頻段用于5G系統(tǒng)的意見(jiàn),并將毫米波頻段納入5G試驗(yàn)的范圍,意在推動(dòng)5G毫米波的研究及毫米波產(chǎn)品的研發(fā)試驗(yàn)。
 
美國(guó):早在2014年,F(xiàn)CC(美國(guó)聯(lián)邦通訊委員會(huì))就開(kāi)啟了5G毫米波頻段的分配工作,2016年7月,確定將27.5-28.35 GHz、37-38.6 GHz、38.6-40 GHz作為授權(quán)頻譜分配給5G,另外還為5G分配了64-71 GHz作為未授權(quán)頻譜。
 
歐洲:2016年11月,RSPG(歐盟委員會(huì)無(wú)線(xiàn)頻譜政策組)發(fā)布了歐盟5G頻譜戰(zhàn)略,確定將24.25-27.5 GHz作為歐洲5G 的先行頻段,31.8-33.4 GHz 、40.5-43.5 GHz作為5G潛在頻段。
 
3、毫米波終端技術(shù)實(shí)現(xiàn)
 
毫米波頻段頻率高、帶寬大等特點(diǎn)將對(duì)未來(lái)5G終端的實(shí)現(xiàn)帶來(lái)諸多挑戰(zhàn),毫米波對(duì)終端的影響主要在于天線(xiàn)及射頻前端器件。
 
3.1 終端側(cè)大規(guī)模天線(xiàn)陣列
 
由于天線(xiàn)尺寸的限制,在低頻段大規(guī)模天線(xiàn)陣列只能在基站側(cè)使用。但隨著頻率的上升,在毫米波段,單個(gè)天線(xiàn)的尺寸可縮短至毫米級(jí)別,在終端側(cè)布置更多的天線(xiàn)成為可能。如下圖1所示,目前大多數(shù)LTE終端只部署了兩根天線(xiàn),但未來(lái)5G毫米波終端的天線(xiàn)數(shù)可達(dá)到16根甚至更多,所有的天線(xiàn)將集成為一個(gè)毫米波天線(xiàn)模塊。由于毫米波的自由空間路損更大,氣衰、雨衰等特性都不如低頻段,毫米波的覆蓋將受到嚴(yán)重的影響。終端側(cè)使用大規(guī)模天線(xiàn)陣列可獲得更多的分集增益,提高毫米波終端的接收和發(fā)射性能,能夠在一定程度彌補(bǔ)毫米波覆蓋不足的缺點(diǎn),終端側(cè)大規(guī)模天線(xiàn)陣列將會(huì)是毫米波得以商用的關(guān)鍵因素之一。
 
圖1:LTE終端與毫米波終端天線(xiàn)設(shè)想
 
終端部署更多的天線(xiàn)意味著終端設(shè)計(jì)難度的上升,與基站側(cè)部署大規(guī)模天線(xiàn)陣列不同,終端側(cè)的大規(guī)模天線(xiàn)陣列受終端尺寸、終端功耗的制約,其實(shí)現(xiàn)難度將大大增加,目前只能在固定終端上實(shí)現(xiàn)大規(guī)模天線(xiàn)陣列的布置。移動(dòng)終端的大規(guī)模天線(xiàn)陣列設(shè)計(jì)面臨諸多挑戰(zhàn),包括天線(xiàn)陣列校準(zhǔn),天線(xiàn)單元間的相互耦合以及功耗控制等。
 
3.2 毫米波射頻前端器件
 
射頻前端器件包括了功率放大器、開(kāi)關(guān)、濾波器、雙工器、低噪聲放大器等,其中功率放大器是最為核心的器件,其性能直接決定了終端的通信距離、信號(hào)質(zhì)量及待機(jī)時(shí)間。目前制造支持低頻段的射頻前端器件的材料多為砷化鎵、CMOS和硅鍺。但由于毫米波段與低頻段差異較大,低頻射頻前端器件的制造材料在物理特性上將很難滿(mǎn)足毫米波射頻前端器件的要求。
 
以功率放大器為例,目前主流的功率放大器制造材料為砷化鎵,但在毫米波頻段,氮化鎵及InP的制造工藝在性能指標(biāo)上均要強(qiáng)于砷化鎵。下表所示為從低頻到毫米波段主要的射頻前端器件制造工藝上的發(fā)展方向。
 
 
另外,毫米波頻段大帶寬的特點(diǎn)對(duì)射頻前端器件的提出了更高的要求,未來(lái)毫米波終端的射頻前端器件將可能需支持1GHz以上的連續(xù)帶寬。
 
雖然氮化鎵被認(rèn)為是未來(lái)毫米波終端射頻的主流制造工藝,但由于成本、產(chǎn)能等因素,基于氮化鎵工藝的高性能射頻前端器件多用于軍工和基站等特殊場(chǎng)景。毫米波射頻前端技術(shù)的發(fā)展將會(huì)成為毫米波終端實(shí)現(xiàn)的關(guān)鍵,預(yù)計(jì)到2020年之后,毫米波移動(dòng)終端射頻器件的技術(shù)和成本才可能達(dá)到大規(guī)模商用的要求。
 
4、毫米波終端測(cè)試方案分析
 
目前LTE終端的實(shí)驗(yàn)室測(cè)試主要使用傳導(dǎo)連接,使用射頻饋線(xiàn)將被測(cè)設(shè)備和測(cè)試儀表連接,這種測(cè)試方案對(duì)場(chǎng)地要求不高,受外界干擾較小。但隨著毫米波終端側(cè)的大規(guī)模天線(xiàn)陣列的使用,終端的無(wú)線(xiàn)收發(fā)器都將集成到天線(xiàn)形成天線(xiàn)模塊,未來(lái)毫米波終端可能不會(huì)存在射頻測(cè)試端口,而且高頻率下進(jìn)行耦合帶來(lái)的高插損等因素使傳統(tǒng)的傳導(dǎo)連接測(cè)試的方案更不可行,因此OTA(Over The Air)測(cè)試將成為毫米波終端測(cè)試的主流方案。
 
OTA測(cè)試可直接測(cè)試設(shè)備的整體輻射性能,能夠?qū)υO(shè)備的整機(jī)性能進(jìn)行測(cè)試,能夠更真實(shí)地反映設(shè)備的實(shí)際性能,但測(cè)試需要在微波暗室進(jìn)行,對(duì)于測(cè)試的場(chǎng)地要求較為嚴(yán)格,測(cè)試費(fèi)用昂貴。
 
圖2:OTA測(cè)試的暗室
 
目前LTE OTA和MIMO OTA的研究已經(jīng)較為深入,但毫米波的OTA研究還處于起步階段,有關(guān)毫米波OTA測(cè)試的標(biāo)準(zhǔn)立項(xiàng)已經(jīng)在CCSA開(kāi)始討論。下圖3是LTE OTA測(cè)試系統(tǒng)的示意圖,未來(lái)毫米波終端OTA測(cè)試的方案預(yù)計(jì)會(huì)參考LTE OTA測(cè)試的系統(tǒng),但由于毫米波工作頻率和主動(dòng)天線(xiàn)陣技術(shù)等應(yīng)用,未來(lái)毫米波OTA測(cè)試在技術(shù)上將進(jìn)行一些改進(jìn)。
 
OTA測(cè)試作為毫米波終端測(cè)試的必選方案,將面臨以下挑戰(zhàn):
 
1)毫米波新型吸波材料。由于傳統(tǒng)的軟質(zhì)海綿吸波材料在物理性能可電性能上存在缺陷,無(wú)法完全滿(mǎn)足5G毫米波測(cè)量的要求。因此研究并開(kāi)發(fā)更適合于毫米波暗室的吸波材料將會(huì)是毫米波OTA測(cè)試的關(guān)鍵。
 
2)OTA測(cè)試遠(yuǎn)場(chǎng)測(cè)量條件。OTA測(cè)試根據(jù)測(cè)試場(chǎng)類(lèi)型可以分為近場(chǎng)和遠(yuǎn)場(chǎng)測(cè)試。通常對(duì)于天線(xiàn)輻射性能的測(cè)試,測(cè)試接收天線(xiàn)一般置于遠(yuǎn)場(chǎng),此時(shí)電磁輻射屬于平面波,場(chǎng)的相對(duì)角分布與離開(kāi)天線(xiàn)的距離無(wú)關(guān),大小與離開(kāi)天線(xiàn)的距離成反比,天線(xiàn)方向圖主瓣、副瓣和零值點(diǎn)已全部形成。而在近場(chǎng)接收天線(xiàn)可能會(huì)和發(fā)射天線(xiàn)會(huì)由于電容和電感的耦合作用互相干擾,造成錯(cuò)誤的結(jié)果。遠(yuǎn)場(chǎng)的判定條件是被測(cè)件與測(cè)量天線(xiàn)間的距離要大于2D2/λ,其中D為測(cè)量天線(xiàn)的直徑,λ為波長(zhǎng),由于毫米波段波長(zhǎng)很短,因此天線(xiàn)遠(yuǎn)場(chǎng)的距離較大,以30GHz頻段,測(cè)量天線(xiàn)直徑為0.2m為例,遠(yuǎn)場(chǎng)的距離將達(dá)到80m,暗室難以達(dá)到如此大的尺寸,并且測(cè)試距離的增加還會(huì)增加被測(cè)終端到測(cè)量天線(xiàn)間的路徑損耗,會(huì)進(jìn)一步降低測(cè)試系統(tǒng)的靈敏性和準(zhǔn)確性。為解決毫米波遠(yuǎn)場(chǎng)條件的問(wèn)題,我們可以通過(guò)緊縮場(chǎng)法縮短測(cè)量距離,或者采用中區(qū)場(chǎng)測(cè)量的方式來(lái)代替遠(yuǎn)場(chǎng)測(cè)量。
 
緊縮場(chǎng)法:其通常采用一個(gè)拋物面金屬反射板,將測(cè)量天線(xiàn)發(fā)送的球面波經(jīng)反射面反射形成平面波,在一定遠(yuǎn)距離處形成一個(gè)良好的靜區(qū)。將天線(xiàn)安置在靜區(qū)內(nèi),測(cè)量天線(xiàn)的遠(yuǎn)場(chǎng)特性,其類(lèi)似于遠(yuǎn)場(chǎng)測(cè)量,只是縮短測(cè)量距離,便于在理想遠(yuǎn)場(chǎng)環(huán)境(暗室)下進(jìn)行測(cè)量。緊縮場(chǎng)天線(xiàn)測(cè)量系統(tǒng)能在較小的微波暗室里模擬遠(yuǎn)場(chǎng)的平面波電磁環(huán)境,利用常規(guī)的遠(yuǎn)場(chǎng)測(cè)試設(shè)備和方法對(duì)天線(xiàn)的輻射性能進(jìn)行測(cè)試。
 
中區(qū)場(chǎng)法:中區(qū)場(chǎng)(菲涅爾區(qū))的距離計(jì)算方式為0.63
 
 
,同樣以30GHz頻段,測(cè)量天線(xiàn)直徑為0.2m為例,中區(qū)場(chǎng)的距離只有1.26m,普通的暗室尺寸也能滿(mǎn)足需求,因此可以在系統(tǒng)層面上,研究新的中區(qū)場(chǎng)測(cè)量理論與場(chǎng)源重構(gòu)方法,用中區(qū)場(chǎng)來(lái)代替遠(yuǎn)場(chǎng)進(jìn)行OTA測(cè)試。
 
圖3:LTE和毫米波測(cè)試系統(tǒng)示意圖
 
5、國(guó)內(nèi)毫米波終端商用計(jì)劃分析
 
國(guó)內(nèi)有關(guān)5G相關(guān)的研究和測(cè)試正如火如荼地進(jìn)行,但是相比于歐美,我國(guó)在6GHz以下的低頻段尚有較多可用的頻譜資源,包括3.3-3.6 GHz,4.8-5 GHz以及部分重耕的頻譜,因此我國(guó)對(duì)于毫米波的需求并不是很迫切。從產(chǎn)業(yè)鏈各方的路標(biāo)來(lái)看,國(guó)內(nèi)5G的首發(fā)頻段應(yīng)該為6GHz以下的低頻段。
 
目前毫米波相關(guān)的研究尚處于起步階段,5G毫米波頻譜劃分還需進(jìn)一步確定。預(yù)計(jì)到2020年,才會(huì)有正式的5G毫米波終端出現(xiàn)。在5G商用的初期,主要會(huì)以6GHz以下低頻基站為主,國(guó)內(nèi)5G毫米波終端的大規(guī)模商用預(yù)計(jì)還需要較長(zhǎng)的一段時(shí)間才能實(shí)現(xiàn)。
 
6、結(jié)束語(yǔ)
 
本文介紹了全球毫米波的劃分情況,總結(jié)了毫米波終端在技術(shù)實(shí)現(xiàn)上將會(huì)遇到的挑戰(zhàn)及困難,毫米波終端將布置更多的天線(xiàn)形成天線(xiàn)模塊,同時(shí)在射頻前端制造工藝上,高頻特性更好的材料將被開(kāi)發(fā)和應(yīng)用。最后對(duì)毫米波終端OTA測(cè)試的情況及毫米波終端商用情況進(jìn)行了分析。毫米波技術(shù)作為5G關(guān)鍵技術(shù)之一,必將在即將到來(lái)的5G時(shí)代得以重用,毫米波終端相關(guān)的研究和測(cè)試工作也將不斷提速,為毫米波的商用奠定基礎(chǔ)。
 
參考文獻(xiàn)
 
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[10] CCSA TC9-WG1-#40, 5G毫米波OTA測(cè)量暗室
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