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電源中的負(fù)載管理與負(fù)載開關(guān)設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
本文針對(duì)便攜式電子產(chǎn)品延長(zhǎng)充電時(shí)間間隔的方法，提出采用現(xiàn)代的負(fù)載管理來最大限度省電。首先分析了電源管理IC和負(fù)載開關(guān)IC組成負(fù)載管理，接著分析了電源管理IC及負(fù)載開關(guān)組成的結(jié)構(gòu)，然后分析了新型負(fù)載開關(guān)的特點(diǎn)，最后簡(jiǎn)單地介紹幾種較典型的負(fù)載開關(guān)。
2008-10-16
電源負(fù)載管理 負(fù)載開關(guān)設(shè)計(jì) 省電
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IGBT 在不間斷電源中的應(yīng)用
在UPS 中使用的功率器件有雙極型功率晶體管、功率MOSFET、可控硅和IGBT，IGBT 既有功率MOSFET 易于驅(qū)動(dòng)，控制簡(jiǎn)單、開關(guān)頻率高的優(yōu)點(diǎn)，又有功率晶體管的導(dǎo)通電壓低，通態(tài)電流大的優(yōu)點(diǎn)、使用IGBT 成為UPS 功率設(shè)計(jì)的首選，只有對(duì)IGBT的特性充分了解和對(duì)電路進(jìn)行可靠性設(shè)計(jì)，才能發(fā)揮IGBT 的優(yōu)點(diǎn)。本...
2008-10-16
IGBT 在線式 UPS SCR 反偏電壓
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DirectFET技術(shù)徹底革新大電流DC-DC變換器的設(shè)計(jì)
現(xiàn)代電子設(shè)備在很大程度上依靠DC-DC變換器為其提供電源。在很多計(jì)算機(jī)，網(wǎng)絡(luò)和電信應(yīng)用中，對(duì)電流的要求已經(jīng)超過了100A。要達(dá)到這樣的輸出能力，需要多只MOSFET并聯(lián)的多相式變換器才能實(shí)現(xiàn)，這樣就帶來了嚴(yán)重的布板擁擠以及功耗等問題。國際整流器公司的一項(xiàng)新的技術(shù)，即DirectFET，證明在載流能力...
2008-10-16
DirectFET DC/DC DFPR
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超級(jí)電容器簡(jiǎn)介
本文針對(duì)目前超級(jí)電容器在某些需要高功率、高效率解決方案設(shè)計(jì)中的應(yīng)用，全面介紹了超級(jí)電容器。它分析了超級(jí)電容器的結(jié)構(gòu)，詳細(xì)闡述了超級(jí)電容器的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)，最后介紹了它的廣泛用途。
2008-10-16
超級(jí)電容器 電池技術(shù)缺陷
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將有源鉗位添加到同步反向電源的優(yōu)勢(shì)
本文提出將有源鉗位添加到同步反向電源這一新做法，并通過實(shí)驗(yàn)將利用電源變壓器來驅(qū)動(dòng)同步 FET的電源與添加了有源鉗位電路中柵極驅(qū)動(dòng)變壓器的電源進(jìn)行比較，得出后者的優(yōu)勢(shì)。
2008-10-15
有源鉗位同步反向電源 有源鉗位正向轉(zhuǎn)換器
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帶自動(dòng)均流的DC/DC變換器并聯(lián)模塊的研究
本文分析和比較了幾種DC/DC 電源模塊并聯(lián)均流技術(shù), 介紹了TI公司（UC3907為Unitrode公司的產(chǎn)品，但該公司已被TI公司收購，所以下文統(tǒng)稱TI公司）生產(chǎn)的UC3907芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)和功能。在此基礎(chǔ)上, 設(shè)計(jì)出一種基于UC3846和UC3907的帶自動(dòng)均流的大功率DC/DC 變換器的控制電路。并通過在UC3907的14腳和6腳之...
2008-10-14
并聯(lián) 自動(dòng)均流 DC/DC變換器
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采用多輸入DC/DC變換器實(shí)現(xiàn)對(duì)諧波和紋波的抑制
電子儀器和設(shè)備中的電源越來越廣泛地采用開關(guān)方式的DC/DC變換器，以致于工頻電源中高次諧波的含量增多，國際IEC對(duì)此作了限制。文中提出采用多輸入的DC/DC變換器，抑制輸入電流的高次諧波，獲得良好效果用前饋控制和反饋控制相結(jié)合的辦法，使輸出電壓的低頻紋波，由單輸入時(shí)的280mV左右降至80mV左右...
2008-10-14
多輸入 變換器 諧波失真 輸出紋波 功率因數(shù)
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IGCT門極驅(qū)動(dòng)電路的原理分析
在目前的中電壓大功率應(yīng)用領(lǐng)域，占主導(dǎo)地位的功率半導(dǎo)體器件有晶閘管、GTO和IGBT等，這些傳統(tǒng)的功率器件在實(shí)用方面都存在一些缺陷。ABB半導(dǎo)體公司率先提出了一種新型功率半導(dǎo)體器件—IGCT。它的關(guān)鍵思想是將改進(jìn)結(jié)構(gòu)的GTO與反并聯(lián)二極管和門極驅(qū)動(dòng)電路集成在一起，再與其門極驅(qū)動(dòng)器在外圍以低電感方...
2008-10-14
IGCT 門極驅(qū)動(dòng)電路 硬驅(qū)動(dòng)
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DirectFET封裝技術(shù)為服務(wù)器VRM提供解決方案
本文給出了一個(gè)VRM的例證。通過把一項(xiàng)創(chuàng)新的封裝技術(shù)靈活地集成到系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，DirectFET在電流密度上取得了突破。使用DirectFET MOSFET還可以通過減小系統(tǒng)所需器件數(shù)和所有散熱所需的成本，如附加風(fēng)扇或板上銅皮減小，來降低系統(tǒng)成本。昂貴的散熱方案如熱管等可以省掉，PCB的尺寸可以縮小。在大多數(shù)...
2008-10-14
DirectFET MOSFET VRM PCB
- 授權(quán)代理商貿(mào)澤電子供應(yīng)Same Sky多樣化電子元器件
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