【導(dǎo)讀】加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 12月 7日 – 全球領(lǐng)先的氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體供應(yīng)商 Transphorm, Inc.（Nasdaq: TGAN）宣布與為運(yùn)動(dòng)控制和節(jié)能系統(tǒng)提供電源及傳感半導(dǎo)體技術(shù)的全球領(lǐng)先企業(yè)Allegro MicroSystems, Inc.（Allegro）（Nasdaq: ALGM）開展合作，使用Transphorm 的 SuperGaN? 場(chǎng)效應(yīng)晶體管和Allegro的AHV85110隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，針對(duì)大功率應(yīng)用擴(kuò)展氮化鎵電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)。

Transphorm 的 SuperGaN  FET可用于各種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，并能夠提供多種封裝形式，支持廣泛的功率級(jí)，滿足不同終端市場(chǎng)應(yīng)用要求。SuperGaN FET已應(yīng)用于各種商業(yè)產(chǎn)品，并在高功率系統(tǒng)中顯著提升可靠性、功率密度和效率。

Allegro的自供電型單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)IC，在多種應(yīng)用和電路中專為驅(qū)動(dòng)氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管進(jìn)行了優(yōu)化。經(jīng)驗(yàn)證，與友商同類柵極驅(qū)動(dòng)器相比，AHV85110驅(qū)動(dòng)效率提高了50%。與市場(chǎng)上其它解決方案相比，這款獨(dú)特的解決方案大大簡(jiǎn)化了系統(tǒng)設(shè)計(jì)，將電路干擾降低10倍，共模電容減小了15倍。

Transphorm 全球銷售和現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用副總裁 Tushar Dhayagude 表示：“Allegro 的 AHV85110 高壓柵極驅(qū)動(dòng)提供高度緊湊和高效的電源應(yīng)用方案，僅需為Transphorm功率器件配置最少的外部電路組件和偏置電源，因此將占板面積減小約30%，加上SuperGaN極高的可靠性和優(yōu)于同類競(jìng)爭(zhēng)技術(shù)的出色動(dòng)態(tài)開關(guān)性能，最終將為服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心、可再生能源和電動(dòng)汽車等關(guān)鍵應(yīng)用提供更高效、更穩(wěn)健和功率密度更高的解決方案。”

Allegro MicroSystems 高壓電源業(yè)務(wù)部副總裁兼總經(jīng)理 Vijay Mangtani 表示：“我們很高興能與 Transphorm 開展合作，幫助Allegro更好地為客戶優(yōu)化基于氮化鎵的系統(tǒng)開發(fā)和設(shè)計(jì)。我們期待能夠?qū)llegro的高壓隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器 AHV85110 與 Transphorm 的 SuperGaN 場(chǎng)效應(yīng)晶體管結(jié)合，從而以更小的尺寸實(shí)現(xiàn)更高的功率密度、更高的效率以及更高的功率輸出，為Allegro 和Transphorm的客戶帶來價(jià)值。”

感興趣的用戶可使用Allegro的APEK85110KNH-06-T評(píng)估板測(cè)試Transphorm和Allegro的這一合作解決方案。該評(píng)估板集成了適用于不同應(yīng)用的AHV85110驅(qū)動(dòng)以及Transphorm近期發(fā)布的三款TOLL封裝器件，這三款Transphorm器件的導(dǎo)通電阻分別為 35、50 和 72 毫歐。

關(guān)于Transphorm

Transphorm, Inc.是氮化鎵革命的全球領(lǐng)導(dǎo)者，致力于設(shè)計(jì)、制造和銷售用于高壓電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的高性能、高可靠性氮化鎵半導(dǎo)體功率器件。Transphorm擁有最龐大的功率氮化鎵知識(shí)產(chǎn)權(quán)組合之一，持有或取得授權(quán)的專利超過1,000多項(xiàng)，在業(yè)界率先生產(chǎn)經(jīng)JEDEC和AEC-Q101認(rèn)證的高壓氮化鎵半導(dǎo)體器件。得益于垂直整合的業(yè)務(wù)模式，公司能夠在產(chǎn)品和技術(shù)開發(fā)的每一個(gè)階段進(jìn)行創(chuàng)新：設(shè)計(jì)、制造、器件和應(yīng)用支持。Transphorm的創(chuàng)新使電力電子設(shè)備突破硅的局限性，以使效率超過99%、將功率密度提高50%以及將系統(tǒng)成本降低20%。Transphorm總部位于美國加州戈利塔，并在戈利塔和日本會(huì)津設(shè)有制造工廠。請(qǐng)?jiān)L問https://transphormusa.cn了解更多信息。歡迎關(guān)注官方微信：TransphormGaN氮化鎵。