你的位置:首頁 > 電源管理 > 正文

圖騰柱無橋PFC與SiC相結(jié)合,共同提高電源密度和效率

發(fā)布時間:2023-11-07 來源:安森美 責任編輯:wenwei

【導讀】效率和尺寸是電源設(shè)計的兩個主要考慮因素,而功率因數(shù)校正 (PFC)也在變得越來越重要。為了減少無功功率引起的電力線諧波含量和損耗,盡可能降低電源運行時對交流電源基礎(chǔ)設(shè)施的影響,需要使用 PFC。但要設(shè)計出小尺寸、高效率電源(包括 PFC)仍極具挑戰(zhàn)性。本文介紹了如何通過修改傳統(tǒng) PFC 拓撲結(jié)構(gòu)來更好地實現(xiàn)這一目標。


使用整流器和升壓二極管的 PFC


電源的輸入級通常使用橋式整流器后接單相 PFC 級,由四個整流器二極管和一個升壓二極管組成。


1697360789834247.png

圖 1:橋式整流器后接單相 PFC 級


圖騰柱無橋拓撲結(jié)構(gòu)


還有一種提高電源效率的方法,就是使用圖騰柱無橋拓撲結(jié)構(gòu)來移除橋式整流器,并用快速開關(guān) MOSFET 代替升壓二極管。要理解如何做到這一點,最好先將這種拓撲結(jié)構(gòu)視為兩個獨立的升壓電路的功能組合,每個電路用于輸入正弦波形的一個半周期。


電感、電容、MOSFET S1 和二極管 (S2) 在正半周期內(nèi)用作正升壓電路。此外,還包括一個旁路二極管,目的是防止電感在啟動時或在異常工作條件下飽和;還有一個保護二極管 (SR1),以防止在負半周期內(nèi)工作。


1697360769231533.png

圖 2:正升壓電路


在負半周期內(nèi),電感、電容、MOSFET S2 和二極管 (S1) 構(gòu)成了標準升壓電路的反相版本,并在導通狀態(tài)路徑中額外配備了一個保護二極管 SR2。


1697360754799495.png

圖 3:負升壓電路


在圖騰柱無橋 PFC 拓撲結(jié)構(gòu)中,兩個二極管(SR1 和 SR2)可以用 MOSFET 代替,以實現(xiàn)更高的效率。這是因為這些二極管在圖騰柱工作期間導通,但切換頻率只有 50/60 Hz。旁路二極管僅在啟動時導通,因此使用 MOSFET 代替它們沒有任何好處。


1697360251657055.png

圖 4:采用二極管的圖騰柱無橋 PFC 電路


改進后的圖騰柱


改進后的圖騰柱無橋 PFC 拓撲結(jié)構(gòu)將快速 SiC MOSFET和慢速超結(jié) MOSFET 相結(jié)合。在正半周波期間,SR1 在整個周期內(nèi)導通,并為異步升壓電路提供接地路徑。S1 充當升壓開關(guān),而 S2 在異步升壓中執(zhí)行二極管功能。同樣,在負半周期內(nèi),SR2 提供接地路徑,S2 作為升壓開關(guān),S1 則用作異步升壓二極管。SR1 和 SR2 可以是低速超結(jié) MOSFET(因為它們只需要在低頻下開關(guān))。為防止出現(xiàn)潛在的 EMI 問題,需要通過額外電容來避免過快發(fā)生過零轉(zhuǎn)換。但是,如果電容值太大,總諧波失真 (THD) 性能將會變差。對于高功率密度,S1 和 S2 可以是 SiC 器件。


1697360208534416.png

圖 5:改進后具有 SiC 和超結(jié) MOSFET 的圖騰柱無橋 PFC 電路


實現(xiàn)高功率密度的高效電源


安森美 (onsemi) 通過帶有EliteSiC 開關(guān)的高頻 PFC 前端、先進的圖騰柱無橋 PFC 控制器和運行頻率高達 150 kHz 的高頻 LLC 級,在輸出級上使用高速同步整流設(shè)計出一個功率密度超過40 W/in3、滿載效率為 98.4% 的單相交流輸入 3 kW PFC 電源。該創(chuàng)新方案的操作和性能在白皮書中進行了詳細說明。



免責聲明:本文為轉(zhuǎn)載文章,轉(zhuǎn)載此文目的在于傳遞更多信息,版權(quán)歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權(quán)問題,請聯(lián)系小編進行處理。


推薦閱讀:


POE接口防護系列(一)—— PD防護

電流互感器的參數(shù)和結(jié)構(gòu)

基于BLL2770/BLL2771/的26W車大燈應(yīng)用電路詳解

實測驗證是保證保險絲可靠運行的關(guān)鍵

NPC2三電平拓撲橫管過壓保護開關(guān)邏輯

特別推薦
技術(shù)文章更多>>
技術(shù)白皮書下載更多>>
熱門搜索
?

關(guān)閉

?

關(guān)閉