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SiC器件如何顛覆不間斷電源設計?

發(fā)布時間:2023-11-01 來源:安森美 責任編輯:wenwei

【導讀】不間斷電源 (UPS) 和其他基于電池的儲能系統(tǒng)可以確保住宅、電信設施、數(shù)據中心、工業(yè)設備、醫(yī)療設備和其他關鍵設備的持續(xù)供電。憑借先進的半導體技術,這些系統(tǒng)能夠確??煽抗╇姡峁V波功能,并在發(fā)生短期電網斷電時保障供電。對于更長時間的停電,這些系統(tǒng)可以提供足夠的時間讓關鍵設備安全地關閉。 


UPS的設計要項一文中,我們帶大家了解了UPS的使用用例與具體產品規(guī)格,本文將從SiC器件的角度出發(fā),幫助您設計 UPS 或其他電池儲能系統(tǒng)。


SiC正在推動革命


碳化硅 (SiC) 產品,即所謂的寬禁帶產品,可以對 UPS關鍵參數(shù)產生積極影響。高開關頻率可以減小無源組件的尺寸并降低產品的整體重量,方便運輸并降低擁有成本,讓用戶有更多空間存放更大容量的 UPS,以迎接大數(shù)據時代的持續(xù)增長。


安森美 SiC MOSFET 的所有器件都具有雪崩額定值并符合 100% 工作電壓要求,具有出色的穩(wěn)健性和可靠性。與許多其他平面型 SiC MOSFET 一樣,在負柵極驅動電壓下運行也沒有問題。由于特殊的平面設計,安森美的所有 SiC MOSFET 產品系列在整個生命周期內 RDS(ON)、VTH或二極管正向電壓均無漂移。為達到理想性能,推薦的柵極電壓為 18 V,也可低至 15 V,以與上一代 SiC MOSFET 兼容。


安森美是“端到端”的 SiC 供應商,涵蓋從基板到模塊的整個流程。憑借我們垂直整合的端到端供應鏈和 SiC 產品的出色效率,我們?yōu)榭蛻籼峁┧璧墓WC,以支持未來快速增長的市場。


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圖 1. 安森美 SiC 產品:從基板到系統(tǒng)


SiC MOSFET的驅動器


基于 SiC 的 UPS 系統(tǒng)有利于高頻,相對于硅柵極驅動器,對于 SiC 柵極驅動器提出了更高的要求。在為新一代 UPS 系統(tǒng)選擇 SiC MOSFET 時,為了提高 SiC MOSFET 功率實施的穩(wěn)健性,需要強調以下幾點:


●  高電流能力:在導通和關斷時輸送高峰值電流以使 CGS 和 CGD 電容快速充電和放電。 

●  抗擾度強:在具有快速開關 SiC MOSFET 的系統(tǒng)中,SiC 柵極驅動器必須考慮與快速 dV/dt 和感應噪聲相關的抗擾度。特別是,允許的最大和最小電壓表示對正負浪涌事件的抗擾度。 

●  匹配的傳播延遲:傳播延遲是從 50% 的輸入到 50% 的輸出的時間延遲,這在高頻應用中至關重要;延遲不匹配會導致開關損耗和發(fā)熱。 


NCP51561 SiC MOSFET(一種隔離式雙通道 SiC MOSFET 柵極驅動器)滿足所有這些要求,具有 4.5 A/9 A 拉電流和灌電流峰值。NCP51561 提供快速而匹配的傳播延遲。兩個獨立的 5 kV RMS(UL1577 額定值)電氣隔離柵極驅動器通道,具有可調死區(qū)時間,可用于兩個低邊、兩個高邊開關或半橋拓撲。


評估設計權衡


效率是儲能系統(tǒng)的一個重要考慮因素,而效率的關鍵是高速開關和高效拓撲結構,例如 NPC 逆變器拓撲結構。與相對簡單的拓撲結構中配置的低速半導體相比,與相對復雜但高效的拓撲結構相結合的高開關速度半導體成本更高。然而,半導體成本的增加將被其他地方的節(jié)省所抵消。比如,高速開關轉化為更低的模塊損耗和更長的電池壽命。它支持使用更小、成本更低的電容器和電感器,從而提供更緊湊的終端產品。在性能和成本/尺寸/控制難度之間總是存在折衷。


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圖 2.逆變器拓撲結構比較


尋找產品生命周期支持


開始設計時,應確保您可以獲得所選電源產品的 SPICE 模型和 STEP 文件。PSpice 模型有助于研究電路、模塊和芯片層面的反向恢復行為和寄生效應。這些模型還支持熱仿真和自發(fā)熱效應的探索。 


此外,應尋找對第三方仿真工具的支持。而且,您的供應商應在整個產品生命周期中為您提供支持,包括仿真、產品選擇、布局、優(yōu)化、原型制作和終端客戶系統(tǒng)的生產。安森美是各種功率半導體器件和相關組件的全方位服務供應商,提供完整的內部端到端供應鏈和全球客戶支持。


結論


在本文中,我們討論了 UPS 和其他電池儲能系統(tǒng)、用例、拓撲結構以及如何選擇合適的功率半導體。安森美憑借長期以來積累的專業(yè)知識和在電源管理和轉換方面的地位,幫助全球客戶開發(fā)采用尖端技術的 UPS 系統(tǒng),最大限度地提高負載的供電質量和可靠性,同時降低擁有成本。


在設計穩(wěn)健的 UPS 系統(tǒng)時,采用基于碳化硅的功率級對于減少功率損耗、提高功率密度和降低散熱成本起著至關重要的作用。選擇以基礎設施級可靠性為基礎構建的高度穩(wěn)健的 SiC 功率器件是設計持久耐用的 UPS 系統(tǒng)的關鍵。安森美從原材料到完整模塊解決方案的端到端 SiC 制造流程確保了出色的供應質量和可靠性。



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