【導(dǎo)讀】電機(jī)在禁用時(shí)能夠快速停止在特定位置。因此，考慮到這一要求，我首先確信采用快速衰減模式就是我所需要的?？梢院侠淼丶僭O(shè)“快速衰減”對(duì)應(yīng)于快速減速。我錯(cuò)了。在閱讀了這個(gè)問(wèn)題后，我意識(shí)到術(shù)語(yǔ)慢衰減和快衰減與流經(jīng)電感器的電流相關(guān)，并且與直流電機(jī)的行為沒(méi)有直接關(guān)系。
電機(jī)在禁用時(shí)能夠快速停止在特定位置。因此，考慮到這一要求，我首先確信采用快速衰減模式就是我所需要的?？梢院侠淼丶僭O(shè)“快速衰減”對(duì)應(yīng)于快速減速。我錯(cuò)了。在閱讀了這個(gè)問(wèn)題后，我意識(shí)到術(shù)語(yǔ)慢衰減和快衰減與流經(jīng)電感器的電流相關(guān)，并且與直流電機(jī)的行為沒(méi)有直接關(guān)系。
總結(jié)一下這一點(diǎn)：不要認(rèn)為快速衰減會(huì)使電機(jī)很快停止，因?yàn)閷?shí)際上恰恰相反。
“快速衰減模式”這個(gè)名稱(chēng)指的是這種模式允許電機(jī)線圈電流非常快速地衰減到零。下面的圖 2 描述了源自 V bat 的電流，然后流經(jīng) Q1、電機(jī)繞組和 Q4 到達(dá)接地節(jié)點(diǎn)。在此情況下，電機(jī)通電并正常轉(zhuǎn)動(dòng)。
圖2.電機(jī)通電并正常轉(zhuǎn)動(dòng)。
如您所知，通過(guò)電感器的電流（如電容器兩端的電壓）不能瞬時(shí)變化。如果我們禁用 Q1 和 Q4，電流將繼續(xù)流過(guò)反激二極管或 FET 體二極管；該電流將逐漸衰減至零。快速衰減模式是一種使用 FET 而不是二極管來(lái)為衰減感應(yīng)電流提供路徑的技術(shù)。下面的圖 3 顯示 Q2 和 Q3 啟用，而 Q1 和 Q4 均禁用。
圖 3.啟用 Q2 和 Q3（快速衰減模式）。
通過(guò)驅(qū)動(dòng) Q2 和 Q3 導(dǎo)通，我們?cè)俅蜗螂姼衅魇┘釉措妷?，但極性相反，即促進(jìn)感應(yīng)電流更快衰減的極性。
不要忘記，投籃是一個(gè)大禁忌。因此，我們必須先禁用一個(gè) FET，然后再啟用另一個(gè) FET - 我們必須“先斷后合”。幸運(yùn)的是，當(dāng)使用 DRV8801 和其他電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片時(shí)，我們不必?fù)?dān)心這種先斷后通的情況，因?yàn)樗怯?IC 自動(dòng)處理的。
根據(jù)您的應(yīng)用，可能不需要使用快速衰減模式。相反，您可以選擇簡(jiǎn)單地使用上面提到的反激二極管或體二極管。然而，二極管何時(shí)開(kāi)始導(dǎo)通的時(shí)間未知，這在您的應(yīng)用中可能重要也可能不重要。根據(jù)TI 的社區(qū)支持頁(yè)面，“一般來(lái)說(shuō)，高電感電機(jī)、高運(yùn)行速度或高微步進(jìn)通常需要快速衰減，這些電機(jī)都需要電流快速變化。” 此外，如果FET 的導(dǎo)通電阻導(dǎo)致壓降低于二極管的正向電壓，則快速衰減模式可以降低功耗。
圖 4.作為快速衰減模式的替代方案，您可以使用體二極管或外部反激二極管為衰減感應(yīng)電流提供路徑。圖片由TI 的 SLVA321 應(yīng)用說(shuō)明提供（圖 3）。
免責(zé)聲明：本文為轉(zhuǎn)載文章，轉(zhuǎn)載此文目的在于傳遞更多信息，版權(quán)歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權(quán)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系小編進(jìn)行處理。
推薦閱讀：
高壓分立Si MOSFET (≥ 2 kV)及其應(yīng)用
2023中國(guó)（西部）特種電子展——多措并舉，搭建供需采購(gòu)高質(zhì)量交流平臺(tái)
西部電博會(huì)高科技企業(yè)大盤(pán)點(diǎn)—PCB篇
補(bǔ)償 EMI 濾波器 X 電容對(duì)有源 PFC 功率因數(shù)的影響
