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了解瞬態(tài)熱阻抗背后的理論

發(fā)布時間:2023-06-21 來源:芯源系統(tǒng) 責任編輯:wenwei

【導讀】瞬態(tài)熱阻抗用于衡量器件被施加脈沖功率時的表現,它決定了器件在低占空比和低頻脈沖負載下的表現方式,因此非常重要。


IC 封裝有許多熱指標,例如 θJA 和 ΨJT。這些參數使穩(wěn)態(tài)下的結溫估算變得非常簡單。本文將討論熱瞬態(tài)行為以及熱阻抗的相關基本理論。


熱參數概述


倒裝芯片封裝的熱特性由參數 θJA、ΨJT 和 ΨJB 表征。θJA 是結至環(huán)境熱阻(以 °C/W 為單位),它是系統(tǒng)級參數,在很大程度上取決于系統(tǒng)屬性,如安裝該器件的 PCB 設計及布局。其中,電路板被當作焊接到器件引線上的散熱器。對自然對流傳熱而言,90% 以上的熱量都由電路板散發(fā),而不是從封裝表面散發(fā)。 θJA 可通過公式(1)來計算:


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其中,TJ 為結溫(°C),TA 為環(huán)境溫度(°C),PD 為器件的散熱量(W)。


ΨJT 是表征 TJ 與封裝頂部溫度之間溫度變化的特性參數(以 °C/W 為單位)。由于從芯片流向封裝頂部的熱量未知,所以 ΨJT 并不是真正的結至頂部熱阻,但電路設計人員常假定它是器件的總功率。盡管該假設是無效,但 ΨJT 仍是一個有用的參數,因為其特性與 IC 封裝的應用環(huán)境極為相似。例如,較薄的封裝具有較小的 ΨJT 值。


但要注意,ΨJT 會根據電路板結構和氣流條件的不同而略有不同。利用公式(2)可估算 ΨJT


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而有了 ΨJB ,系統(tǒng)設計人員就可以根據測得的電路板溫度來計算器件的結溫。ΨJB 指標應接近 θJB,因為 PCB 已耗散了大部分的器件熱量。TJ 的計算公式(3)如下:


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其中,TPCB 是接近封裝裸焊盤處的電路板溫度(°C)。 圖 1 解釋了什么是結至環(huán)境熱阻。 


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圖 1: 結至環(huán)境熱阻


通過降低 PCB 散熱平面的電阻可以實現較低的 θJA 。以傳導為主要傳熱方法(這意味著對流冷卻法受限)的應用中,PCB 的電源平面面積對 θBA 的影響最為顯著。


熱特性


在電機驅動器等應用中,高功率脈沖寬度都限制在幾十或幾百毫秒以內,這意味著設計人員必須重視熱容的影響。如果熱容足夠大,它可以將結溫控制在器件的額定值范圍之內,即使存在高耗散峰值也是如此。因此,恰當的散熱管理可提高器件的性能與可靠性。


熱量的傳遞有三種方式:傳導、對流和輻射。


傳導


傳導是一種重要的傳熱方式,因為最終熱量是通過表面面積散發(fā)的。通過傳導,熱量才能散布到所需的表面。通過傳導進行的熱傳遞遵循傅立葉定律,該定律指出,通過材料的熱流率與材料的橫截面積以及材料兩端的溫差成正比;相反,熱流與材料的厚度成反比。有些材料(例如銅)相比其他材料(例如 FR4)導熱更快。表 1 顯示了不同材料的導熱系數 (K)。這些常見的材料具有明顯不同的導熱系數。


表 1: 不同材料的傳導率

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對流


對流是將熱量從材料表面?zhèn)鬟f到空氣中的方法。溫升是功率耗散造成的結果,它與表面積和熱傳遞系數 (h) 成反比。h 則是風速以及電路板與環(huán)境空氣之間溫差的函數。


輻射


熱輻射包括通過電磁波傳遞熱量。其熱流率與表面積成正比,與輻射元件(例如電路板、組件)溫度的四次方成正比。


通過傳導進行熱傳遞最適于高功率應用中的半導體。作為 IC 封裝的熱性能的標準描述,θJA 在脈沖應用中作用不大,甚至還會導致冗余或高成本的散熱設計。


但通過結合熱阻和熱容,可以對器件的完整熱阻抗進行建模。


熱容 (CTH) 是衡量組件積熱能力的指標,它類似于電容積累電荷的方式。對于給定結構的元素,CTH 取決于比熱 (c)、體積 (V) 和密度 (d)。其計算公式 (4) 如下(以 J/°C 為單位):


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一個特定應用的熱行為(包括有源器件、封裝、PCB 和外部環(huán)境)在電氣域可類比為一串 RC 單元,每個單元都有一個特征時間常數 (τ)。 該常數可用公式(5)計算:


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圖 2 通過一個簡化的電氣模型展示了每個單元如何影響封裝器件的瞬態(tài)熱阻抗。 


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圖 2: 簡化的等效熱電路


脈沖功率操作


當功率器件承受脈沖負載時,它可以支持更高的峰值功率耗散。功率封裝具有一定的熱容量,這意味著即使器件消耗過多功率,也不會立即達到臨界 TJ。對于間歇操作,功率耗散的限制可能會延長。延長的時間取決于操作周期的持續(xù)時間(也稱為脈沖持續(xù)時間)和操作發(fā)生的頻率(也稱為占空因數)。


如圖 3 所示,器件一旦上電,芯片會立即開始升溫。 


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圖 3: 芯片升溫/冷卻:單脈沖


如果功率持續(xù)耗散,則熱量產生與消散之間會達到平衡,從而穩(wěn)定 TJ。其中部分熱能由器件的熱容存儲。穩(wěn)定的條件則由與晶體管及其熱環(huán)境相關的熱阻決定。


當功率停止耗散,器件就會逐漸冷卻,升溫和冷卻的規(guī)律是相同的(見圖 3)。但是,如果功率耗散在晶體管溫度穩(wěn)定之前停止,則 TJ 的峰值將低于相同水平的持續(xù)功率耗散所達到的值(見圖 3)。


如果第二個脈沖與第一個脈沖相同,則器件在第二個脈沖結束時,其峰值溫度會高于第一個脈沖結束時的峰值溫度。脈沖不斷重復,直到溫度達到一個新的穩(wěn)定值(見圖 4)。在這些穩(wěn)定條件下,器件溫度會在平均值上下波動。 


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圖 4: 芯片升溫/冷卻:重復脈沖


如果一系列脈沖后的結溫過高(例如 TJ > 125°C),則器件的電氣性能和預期壽命可能會下降。這種情況可能發(fā)生在具有低占空比的高功率脈沖中,即使其平均功率低于器件的直流額定值也是如此。


圖 5 顯示了一個較短的單功率脈沖。 


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圖 5: 較短的單功率脈沖


隨著脈沖持續(xù)時間增加,TJ 在脈沖結束時接近一個穩(wěn)定值(見圖 6)。 


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圖 6: 較長的單功率脈沖


熱阻抗(ZTH(JA))反映了限時功率脈沖帶來的溫升。該參數提供了一種簡單的方法來估算器件在瞬態(tài)功率耗散條件下的結溫。


瞬態(tài)熱阻抗趨于等于連續(xù)功率耗散的熱阻,可通過公式 (6) 進行估算:


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圖 7: 瞬態(tài)阻抗 ZTH(JA) 與時間的關系


隨著重復率變小,結逐漸在脈沖之間完全冷卻,因此每個脈沖都可以單獨處理。


對于功率封裝,瞬態(tài)熱效應會在大約 0.1 至 100 秒內消失。這個時長取決于芯片大小、封裝類型和尺寸。此外,PCB 疊層和布局對其影響也很大。


PCB 相當于一個散熱器,為 IC 封裝提供了將熱量有效地傳遞到電路板及其相鄰環(huán)境中的路徑。因此,最大化封裝電源和接地引腳所在的金屬跡線面積,可有效提高熱傳遞。


TA 和 PD 對封裝的熱性能影響不大。在這個時間內,持續(xù)時間過長的功率脈沖產生的效應與連續(xù)負載類似。


結語


結溫會影響很多工作參數以及器件的工作壽命。設計高功率電路最大的挑戰(zhàn)就是確定一個器件是否能夠支持相關應用的需求。


有效瞬態(tài)熱阻受多種因素影響,包括覆銅面積與布局、相鄰器件的熱度、PCB 上相鄰器件的熱質量以及器件周圍的氣流。要準確估計溫升,最好的方法是直接在應用電路中表征熱阻抗。



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