在升壓或降壓變換器和雙向變換器中用于同步整流的半橋和全橋配置為高、低壓側(cè)晶體管使用互補驅(qū)動信號。驅(qū)動信號必須在半橋中的一個晶體管關(guān)閉和另一個晶體管打開之間包含少量的“死區(qū)時間”，以確保晶體管不會交叉導電。當半橋結(jié)構(gòu)中的晶體管同時打開時，會發(fā)生交叉?zhèn)鲗?，這種情況會增加損耗，并可能損壞晶體管。增加死區(qū)時間有助于保護晶體管，但也會產(chǎn)生另一種類型的損耗，這種損耗會在兩個晶體管都關(guān)閉時發(fā)生，從而降低電橋的效率并降低功率轉(zhuǎn)換器的可用占空比范圍。因此，在確保不發(fā)生交叉?zhèn)鲗У那闆r下，盡量減少橋的停滯時間是一個關(guān)鍵的設計目標。驗證此操作是一個挑戰(zhàn)。

 

驗證電源半橋拓撲是否正確交叉導通的常用方法是使用兩個探針同時驗證高壓側(cè)和低壓側(cè)驅(qū)動信號之間的死區(qū)時間。測量氮化鎵晶體管驅(qū)動信號，特別是高邊柵，是一項具有挑戰(zhàn)性的工作，經(jīng)常導致誤觸發(fā)，使設計工程師感到沮喪。

 

GaN器件的柵極信號具有很高的轉(zhuǎn)換速率，約為1V/ns，這給使用傳統(tǒng)的隔離探針進行高邊測量帶來了挑戰(zhàn)。如果測量系統(tǒng)沒有足夠的共模抑制比（CMRR），則高壓側(cè)源節(jié)點共模電壓的快速變化會產(chǎn)生干擾，使測量變得模糊。另外，傳統(tǒng)的無源電壓探針引入的寄生電容會使柵極驅(qū)動信號失真，從而導致交叉?zhèn)鲗А?/div>