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德州儀器:DC DC 轉(zhuǎn)換器 EMI 的工程師指南(二)——噪聲傳播和濾波

發(fā)布時(shí)間:2019-08-28 責(zé)任編輯:lina

【導(dǎo)讀】高開關(guān)頻率是在電源轉(zhuǎn)換技術(shù)發(fā)展過(guò)程中促進(jìn)尺寸減小的主要因素。為了符合相關(guān)法規(guī),通常需要采用電磁干擾 (EMI) 濾波器,而該濾波器通常在系統(tǒng)總體尺寸和體積中占據(jù)很大一部分,因此了解高頻轉(zhuǎn)換器的 EMI 特性至關(guān)重要。
 
簡(jiǎn)介
高開關(guān)頻率是在電源轉(zhuǎn)換技術(shù)發(fā)展過(guò)程中促進(jìn)尺寸減小的主要因素。為了符合相關(guān)法規(guī),通常需要采用電磁干擾 (EMI) 濾波器,而該濾波器通常在系統(tǒng)總體尺寸和體積中占據(jù)很大一部分,因此了解高頻轉(zhuǎn)換器的 EMI 特性至關(guān)重要。
 
在本系列文章的第 2 部分,您將了解差模 (DM) 和共模 (CM) 傳導(dǎo)發(fā)射噪聲分量的噪聲源和傳播路徑,從而深入了解 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的傳導(dǎo) EMI 特性。本部分將介紹如何從總噪聲測(cè)量結(jié)果中分離出 DM/CM 噪聲,并將以升壓轉(zhuǎn)換器為例,重點(diǎn)介紹適用于汽車應(yīng)用的主要 CM 噪聲傳導(dǎo)路徑。
 
DM 和 CM 傳導(dǎo)干擾
DM 和 CM 信號(hào)代表兩種形式的傳導(dǎo)發(fā)射。DM 電流通常稱為對(duì)稱模式信號(hào)或橫向信號(hào),而 CM 電流通常稱為非對(duì)稱模式信號(hào)或縱向信號(hào)。圖 1 顯示了同步降壓和升壓 DC/DC 拓?fù)渲械?DM 和 CM 電流路徑。Y 電容 CY1 和 CY2 分別從正負(fù)電源線連接到 GND,輕松形成了完整的 CM 電流傳播路徑 [1]。
 
德州儀器:DC DC 轉(zhuǎn)換器 EMI 的工程師指南(二)——噪聲傳播和濾波
圖 1:同步降壓 (a) 和升壓 (b) 轉(zhuǎn)換器 DM 和 CM 傳導(dǎo)噪聲路徑。
 
DM 傳導(dǎo)噪聲
DM 噪聲電流 (IDM) 由轉(zhuǎn)換器固有開關(guān)動(dòng)作產(chǎn)生,并在正負(fù)電源線 L1 和 L2 中以相反方向流動(dòng)。DM 傳導(dǎo)發(fā)射為“電流驅(qū)動(dòng)型”,與開關(guān)電流 (di/dt)、磁場(chǎng)和低阻抗相關(guān)。DM 噪聲通常在較小的回路區(qū)域流動(dòng),返回路徑封閉且緊湊。
 
例如,在連續(xù)導(dǎo)通模式 (CCM) 下,降壓轉(zhuǎn)換器會(huì)產(chǎn)生一種梯形電流,且這種電流中諧波比較多。這些諧波在電源線上會(huì)表現(xiàn)為噪聲。降壓轉(zhuǎn)換器的輸入電容(圖 1 中的 CIN)有助于濾除這些高階電流諧波,但由于電容的非理想寄生特性(等效串聯(lián)電感 (ESL) 和等效串聯(lián)電阻 (ESR)),有些諧波難免會(huì)以 DM 噪聲形式出現(xiàn)在電源電流中,即使在添加實(shí)用的 EMI 輸入濾波器級(jí)之后也于事無(wú)補(bǔ)。
 
CM 傳導(dǎo)噪聲
另一方面,CM 噪聲電流 (ICM) 會(huì)流入接地 GND 線并通過(guò) L1 和 L2 電源線返回。CM 傳導(dǎo)發(fā)射為“電壓驅(qū)動(dòng)型”,與高轉(zhuǎn)換率電壓 (dv/dt)、電場(chǎng)和高阻抗相關(guān)。在非隔離式 DC/DC 開關(guān)轉(zhuǎn)換器中,由于 SW 節(jié)點(diǎn)處的 dv/dt 較高,產(chǎn)生了 CM 噪聲,從而導(dǎo)致產(chǎn)生位移電流。該電流通過(guò)與 MOSFET 外殼、散熱器和 SW 節(jié)點(diǎn)走線相關(guān)的寄生電容耦合到 GND 系統(tǒng)。與轉(zhuǎn)換器輸入或輸出端的接線較長(zhǎng)相關(guān)的耦合電容也可能構(gòu)成 CM 噪聲路徑。
 
圖 1 中的 CM 電流通過(guò)輸入 EMI 濾波器的 Y 電容(CY1 和 CY2)返回。另一條返回路徑為,通過(guò) LISN 裝置(在本系列文章的第 1 部分中討論過(guò))的 50Ω 測(cè)量阻抗返回,這顯然是不合需要的。盡管 CM 電流的幅值遠(yuǎn)小于 DM 電流,但相對(duì)來(lái)說(shuō)更難以處理,因?yàn)樗ǔT谳^大的傳導(dǎo)回路區(qū)域流動(dòng),如同天線一般,可能增加輻射 EMI。
 
圖 2 顯示了 Fly-Buck(隔離式降壓)轉(zhuǎn)換器的 DM 和 CM 傳導(dǎo)路徑。CM 電流通過(guò)變壓器 T1 的集總繞組間電容(圖 2 中的 CPS)流到二次側(cè),并通過(guò)接地 GND 連接返回。圖 2 還顯示了 CM 傳播的簡(jiǎn)化等效電路。
 
德州儀器:DC DC 轉(zhuǎn)換器 EMI 的工程師指南(二)——噪聲傳播和濾波
圖 2:Fly-Buck 隔離式轉(zhuǎn)換器 DM 和 CM 傳導(dǎo)噪聲傳播路徑 (a);CM 等效電路 (b)。
 
在實(shí)際的轉(zhuǎn)換器中,以下元件寄生效應(yīng)均會(huì)影響電壓和電流波形以及 CM 噪聲:
 
·MOSFET 輸出電容 (COSS)。
·整流二極管結(jié)電容 (CD)。
·主電感繞組的等效并聯(lián)電容 (EPC)。
·輸入和輸出電容的等效串聯(lián)電感 (ESL)。
 
相關(guān)內(nèi)容,我將在第 3 部分中進(jìn)一步詳細(xì)介紹。
 
噪聲源和傳播路徑
 
正如第 1 部分所述,測(cè)量 DC/DC 轉(zhuǎn)換器傳導(dǎo)發(fā)射(對(duì)于 CISPR 32 標(biāo)準(zhǔn),規(guī)定帶寬范圍為 150kHz 至 30MHz;對(duì)于 CISPR 25 標(biāo)準(zhǔn),則規(guī)定頻率范圍為更寬的 150kHz 至 108MHz)時(shí),測(cè)量的是每條電源線上 50Ω LISN 電阻兩端相對(duì)于接地 GND 的總噪聲電壓或“非對(duì)稱”干擾 [1]。
 
圖 3 顯示了 EMI 噪聲的產(chǎn)生、傳播和測(cè)量模型 [1]。噪聲源電壓用 VN 表示,噪聲源和傳播路徑阻抗分別用 ZS 和 ZP 表示。LISN 和 EMI 接收器的高頻等效電路僅為兩個(gè) 50Ω 電阻。圖 3 還顯示了相應(yīng)的 DM 和 CM 噪聲電壓 VDM 和 VCM,它們由兩條電源線的總噪聲電壓 V1 和 V2 計(jì)算得出。DM(或“對(duì)稱”)電壓分量定義為 V1 和 V2 矢量差的一半;而 CM(或“非對(duì)稱”)電壓分量定義為 V1 和 V2 矢量和的一半 [2]。請(qǐng)注意,本文提供的 VDM 通用定義與 CISPR 16 標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的值相比,可能存在 6dB 的偏差。
 
德州儀器:DC DC 轉(zhuǎn)換器 EMI 的工程師指南(二)——噪聲傳播和濾波
圖 3:傳導(dǎo) EMI 發(fā)射模型,其中顯示了噪聲源電壓、噪聲傳播路徑和 LISN 等效電路。
 
CM 噪聲源阻抗主要是容性阻抗,并且 ZCM 隨頻率的增大而減小。而 DM 噪聲源阻抗通常為阻性和感性阻抗,并且 ZDM 隨頻率的增大而增大。
 
要降低傳導(dǎo)噪聲水平,確保噪聲源本身產(chǎn)生較少的噪聲是其中的一種方法。對(duì)于噪聲傳播路徑,可以通過(guò)濾波或其他方法調(diào)整阻抗,從而減小相應(yīng)的電流。例如,要降低降壓或升壓轉(zhuǎn)換器中的 CM 噪聲,需要降低 SW 節(jié)點(diǎn) dv/dt(噪聲源)、通過(guò)減小接地寄生電容來(lái)增大阻抗、或者使用 Y 電容和/或 CM 扼流器進(jìn)行濾波。本系列文章的第 4 部分將詳細(xì)介紹 EMI 抑制技術(shù)分類。
 
DM 和 CM EMI 濾波
無(wú)源 EMI 濾波是最常用的 EMI 噪聲抑制方法。顧名思義,這類濾波器僅采用無(wú)源元件。將這類濾波器設(shè)計(jì)用于電力電子設(shè)備時(shí)特別具有挑戰(zhàn)性,因?yàn)闉V波器端接的噪聲源(開關(guān)轉(zhuǎn)換器)和負(fù)載(電線線)阻抗是不斷變化的 [2] [3]。
 
圖 4a 顯示了傳統(tǒng)的 p 型 EMI 輸入濾波器,以及整流和瞬態(tài)電壓鉗位功能(為直流/交流輸入供電的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器提供 EMC 保護(hù))。此外,圖 4 還包括本系列文章第 1 部分中的 LISN 高頻等效電路。
 
德州儀器:DC DC 轉(zhuǎn)換器 EMI 的工程師指南(二)——噪聲傳播和濾波
圖 4:傳統(tǒng)的 EMC 輸入濾波器 (a),包括 DM 等效電路 (b) 和 CM 等效電路 (c)。
 
典型 EMI 濾波器的兩個(gè) CM 繞組相互耦合,這兩個(gè)繞組的 CM 電感分別為 LCM1 和 LCM2。DM 電感 LDM1 和 LDM2 分別是兩個(gè)耦合的 CM 繞組的漏電感,并且還可能包括分立的 DM 電感。CX1和 CX2 為 DM 濾波器電容,而 CY1 和 CY2 為 CM 濾波器電容。
 
通過(guò)將 EMI 濾波器去耦為 DM 等效電路和 CM 等效電路,可簡(jiǎn)化其設(shè)計(jì)。然后,可以分別分析濾波器的 DM 和 CM 衰減。去耦基于這樣的假設(shè),即 EMI 濾波器具有完美對(duì)稱的電路結(jié)構(gòu)。在實(shí)現(xiàn)的對(duì)稱濾波器中,假設(shè) LCM1 = LCM2 = LCM,CY1 = CY2 = CY,LDM1 = LDM2 = LDM,并且印刷電路板 (PCB) 布局也完美對(duì)稱。DM 等效電路和 CM 等效電路分別如圖 4b 和圖 4c 所示 [4]。
 
但是,嚴(yán)格來(lái)說(shuō),實(shí)際情況下并不存在完美對(duì)稱,因此 DM 和 CM 濾波器并不能完全去耦。而結(jié)構(gòu)不對(duì)稱可能導(dǎo)致 DM 噪聲轉(zhuǎn)變成 CM 噪聲,或者 CM 噪聲轉(zhuǎn)變成 DM 噪聲。通常,與轉(zhuǎn)換器噪聲源和 EMI 濾波器參數(shù)相關(guān)的不平衡性可能導(dǎo)致這種模式轉(zhuǎn)變 [5]。
 
DM 和 CM 噪聲分離
傳導(dǎo) EMI 的初始測(cè)量結(jié)果通常顯示 EMI 濾波器衰減不足。為了獲得適當(dāng)?shù)?EMI 濾波器設(shè)計(jì),必須獨(dú)立研究待測(cè)設(shè)備 (EUT) 產(chǎn)生的傳導(dǎo)發(fā)射的 DM 和 CM 噪聲電壓分量。
 
將 DM 和 CM 分開處理有助于確定相關(guān) EMI 源并對(duì)其進(jìn)行故障排除,從而簡(jiǎn)化 EMI 濾波器設(shè)計(jì)流程。正如我在上一部分強(qiáng)調(diào)的那樣,EMI 濾波器采用了截然不同的濾波器元件來(lái)抑制 DM 和 CM 發(fā)射。在這種情況下,一種常見的診斷檢查方法是將傳導(dǎo)噪聲分離為 DM 噪聲電壓和 CM 噪聲電壓。
 
圖 5 顯示了無(wú)源和有源兩種實(shí)現(xiàn)形式的 DM/CM 分離器電路,該電路有助于直接同時(shí)測(cè)量 DM 和 CM 發(fā)射。圖 5a 中的無(wú)源分離器電路 [4] 使用寬帶 RF 變壓器(如 Coilcraft 的 SWB1010 系列)在 EMI 覆蓋的頻率范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)可接受的分離結(jié)果,其中 T1 和 T2 的特征阻抗 (ZO) 分別為 50Ω 和 100Ω。將一個(gè) 50Ω 的電阻與 DM 輸出端口的頻譜分析儀的輸入阻抗串聯(lián),實(shí)現(xiàn)圖 3 中提供的 VDM 表達(dá)式的“除 2”功能。
 
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圖 5:實(shí)現(xiàn)的用于分離 DM/CM 噪聲的無(wú)源 (a) 和有源 (b) 電路。
 
圖 5b 展示的是使用低噪聲、高帶寬運(yùn)算放大器的有源分離器電路 [6]。U1 和 U2 實(shí)現(xiàn)了 LISN 輸出的理想輸入阻抗矩陣,而 U3 和 U4 分別提供 CM 和 DM 電壓。LCM 是一個(gè) CM 線路濾波器(例如 Würth Elektronik 744222),位于差分放大器 U4 的輸入端,用于增大 DM 結(jié)果的 CM 抑制比(共模抑制比 [CMRR] ® - ¥dB)并最大限度地減少 CM/DM 交叉耦合。
 
實(shí)際電路示例 - 汽車同步升壓轉(zhuǎn)換器
 
考慮圖 6 中所示的同步升壓轉(zhuǎn)換器。該電路在汽車應(yīng)用中很常見,通常作為預(yù)升壓穩(wěn)壓器在冷啟動(dòng)或瞬態(tài)欠壓條件下保持電池電壓供應(yīng) [7]。
 
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圖 6:汽車同步升壓轉(zhuǎn)換器(采用 50Ω/5μH LISN,用于 CISPR 25 EMI 測(cè)試)。
 
在車輛底盤接地端直接連接一個(gè) MOSFET 散熱器,可以提高轉(zhuǎn)換器的熱性能和可靠性,但共模 EMI 性能會(huì)受到影響。圖 6 所示的原理圖中,包含升壓轉(zhuǎn)換器以及 CISPR 25 建議采用的兩個(gè) LISN 電路(分別連接在 L1 和 L2 輸入線上)。
 
考慮到升壓轉(zhuǎn)換器的 CM 噪聲傳播路徑,圖 7 將 MOSFET Q1 和 Q2 替換為等效的交流電壓流和電流源 [8]。圖 7 中,還呈現(xiàn)了與升壓電感 LF、輸入電容 CIN 和輸出電容 COUT 相關(guān)的寄生分量部分。特別是 CRL-GND,它是負(fù)載電路與底盤 GND 之間的寄生電容,包括長(zhǎng)負(fù)載線和布線以及下游負(fù)載配置(例如,二次側(cè)輸出連接到底盤接地的隔離式轉(zhuǎn)換器,或者用大型金屬外殼固定到底盤上的電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng))所產(chǎn)生的寄生電容。
 
德州儀器:DC DC 轉(zhuǎn)換器 EMI 的工程師指南(二)——噪聲傳播和濾波
圖 7:具有 LISN 的同步升壓拓?fù)涞母哳l等效電路。只有在 LISN 中流動(dòng)的 CM 電流路徑與 CM 發(fā)射測(cè)量相關(guān)。
 
漏源開關(guān)(SW 節(jié)點(diǎn))電壓的上升沿和下降沿代表主要的 CM 噪聲源。CP1 和 CP2 分別代表 SW 與底盤之間以及 SW 與散熱器之間的有效寄生電容。圖 8 顯示了 SW 節(jié)點(diǎn)電容(電場(chǎng))耦合為主要 CM 傳播路徑時(shí)簡(jiǎn)化的 CM 噪聲等效電路。
 
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圖 8:連有 LISN 的同步升壓電路及其簡(jiǎn)化 CM 等效電路。
 
總結(jié)
對(duì)于電力電子工程師而言,了解各種電源級(jí)拓?fù)渲?DM 和 CM 電流的相關(guān)傳播路徑(包括與高 dv/dt 和 di/dt 開關(guān)相關(guān)的電容(電場(chǎng))和電感(磁場(chǎng))耦合)非常重要。在 EMI 測(cè)試過(guò)程中,將 DM 和 CM 發(fā)射分開處理有助于對(duì)相關(guān) EMI 源進(jìn)行故障排除,從而簡(jiǎn)化 EMI 濾波器設(shè)計(jì)流程。 
 
 
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