如何選擇一款合適的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器?
發(fā)布時(shí)間:2019-06-26 責(zé)任編輯:wenwei
【導(dǎo)讀】在功率電子(例如驅(qū)動(dòng)技術(shù))中,IGBT經(jīng)常用作高電壓和高電流開關(guān)。這些功率晶體管由電壓控制,其主要損耗產(chǎn)生于開關(guān)期間。為了最大程度減小開關(guān)損耗,要求具備較短的開關(guān)時(shí)間。
然而,快速開關(guān)同時(shí)隱含著高壓瞬變的危險(xiǎn),這可能會(huì)影響甚至損壞處理器邏輯。因此,為IGBT提供合適柵極信號(hào)的柵極驅(qū)動(dòng)器,還執(zhí)行提供短路保護(hù)并影響開關(guān)速度的功能。然而,在選擇柵極驅(qū)動(dòng)器時(shí),某些特性至關(guān)重要。
圖1. 隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器ADuM4135的簡(jiǎn)化原理圖。
電流驅(qū)動(dòng)能力
在開關(guān)期間,晶體管會(huì)處于同時(shí)施加了高電壓和高電流的狀態(tài)。根據(jù)歐姆定律,這將導(dǎo)致一定的損耗,具體取決于這些狀態(tài)的持續(xù)時(shí)間(參見圖2)。目標(biāo)是要最大程度地減小這些時(shí)間段。此處的主要影響因素是晶體管的柵極電容,為實(shí)現(xiàn)開關(guān)必須對(duì)其進(jìn)行充電/放電。較高的瞬態(tài)電流會(huì)加速此過程。
圖2. 晶體管各個(gè)損耗分量的簡(jiǎn)化表示。
因此,能夠在更長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)提供更高柵極電流的驅(qū)動(dòng)器對(duì)開關(guān)損耗更能起到積極作用。例如,ADI公司的ADuM4135可以提供高達(dá)4A的電流。根據(jù)IGBT的不同,這可能會(huì)使開關(guān)時(shí)間處于很小的幾ns范圍內(nèi)。
時(shí)序
開關(guān)時(shí)間最小化的決定性因素是輸出上升時(shí)間(tR)、下降時(shí)間(tF)和傳播延遲(tD)。傳播延遲定義為輸入沿到達(dá)輸出所需的時(shí)間,并取決于驅(qū)動(dòng)器輸出電流和輸出負(fù)載。傳播延遲通常伴隨脈沖寬度失真(PWD),其為上升沿時(shí)延和下降沿時(shí)延之間的差值:
因?yàn)轵?qū)動(dòng)器通常具有多個(gè)輸出通道,盡管采用相同的輸入驅(qū)動(dòng),但仍會(huì)具有不同的響應(yīng)時(shí)間,因此會(huì)產(chǎn)生小的附加偏置,即傳播延遲偏斜(tSKEW)。
圖3. 具有多個(gè)輸出的柵極驅(qū)動(dòng)器的時(shí)序行為。
圖4. 具有多個(gè)輸出的柵極驅(qū)動(dòng)器的簡(jiǎn)單原理圖。
隔離耐受電壓
在電力電子中,出于功能和安全考慮需要進(jìn)行隔離。由于采用了柵極驅(qū)動(dòng)器(例如在驅(qū)動(dòng)技術(shù)中采用半橋拓?fù)湫问?,因此會(huì)與高總線電壓和電流接觸,隔離不可避免。
功能方面的原因是功率級(jí)的驅(qū)動(dòng)通常發(fā)生在低壓電路中,因此無法驅(qū)動(dòng)半橋拓?fù)涞母叨碎_關(guān),因?yàn)榈投碎_關(guān)同時(shí)打開時(shí),它的電位較高。同時(shí),隔離代表在發(fā)生故障時(shí)高壓部分與控制電路的可靠隔離,從而可以進(jìn)行人為接觸。隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的Viso(隔離耐壓等級(jí))通常為5kV(rms)/min或更高。
抗擾度
惡劣的工業(yè)環(huán)境要求應(yīng)用對(duì)干擾源具有最佳抗擾度或抗干擾性。例如,RF噪聲、共模瞬變和干擾磁場(chǎng)是關(guān)鍵性因素,因?yàn)樗鼈兛梢择詈系綎艠O驅(qū)動(dòng)器中,并且會(huì)激勵(lì)功率級(jí),使其在不希望的時(shí)間內(nèi)進(jìn)行開關(guān)。隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的共模瞬變抗擾度(CMTI)定義了抑制輸入和輸出之間共模瞬變的能力。例如,ADuM4121具有出色的大于150kV/μs的規(guī)格值。
本文提到的參數(shù)僅代表柵極驅(qū)動(dòng)器規(guī)格的一部分,并不代表完整列表。其他決定性因素包括工作電壓、電源電壓、溫度范圍以及附加集成功能(如米勒箝位和去飽和保護(hù))。因此,可根據(jù)應(yīng)用需求選擇大量不同的柵極驅(qū)動(dòng)器。
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