【導(dǎo)讀】當(dāng)今社會越來越重視能源節(jié)約，無效損耗越小越好，特別是一些儀器儀表行業(yè)，在模塊電源應(yīng)用選型中，對模塊電源的待機功耗要求很高，本文與大家一起探尋模塊電源待機損耗在哪？怎樣降低待機功耗？
DC-DC電源模塊待機的時候，輸出端無負(fù)載 ，但產(chǎn)品又存在待機損耗，這些損耗都耗在了哪里，又該如何去減小這些損耗呢？本文將一探究竟。
啟動電路損耗
一般的啟動電路都是R+C啟動，如圖1左，啟動電路中的電阻會有一定損耗，這個損耗看起來不大，但在待機的時候，還是占有一定的比重。那該如何減小此損耗呢？再兼容產(chǎn)品啟動和短路能力的同時，R取值越大損耗越小。還有一種方法是產(chǎn)品啟動后，讓R不工作，損耗自然會變小，如圖1右所示把啟動電路改進(jìn)，損耗就會變小。
圖1 啟動電路
變壓器的損耗
變壓器的損耗包括鐵損和銅損，變壓器的鐵損受工作頻率和感值的影響，頻率低損耗小，感值高損耗小，所以設(shè)計變壓器的時候，要兼顧工作頻率和感量值，在一個比較合適的值，損耗就會??；待機的時候變壓器銅損是很小的，對整體的損耗影響甚微，設(shè)計變壓器的時候，選擇適當(dāng)?shù)木€徑及匝數(shù)即可。
IC損耗
IC都會有一個工作電流，使IC能夠正常工作，這個損耗是無法避免的，在IC選型的時候盡量選擇工作電流小的。
開關(guān)管損耗
輸入端的MOS管Q1在待機的時候，主要體現(xiàn)的是開關(guān)損耗，所以需要降低待機時MOS管的損耗，待機的工作頻率就要降低。芯片選型的時候，選擇芯片工作在輕載和空載情況下會跳頻(即降低空載和輕載的工作頻率)，MOS管要選用低柵荷的，從而降低損耗。
整流管D1損耗包括開關(guān)損耗，反向恢復(fù)損耗，導(dǎo)通損耗。整流管選型時，選擇低導(dǎo)通壓降和反向恢復(fù)時間短的二極管，可以降低損耗。
圖2 主電路框圖
吸收電路的損耗
開關(guān)MOS管DS極之間通常會加一個小電容如圖2左，用來吸收管子上的電壓尖峰，MOS管上的這個吸收電容C5會損耗能量，在確保管子應(yīng)力有足夠余量的情況下，吸收電容容值越小，損耗越小。
輸出整流管上的RC吸收電路如圖2所示，降低RC吸收的損耗，在電路允許的情況下，減小電容C12容值，減小電阻R6阻值可以降低損耗。
圖3 吸收電路
假負(fù)載電阻損耗
大部分的模塊電源產(chǎn)品都會在輸出端加一個假負(fù)載，用來保證模塊在空載或是很輕的負(fù)載情況下產(chǎn)品的穩(wěn)定性，這個假負(fù)載會帶來損耗。在確保模塊性能穩(wěn)定的情況下，假負(fù)載電阻選擇越大損耗越小。當(dāng)電路不需要接假負(fù)載也能夠穩(wěn)定的工作，可以選擇不加假負(fù)載，這樣假負(fù)載的損耗就不存在了。
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