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從此以后誰(shuí)也別說(shuō)我不懂LDO了!

發(fā)布時(shí)間:2018-10-22 責(zé)任編輯:wenwei

【導(dǎo)讀】LDO是個(gè)很簡(jiǎn)單的器件,但是我跟客戶溝通的過(guò)程中,發(fā)現(xiàn)客戶工程師的技術(shù)水平參差不齊,有的工程師只是follow 別人以前的設(shè)計(jì),任何原理和設(shè)計(jì)方法都不懂,希望大家看完這篇文章都能成為L(zhǎng)DO 專家。
 
第一個(gè)問(wèn)題:什么是LDO?
 
LDO即low dropout regulator,是一種低壓差線性穩(wěn)壓器。我們常用的7805等等常常被稱為L(zhǎng)DO,其實(shí)7805這種芯片dropout電壓大的不要不要的,以LM78L05為例,大電流的最小壓降要在2V以上,比如一個(gè)應(yīng)用需要6v轉(zhuǎn)5v,LM78L05就不合適了。
 
從此以后誰(shuí)也別說(shuō)我不懂LDO了!
 
第二個(gè)問(wèn)題:LDO為什么能穩(wěn)定?
 
LDO的原理框圖如下,輸出電壓經(jīng)過(guò)反饋電阻分壓到FB引腳,當(dāng)輸出電壓高于設(shè)定值時(shí),內(nèi)部回路會(huì)改變驅(qū)動(dòng)電壓,使得管子的導(dǎo)通壓降增大,從而降低輸出電壓。當(dāng)輸出電壓低于設(shè)定值時(shí),內(nèi)部回路會(huì)改變驅(qū)動(dòng)電壓,使得管子導(dǎo)通壓降減小,從而提高輸出電壓。完美的閉環(huán)負(fù)反饋回路。
 
從此以后誰(shuí)也別說(shuō)我不懂LDO了!
 
第三個(gè)問(wèn)題:LDO有哪些重要參數(shù)?
 
1. PSRR(電源電壓抑制比),是指LDO輸出對(duì)輸入紋波噪聲的抑制作用。這也是很多場(chǎng)合在DC/DC后級(jí)另加一顆LDO的原因(特別是后面接模擬傳感器或者ADC/DAC時(shí))。高PSRR的LDO對(duì)紋波的抑制效果還是很明顯的。如TPS71701就是一款高PSRR的LDO.
 
從此以后誰(shuí)也別說(shuō)我不懂LDO了!
 
從此以后誰(shuí)也別說(shuō)我不懂LDO了!
 
那怎么判斷LDO的PSRR參數(shù)是否足夠呢,舉個(gè)簡(jiǎn)單的例子,假設(shè)LDO前面的DC/DC的開(kāi)關(guān)頻率是100khz,100khz處的PSRR是50dB,前端DC/DC 紋波大小100mv,那LDO之后的紋波=100mv/10(50/20)=0.3mv。
 
2. Noise(噪聲性能),不同于PSRR,噪聲是指LDO自身產(chǎn)生的噪聲信號(hào),低噪聲的LDO如LP5907等等可以很好的降低LDO產(chǎn)生的額外噪聲。噪聲一般計(jì)算出的值是有效值(rms),也可以用peak to peak 來(lái)分析,那就需要再乘以一個(gè)系數(shù)(如乘以6)。
 
從此以后誰(shuí)也別說(shuō)我不懂LDO了!
 
3. Low Dropout Voltage(低壓降),前面提到了這個(gè)參數(shù),設(shè)計(jì)電路比如需要6v轉(zhuǎn)5v時(shí),需要保持Low Dropout Voltage參數(shù)<1 v。不過(guò)現(xiàn)在的LDO一般壓降都很低,像TPS7A71系列的LDO,Vdropout只有200mV。
 
4. Transient response(動(dòng)態(tài)性能),一些應(yīng)用場(chǎng)合,負(fù)載變化劇烈,就需要增加輸出電容的同時(shí)也盡量選用動(dòng)態(tài)性能好的LDO芯片。比如LP5907就是一款動(dòng)態(tài)性能良好的LDO。
 
從此以后誰(shuí)也別說(shuō)我不懂LDO了!
 
5. Thermal(溫度性能).大家都知道LDO效率很低,那怎么去校驗(yàn)一個(gè)LDO是否合適呢?首先計(jì)算功耗Pd=(Vin-Vout)Iout ,其次計(jì)算溫升,這里可以用熱阻RθJA來(lái)計(jì)算,溫升ΔT= Pd*RθJA ,最后計(jì)算芯片結(jié)溫Tj= Tambient+ΔT<Tjmax(datasheet). 下圖是各個(gè)封裝的可耐受功耗的基本大概情況。
 
從此以后誰(shuí)也別說(shuō)我不懂LDO了!
 
6. IQ(即靜態(tài)電流)一般電池供電的場(chǎng)合對(duì)靜態(tài)電流會(huì)有比較高的要求,一般LDO芯片的靜態(tài)電流的大小與芯片的其他性能成反關(guān)系,如低噪聲,高電源電壓抑制比,動(dòng)態(tài)性能好的LDO靜態(tài)電流都偏大一些。低IQ的LDO也比較多,像TPS780系列的LDO,IQ Shutdown 只有18nA.
 
從此以后誰(shuí)也別說(shuō)我不懂LDO了!
 
總結(jié)
 
關(guān)于LDO 只要掌握以上技術(shù)要點(diǎn)就可以了,其實(shí)任何一個(gè)知識(shí)點(diǎn)都并不是像我們想象的那么簡(jiǎn)單,希望大家以后能把技術(shù)做深,不僅知其然,更能知其所以然,這樣在今后器件選型的時(shí)候才能游刃有余。如果你覺(jué)得這篇文章對(duì)你有幫助記得分享給你的小伙伴。
 
 
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