降低物料清單:構(gòu)建最優(yōu)的電源管理網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)
發(fā)布時(shí)間:2015-09-09 責(zé)任編輯:sherry
【導(dǎo)讀】基于四個(gè)標(biāo)準(zhǔn)電壓電平的定義(進(jìn)一步定義為配電接口)并依照每個(gè)應(yīng)用的要求,本文提出了一種創(chuàng)新方案,從而構(gòu)建最優(yōu)的電源管理網(wǎng)絡(luò)(PMNet)。最后,本文對該方案的優(yōu)勢進(jìn)行了闡釋,穩(wěn)壓器的供應(yīng)商或者設(shè)計(jì)者、SoC集成器和系統(tǒng)制造商皆能從中受益。
在當(dāng)今M2M(機(jī)對機(jī))連接整個(gè)世界的黃金時(shí)代,物聯(lián)網(wǎng)能夠指定無所不在的“智能物”,實(shí)現(xiàn)物與物、設(shè)備或與其他對象之間的連接。典型的物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用為可穿戴式設(shè)備和智能家電。
隨著智能便攜設(shè)備的功能日益增多、尺寸愈來愈小,應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)的系統(tǒng)級芯片(SoC)正面臨著指數(shù)復(fù)雜性、嚴(yán)峻的功耗(動(dòng)態(tài)功耗和漏電)挑戰(zhàn)和低物料清單(BoM)成本的要求。服務(wù)于物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的無晶圓廠設(shè)計(jì)公司正借助于各種技術(shù)以降低總體功耗,其中包括動(dòng)態(tài)電壓頻率調(diào)節(jié) (DVFS)、多電壓電源域和狀態(tài)保持功能等。
實(shí)現(xiàn)超低功耗的關(guān)鍵在于,根據(jù)不同的電壓或電源域?qū)oC或子系統(tǒng)的架構(gòu)做出正確定義;同時(shí)借助電源管理網(wǎng)絡(luò)(PMNet)的集成,實(shí)現(xiàn)低功耗技術(shù)并降低物料清單(BoM)成本。
電源管理網(wǎng)絡(luò)(PMNet)包括所有的穩(wěn)壓元件(穩(wěn)壓器、無源濾波元件,電網(wǎng)及其寄生元件等物理網(wǎng)),上至電源、下至SoC或子系統(tǒng)的每一類負(fù)載/塊體所用到的元件。電源管理網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)針對SoC的每個(gè)負(fù)載都進(jìn)行了自下而上的優(yōu)化,所采用的庫是是幾乎不可以重復(fù)使用的。有多少應(yīng)用,就可能有多少數(shù)量的電源管理網(wǎng)絡(luò)。因此,SoC集成器所面臨的主要挑戰(zhàn)之一就是依照每個(gè)應(yīng)用的要求,選擇相適應(yīng)的電源管理網(wǎng)絡(luò)(PMNet)架構(gòu),同時(shí)嵌入合適的穩(wěn)壓器。
基于四個(gè)標(biāo)準(zhǔn)電壓電平的定義(進(jìn)一步定義為配電接口)并依照每個(gè)應(yīng)用的要求,本文提出了一種創(chuàng)新方案,從而構(gòu)建最優(yōu)的電源管理網(wǎng)絡(luò)(PMNet)。最后,本文對該方案的優(yōu)勢進(jìn)行了闡釋,穩(wěn)壓器的供應(yīng)商或者設(shè)計(jì)者、SoC集成器和系統(tǒng)制造商皆能從中受益。
DELTA:可重復(fù)使用的電源套件庫(RPKL)的突破性方案
一項(xiàng)復(fù)雜的SoC設(shè)計(jì)需要諸多定制穩(wěn)壓器,如果采用如此多的穩(wěn)壓器,將會(huì)增加設(shè)計(jì)或者采購成本,也會(huì)延長上市時(shí)間。而RPKL方案則與之不同,海豚集成推薦將該方案運(yùn)用于SoC集成器,以便:
·通過設(shè)計(jì)或者獲取一套可重用組件,可以控制從庫交換格式凍結(jié)(LEF-freeze)到流片的交付時(shí)間,從而縮短產(chǎn)品上市周期。
·實(shí)現(xiàn)多種優(yōu)化(例如:高效率、低噪、低物料清單和低漏電等),針對每個(gè)標(biāo)準(zhǔn)采用經(jīng)過精簡的元件組。
·實(shí)行標(biāo)準(zhǔn)化的PMNet集成規(guī)則,以便PMNet能夠整合來自競爭對手和合作伙伴的集成器,同樣適用于無縫集成和裝配。
RPKL方案也引入了優(yōu)值(FoM)的概念,從而依照每個(gè)應(yīng)用的要求來選擇最優(yōu)的PMNet。對于不同的定制穩(wěn)壓器,用戶往往會(huì)進(jìn)行性能上的比較;對于PMNet,用戶往往不清楚如何進(jìn)行整體上的比較。最重要的是,應(yīng)用常常是針對于不同優(yōu)化之間的特定權(quán)衡:比如低功耗、低物料清單或者低噪。借助共同的優(yōu)值(FoM),用戶則可以從諸多選擇中選擇最佳的PMNet。
優(yōu)值(FoM,越低越好) 是任意函數(shù)關(guān)于各種參數(shù)的分配權(quán)重,用以優(yōu)化各種性能。SoC集成器僅需在以下要素之間實(shí)現(xiàn)性能的權(quán)衡:面積、BoM、漏電和動(dòng)態(tài)功耗等。
采用FoM進(jìn)行PMNet基準(zhǔn)測試的這一案例將在本文后續(xù)部分進(jìn)行分析。
標(biāo)準(zhǔn)化配電接口(IDP)的必要性
為了定義具備可重用性和靈活性的集成器,十分有必要采用預(yù)先定義的標(biāo)準(zhǔn)化配電接口(IDP)。通過該接口,電力能夠分配到不同的電源島或者負(fù)載。一對一的連接則為供電接口(IAP)。
一旦對配電接口做出了定義,就可以劃分上游和下游穩(wěn)壓器的穩(wěn)壓限制。配電接口電平是由限制電壓范圍和最大噪聲頻譜所定義的,下游穩(wěn)壓器及其負(fù)載則能夠承受該頻譜。如圖表1所示,上游穩(wěn)壓器直接同電源(鋰離子電池或USB 5伏)相連接,故而需要高電壓保護(hù);而下游穩(wěn)壓器則與負(fù)載相連接,可以進(jìn)行優(yōu)化以滿足每個(gè)負(fù)載或電源域的要求(例如射頻或模擬塊的低漏電和低噪音等)。同時(shí)也可以滿足以下要素之間的權(quán)衡:更高的轉(zhuǎn)換效率、面積、物料清單(BoM)和具備多個(gè)電源域的SoC對抗噪度的需求。
對這些配電接口(IDP)所下的定義是實(shí)現(xiàn)RPKL方案的必要條件,因?yàn)橛兄跇?gòu)建可重復(fù)使用的穩(wěn)壓器,有助于實(shí)現(xiàn)與內(nèi)部或第三方穩(wěn)壓器的平穩(wěn)結(jié)合。
圖1:借助配電接口(IDP)實(shí)現(xiàn)上下游穩(wěn)壓器的分離
“四大神獸”配電接口
在對各類物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用(如智能電表、智能卡、智能手機(jī)、智能玻璃、平板電腦和智能手表)進(jìn)行過大量的框圖分析之后,其中規(guī)格為180納米至28納米,可以得出結(jié)論:最少需要4個(gè)不同的配電接口電壓來構(gòu)建一個(gè)RPKL。
如圖表2所示,工藝節(jié)點(diǎn)為180納米至40納米,電壓分別為1.2伏、1.8伏、2.5伏和3.3伏。對于28納米和16納米而言,需要4個(gè)電壓電平不同的配電接口。通過這些配電接口,為穩(wěn)壓器輸入和輸出電壓設(shè)立了標(biāo)準(zhǔn)。
選擇4個(gè)不同電壓的原因如下:
·系統(tǒng)常用電壓、電源輸入/輸出和外圍設(shè)備的工藝節(jié)點(diǎn)為180納米,90納米,65納米,40納米及以下
·沒有高于3.3伏(+/- 10%) 、低至40納米的配電接口(IDP)避免為下游穩(wěn)壓器提供高電壓保護(hù),從而實(shí)現(xiàn)硅面積的最小化
·基于這些配電接口,而非具有不同互聯(lián)電壓的定制穩(wěn)壓器,可以實(shí)現(xiàn)穩(wěn)壓器的整體優(yōu)化
·增添一個(gè)IDP不能為PMNet帶來更佳的整體優(yōu)化,但是會(huì)給RPKL增加多余的穩(wěn)壓元件
圖2:每個(gè)技術(shù)工藝的配電接口(IDP)電壓電平
借助RPKL與標(biāo)準(zhǔn)配電接口(IDP)實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)級芯片(SoC)的整體優(yōu)化
以一款智能手表應(yīng)用的案例(如圖表3所示的簡化框圖)來說明RPKL(基于所定義的4個(gè)IDP)和定制穩(wěn)壓器(即CPKL定制電源套件庫,電壓電平為1.4伏,以便對穩(wěn)壓器進(jìn)行級聯(lián))之間的不同。
假定SoC在99%的使用時(shí)間內(nèi)都處于待機(jī)模式(只有持續(xù)運(yùn)行塊(always-on block)處于工作狀態(tài))。為了將平均功耗和硅面積降至最低,可以采用簡化的FoM,即平均功耗和嵌入式穩(wěn)壓器硅面積的乘積。(FoM=毫瓦小時(shí)*平方毫米)。在兩個(gè)案例當(dāng)中,假定開關(guān)穩(wěn)壓器(SR)的功率效率皆為80%。
圖3:對具備與不具備標(biāo)準(zhǔn)IDP的PMNet架構(gòu)所進(jìn)行的比較
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表1就以下要素總結(jié)了兩個(gè)案例所存在的性能差別:物料清單(BoM)、硅面積、功耗和FoM值。
表1:兩個(gè)案例的FoM對比
借助FoM,RPKL方案給出了功耗和硅面積之間的最佳權(quán)衡。與CPKL解決方案相比,RPKL方案大大縮減了面積,減少了平均功耗和物料清單(BoM)(元件數(shù)量與封裝引腳數(shù))。
這一案例可以說明,借助經(jīng)過定義的IDP并基于每個(gè)應(yīng)用的要求,RPKL方案對SoC而言極具優(yōu)勢;此外也可以說明,有必要在優(yōu)化PMNet的過程中同時(shí)納入多個(gè)標(biāo)準(zhǔn)。
借由標(biāo)準(zhǔn)配電接口(IDP)電壓范圍實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)確預(yù)算
作為標(biāo)準(zhǔn)單元庫,IDP由10%的精度范圍所定義。雖然可能看似微不足道,但是10%的精度范圍能夠?qū)崿F(xiàn)以下預(yù)算:
·對于穩(wěn)壓器輸出電壓,標(biāo)準(zhǔn)“直流(DC)精度”為3%,以下要素考慮在內(nèi):工藝-電壓-溫度(PVT)的變化,負(fù)載穩(wěn)壓和線性穩(wěn)壓
·標(biāo)準(zhǔn)的“模式轉(zhuǎn)換(MT)精度”為4%,其中包括負(fù)載瞬態(tài)和輸出紋波所造成的干擾
·關(guān)于SoC集成預(yù)算,標(biāo)準(zhǔn)“最低IR壓降(IR Drop)”為3%:
在一般情況下,穩(wěn)壓器的最低壓降為0.2伏;
在布局與布線(P&R)位于電源和上游穩(wěn)壓器、或者上下游穩(wěn)壓器之間的情況下,IR壓降(IR Drop)的預(yù)算至少為3%。SoC集成器可以在一定程度上自由定義所能接受的路由長度和寬度,而不會(huì)損耗最終系統(tǒng)的性能,這取決于該接口的電流/電壓特性和路由的寄生電阻。
借助這些預(yù)算所取得的主要突破有:
·借由標(biāo)準(zhǔn)直流(DC)和模式轉(zhuǎn)換(MT)的精度,能夠促進(jìn)上下游穩(wěn)壓元件與內(nèi)部或第三方穩(wěn)壓元件之間的結(jié)合,以及/或者SoC的內(nèi)部或外部負(fù)載。
·IR壓降(IR Drop)預(yù)算的標(biāo)準(zhǔn)容差能夠減少前端設(shè)計(jì)和后端P&R之間的迭代。
完整的電源管理方案,RPKL穩(wěn)壓元件以及更多
基于RPKL方案,海豚集成推出了DELTA穩(wěn)壓元件庫,如圖表5所示,該庫由電池管理組件、開關(guān)穩(wěn)壓器和線性穩(wěn)壓器所組成。就每個(gè)穩(wěn)壓元件而言,可以為系統(tǒng)級驗(yàn)證提供先進(jìn)的視圖(仿真模型),從而將性能下降的風(fēng)險(xiǎn)降至最小化,該風(fēng)險(xiǎn)源于SoC運(yùn)行模式的過渡和通過PMNet所傳播的各類噪聲。
圖4:DELTA穩(wěn)壓元件產(chǎn)品
除了能夠構(gòu)建最優(yōu)的PMNet、降低SoC功耗的DELTA產(chǎn)品之外,海豚集成還提供了超低漏電存儲(chǔ)器(漏電降幅達(dá)1000倍)和超低漏電標(biāo)準(zhǔn)單元庫(降幅達(dá)750倍),能夠直接與電池相連,從而滿足SoC在漏電方面的要求。
共贏
本文闡釋了可重復(fù)使用的電源套件方案以及運(yùn)用于電源分配的四個(gè)預(yù)定義電壓電平的必要性和優(yōu)勢。這四個(gè)IDP和電壓精度,有助于設(shè)置穩(wěn)壓元件的直流精度、SoC的IR壓降(IR Drop)預(yù)算和交流容差, 原因在于PMNet的模式轉(zhuǎn)換。
海豚集成與您分享七大規(guī)則(見圖表5),這也是DELTA產(chǎn)品所遵循的規(guī)則。
圖5:DELTA標(biāo)準(zhǔn)的七大規(guī)則
在七大規(guī)則的指導(dǎo)下,PMNet解決方案能夠在最大程度上縮短上市時(shí)間(借助可重復(fù)使用的元件),實(shí)現(xiàn)不同優(yōu)化標(biāo)準(zhǔn)之間的最佳權(quán)衡(借助FoM和標(biāo)準(zhǔn)化的分級裝配規(guī)則)和最佳系統(tǒng)級風(fēng)險(xiǎn)管理(借助高級視圖和EDA驗(yàn)證)。
遵循這些規(guī)則,任何一款穩(wěn)壓器都可以成為強(qiáng)大的PMNet解決方案的一部分并且受益其中(詳見圖表6的總結(jié)),從而達(dá)到投資回報(bào)的極致。
圖6:完整的PMNet解決方案
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