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對比分析:DC-DC變換器的硬開關(guān)MOS和IGBT損耗對比

發(fā)布時間:2015-08-17 責任編輯:echolady

【導讀】DC-DC變換器具有兩種啟動運行方式,分別是硬開關(guān)和軟開關(guān)。但是硬開關(guān)的開關(guān)盒關(guān)斷兩種損耗是不同的。具體損耗的程度我們來看一下這兩種損耗的對比分析。

DC-DC變換器目前有軟開關(guān)和硬開關(guān)兩種不同的啟動運行方式,而MOS和IGBT在硬開關(guān)的前提下其開關(guān)損耗也是各有不同的。

首先我們來看一下當DC-DC轉(zhuǎn)換器處于硬開關(guān)條件下時,MOS和IGBT在開通損耗方面的不同之處。由于MOSFET 的輸出電容大,器件處于斷態(tài)時,輸入電壓加在輸出電容上,輸出電容儲存較大能量。在相繼開通時這些能量全部消耗在器件內(nèi),開通損耗大。器件的開通損耗和輸出電容成正比,和頻率成正比和輸入電壓的平方成正比。而IGBT 的輸出電容比MOSFET小得多,斷態(tài)時電容上儲存的能量較小,故開通損耗較小。

接下來我們來看一下,在關(guān)斷損耗方面MOS和IGBT兩種開關(guān)的損耗情況。在該條件下,MOSFET 屬單極型器件,可以通過在施加柵極反偏電壓的方法,迅速抽走輸入電容上的電荷,加速關(guān)斷,使MOSFET 關(guān)斷時電流會迅速下降至零,不存在拖尾電流,故關(guān)斷損耗小。而IGBT 由于拖尾電流不可避免,且持續(xù)時間長(可達數(shù)微秒),故關(guān)斷損耗大。

綜合對MOS和IGBT開通、關(guān)斷情況下的損耗分析可以得出,在DC-DC變換器處于硬開關(guān)的前提條件下,MOSFET的開關(guān)損耗主要是由開通損耗引起,而IGBT則主要是由關(guān)斷損耗引起。

因此使用MOSFET作為主開關(guān)器件的電路,應(yīng)該使轉(zhuǎn)換器工作于ZVS條件下,這樣在器件開通前,漏極和源極之間的電壓先降為零,輸出電容上儲存能量很小,可以大大降低MOSFET的開通損耗。而使用IGBT作為主開關(guān)器件的電路,應(yīng)該使轉(zhuǎn)換器工作于ZCS條件下,這樣在器件關(guān)斷前,流過器件的電流先降為零,可以大大降低因拖尾電流造成的關(guān)斷損耗。

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