車載USB系統(tǒng)的架構(gòu)為： 從汽車蓄電池取電，經(jīng)過降壓電路后得到5V的穩(wěn)定電源，提供給USB的VBUS。汽車蓄電池的電壓并不是一個穩(wěn)定的電壓，其變化范圍是非常大的，以小型乘用車為例，其蓄電池電壓典型值為13V， 電壓范圍為9~16V， 在啟停等惡劣情況下，會低至6V，甚至更低。 不少整車廠對USB電源有著非常嚴苛的要求，6V電池電壓下要保證5V輸出，考慮到輸入端的反極性保護及線損，USB電源的輸入端電壓會更低。 這對車載USB電源的設(shè)計是個挑戰(zhàn)。

Buck電路是最常用的降壓開關(guān)電源。圖1所示為非同步的Buck電路。

圖1. 非同步buck電路結(jié)構(gòu)

其工作原理為，當上管S1開通時，電源VIN向負載供電，電感L1儲能，電感上的電壓為VIN-VO。當上管S1關(guān)閉后，電感L1向負載提供能量，電感上的電壓為-VO。圖二所示為電流連續(xù)模式下的BUCK電路的工作原理及波形。根據(jù)電感伏秒平衡可以得到
             …………(1)
最后可以解出
                                                …………(2)
 

圖2. 電流連續(xù)模式下的非同步buck的工作原理

常用的BUCK電路，出于成本考慮，會選用N溝道MOSFET。但是在車載USB電源的應(yīng)用中，成本較高的P溝道MOSFET卻更有優(yōu)勢。
根據(jù)公式2，如果需要實現(xiàn)在VIN=5.7V下，保證VO=5V。 那么最大占空比為，
                                     
88%只是理想情況下的理論計算值。實際中，需要考慮續(xù)流二極管D1的壓降，開關(guān)管S1的導(dǎo)通壓降，以及電感L1的直流阻抗的壓降，如圖3所示。
開關(guān)管閉合時， 不考慮電流紋波，電感上的電壓為：
 …………(3)
其中， IO 為輸出電流， Rdson為上管MOSFET的導(dǎo)通電阻，DCR 為電感的直流阻抗。
開關(guān)管管斷開時，不考慮電流紋波，電感上的電壓為：
  …………(4)
VD 為二極管的正向壓降

 
圖3. 考慮寄生參數(shù)的非同步Buck 電路工作原理

根據(jù)電感的伏秒平衡，可以得到實際的占空比為：
 …………(5)
取VIN=5.7V,VO=5V,IO=2A,VD=0.3V, Rdson=50m?, DCR=70m?, 可以計算所需要的占空比為：
                                                         
如果選擇N溝道MOSFET做為開關(guān)S1，驅(qū)動電壓要高于VIN，需要用自舉電路，通過每個周期對自舉電容充電來驅(qū)動NMOS，這種驅(qū)動結(jié)構(gòu)在如此大的占空比的應(yīng)用中問題很多。而采用P溝道MOSFET，通?？梢宰龅?00%的占空比，即常開。在常開的情況下，我們可以得到：
…………(6)
取VO=5V,IO=2A,VD=0.3V, Rdson=50m?, DCR=70m?, 可以得到該情況下，輸入電壓最低可為：
 V   

第二頁：基于NCV8852的車載USB電源設(shè)計

[page]
                          
二． 基于NCV8852的車載USB電源設(shè)計

NCV8852是一款外接P溝道MOSFET的非同步BUCK 控制器。輸入電壓可高達44V，適用于12V蓄電池系統(tǒng)。 采用峰值電流控制，系統(tǒng)易于穩(wěn)定，響應(yīng)快?？赏ㄟ^在ROSC管腳外接電阻將工作頻率設(shè)定在100kHz 到500kHz。圖4為NCV8852的典型應(yīng)用電路。ISNS管腳檢測上管電流，用于峰值電流控制以及過流保護。COMP管腳為誤差放大器的輸出，外接RC電路以補償環(huán)路。
 

圖4. NCV8852的典型應(yīng)用電路

用NCV8852設(shè)計USB電源，輸入電壓范圍VIN=5.7~16V，典型值VIN_TYP=12V, 輸出電壓VO =5V， 輸出電流IO=2.5A, 工作頻率fs=170kHz.

Buck 電路工作的最惡劣條件為輸入電壓最高時，此時其電流紋波最大，峰值電流最高。

1. 設(shè)定工作頻率
NCV8852的工作頻率，可根據(jù)如下公式設(shè)定：
  …………(7)                         
 當設(shè)置為170kHz時， 將ROSC開路即可。

2. 占空比
最高工作電壓下，占空比最小為：
 
最低工作電壓下，占空比最大為：

 
3. 選擇電感
電感主要有紋波電流ΔI決定。 通常將ΔI設(shè)定為典型輸入電壓下，最大輸出電流的30%~50%， 這里取為30%。
 
電感值為：
 
考慮30%的裕量， 選取電感的直流電流大于3.2A，飽和電流大于3.9A。選取WURTH電感744770122，感值22uH， 直流電阻45m?，最大直流電流4.1A， 最大飽和電流5A。

4.選取電流檢測電阻
   …………(11)
VCL: 過流門限電壓，為100mV.ICL:過流保護電流值，設(shè)定限流值為最大峰值電流的1.3~1.5倍。選取25m?采樣電阻，過流保護值設(shè)為4A。

5. MOSFET選擇
MOSFET承受的最高電壓為 VINMAX ,  考慮到拋負載保護，選取耐壓40V以上的MOS。MOSFET的損耗，可由以下公式估算，
導(dǎo)通損耗：
 
t_ON, t_OFF 為MOSFET開通和關(guān)斷時間。
I_SINK: 為驅(qū)動下拉電流，NCV8852的驅(qū)動下拉電流典型值為200mA.
I_SRC: 為驅(qū)動的輸出電流，NCV8852的驅(qū)動輸出電流典型值為200mA
選取ONSEMI的NVTFS5116PL, 耐壓60V， 導(dǎo)通電阻Rdson=52m?@V_GS=10V, Q_GD=8nC, 封裝u8FL, 參考熱阻(芯片結(jié)溫到環(huán)境溫度)47OC/W。
由Q_GD可先計算出MOSFET的開通關(guān)斷時間為：
 
 
計算MOSFET功耗：
在最高輸入電壓下
  

第三頁：基于NCV8852的車載USB電源設(shè)計（二）

[page]

6． 續(xù)流二極管的選擇
續(xù)流二極管上的最大反向壓降為VINMAX ,流過二極管的最大峰值電流為2.96A， 流過二極管的最大平均電流為
…………(18)
建議二極管正向電流為流過二級管的平均電流的1.5倍。這里選取ONSEMI的MBRA340, 最大正向平均電流為3A， 反向耐壓40V， SMA封裝，參考熱阻為81oC/W。2.5A，100oC結(jié)溫時的正向?qū)▔航导s為0.32V

二極管損耗（忽略寄生電容產(chǎn)生的損耗）為：
…………(19)

最高結(jié)溫為：
…………(20)

7. 輸出電容的選擇
 輸出電容紋波主要由兩部分組成，一部分為電容ESR產(chǎn)生的紋波，另一部分為電容產(chǎn)生的紋波。

如果選取電解電容，需要保證輸出電容電流的有效值要小于電解電容允許的最大紋波電流。
選取22uF的瓷片電容，ESR產(chǎn)生的紋波可忽略，則輸出紋波為：  

8. 輸入電容的選擇
忽略電感電流紋波，輸入電容電流的有效值為：
       …………(25)
如果選擇電解電容，需要保證輸出電容電流的有效值要小于電解電容允許的最大紋波電流。

第四頁：基于NCV8852的車載USB電源設(shè)計（三）

[page]



ACSA為NCV8852電流檢測運放的增益。VCOMP到VO 的傳遞函數(shù)為：
…………(28)
系統(tǒng)有一個極點，和一個零點。如果用瓷片電容，則可以忽略由ESR產(chǎn)生的零點。
NCV8852采用的電壓型運放，其反饋電路如圖6所示。
 

圖6. NCV8852輸出電壓誤差放大器
 

寫出VO到VCOMP的傳遞函數(shù)
 …………(29)
除去零點處的極點，還有一個零點和一個極點，如果不接CCC，則只有一個零點。
通常當系統(tǒng)的增益曲線，能夠以-1斜率（-20db/dec）穿越0db線時，可以獲得較好的相位欲度。為此需要滿足：
  …………(30)
Fc為系統(tǒng)開環(huán)傳遞函數(shù)的穿越頻率，通常取為開關(guān)頻率的1/6以下, FRC為主電路傳遞函數(shù)的極點的頻率， AP0 為主電路傳遞函數(shù)的低頻增益， AEM 為反饋電路傳遞函數(shù)的中頻增益。
 

取Fc=17kHz。 已知， CO =22uF, RSNS=25m?, ACSA=2V/V, RFB2=52.5k?。
可以求得RC =6.2k?。
反饋電路的零點要放在主電路的極點附近，所以有：
  
計算得CC=7.1nF, 選取CC =8.2nF。
因為電路采取用瓷片電容，所以不用去消除由ESR造成的零點。CCC 不接。 如果采用的是電解電容則需要把反饋電路的極點放到主電路ESR零點附近?？筛鶕?jù)下式計算CCC

  
圖7. NCV8852   5V，2.5A 車載USB電源設(shè)計實例電路圖

元件	描述	封裝	廠家	型號
L1	22uH, DCR(typ)=45m?, IR=4.1A, ISAT=5A	SMD	Wurth	744770122
Q1	MOSFET,60V, Rdson=52m?@VGS=10V	u8FL	Onsemi	NVTFS5116PL
D1	肖特基二極管,3A,40V	SMA	Onsemi	MBRA340
U1	PMOS BUCK控制器	SO8	Onsemi	NCV8852
CIN	陶瓷電容，10uF,50V	1210
CO	陶瓷電容，22uF,16V	1210
C1	陶瓷電容， 100nF,50V	0603
CC	陶瓷電容， 8.2nF,16V	0603
CCC	不焊	0603
RSNS	電流檢測電阻，25m?, 0.5W	2010
RC	電阻,精度 1%, 6.2k	0603
RFB1	電阻,精度1%,10k	0603
RFB2	電阻,精度1%,52.5k	0603
ROSC	不焊	0603

圖8. NCV8852電路實測工作波形