你的位置:首頁(yè) > 電源管理 > 正文

ST、英飛凌齊推超結(jié)MOSFET 皆青睞TO247-4封裝技術(shù)

發(fā)布時(shí)間:2013-05-11 責(zé)任編輯:eliane

【導(dǎo)讀】近日,意法半導(dǎo)體(ST)推出首款MDmesh V超結(jié)MOSFET晶體管,擴(kuò)大其高能效功率產(chǎn)品陣容。該產(chǎn)品采用了創(chuàng)新的4針?lè)庋b,增加專用控制輸入。新封裝技術(shù)可提高白色家電、電視、個(gè)人電腦、電信設(shè)備和服務(wù)器開關(guān)電源等設(shè)備的功率電路能效。

新的TO247-4 4針?lè)庋b提供一個(gè)開關(guān)控制專用直接源極針腳,而傳統(tǒng)封裝是開關(guān)和電源共用一個(gè)針腳。增加的針腳能夠提高開關(guān)能效,降低開關(guān)損耗,支持更高的開關(guān)頻率,進(jìn)一步降低電源尺寸。

該封裝是意法半導(dǎo)體與英飛凌的合作開發(fā)成果,英飛凌也推出其新款超結(jié)器件,為客戶選購(gòu)超結(jié)MOSFET提供了另一個(gè)選擇。意法半導(dǎo)體功率晶體管產(chǎn)品部市場(chǎng)總監(jiān)Maurizio Giudice表示:“TO247-4具有很高的成本效益,用于替代標(biāo)準(zhǔn)TO-247 器件時(shí),只需對(duì)印刷電路板布局略加修改,從而簡(jiǎn)化了該器件在電源系統(tǒng)的應(yīng)用。采用這一封裝的全新意法半導(dǎo)體MDmesh器件可提高工作能效,使終端設(shè)備更加節(jié)能環(huán)保。”

TO247-4封裝集成了實(shí)現(xiàn)至源極Kelvin連接的內(nèi)部結(jié)構(gòu),這個(gè)連接旁通了主電源連接的共源電感,可消除高達(dá)60%的開關(guān)損耗,設(shè)計(jì)人員可使用更高的開關(guān)頻率和更小的濾波器件。新封裝結(jié)合意法半導(dǎo)體的MDmesh超結(jié)技術(shù),實(shí)現(xiàn)最高的單位硅面積導(dǎo)電效率及最好的總體節(jié)能效果。
意法半導(dǎo)體(ST)首款MDmesh V超結(jié)MOSFET晶體管
圖:意法半導(dǎo)體(ST)首款MDmesh V超結(jié)MOSFET晶體管

此次推出的產(chǎn)品是STW57N65M5-4。作為首款TO247-4封裝的MDmesh產(chǎn)品,STW57N65M5-4可提高主動(dòng)功率因數(shù)校正(PFC)電路和全橋或半橋功率轉(zhuǎn)換器的能效,適用于各種消費(fèi)電子和工業(yè)電子產(chǎn)品。

TO247-4封裝的STW57N65M5-4的其他特性:

●高抗噪性,可降低電磁干擾(EMI)敏感度
●增強(qiáng)的額定電壓,可提高安全系數(shù)
●高耐dv/dt能力,可提高可靠性
●100%雪崩測(cè)試,可用于耐用性設(shè)計(jì)

STW57N65M5-4的供貨信息:

STW57N65M5-4現(xiàn)已量產(chǎn)。

相關(guān)閱讀:
基于鋰電池保護(hù)電路中MOSFET選擇的相關(guān)知識(shí)
http://bswap.cn/cp-art/80019356
MOSFET的選型及應(yīng)用概覽
http://bswap.cn/power-art/80012314
什么使得MOSFET性能大打折扣
http://bswap.cn/power-art/80019366
要采購(gòu)開關(guān)么,點(diǎn)這里了解一下價(jià)格!
特別推薦
技術(shù)文章更多>>
技術(shù)白皮書下載更多>>
熱門搜索
?

關(guān)閉

?

關(guān)閉