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Vishay新款功率MOSFET導(dǎo)通電阻比前一代器件低45%

發(fā)布時間:2013-04-24 責(zé)任編輯:eliane

【導(dǎo)讀】Vishay Siliconix 新型N溝道TrenchFET功率MOSFET——SiR872ADP,電壓擴(kuò)大至150V,所提供的導(dǎo)通電阻較上一代降低45%,適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、DC/AC逆變器,以及通信磚式電源、太陽能微逆變器和無刷直流電機(jī)的升壓轉(zhuǎn)換器中的初級側(cè)和次級側(cè)的同步整流。

日前,Vishay宣布,發(fā)布新款采用熱增強(qiáng)型PowerPAK SO-8封裝的新款N溝道TrenchFET功率MOSFET---SiR872ADP,將該公司的ThunderFET技術(shù)的電壓擴(kuò)展至150V。Vishay Siliconix SiR872ADP在10V和7.5V下的導(dǎo)通電阻低至18mΩ和23mΩ,同時保持低柵極電荷,在10V和7.5V下的典型電荷為31nC和22.8nC。

Vishay新一代MOSFET——SiR872ADP電壓擴(kuò)展至150V
Vishay新一代MOSFET——SiR872ADP電壓擴(kuò)展至150V

SiR872ADP在10V和7.5V下導(dǎo)通電阻與柵極電荷的乘積分別為563mΩ-nC和524mΩ-nC,該參數(shù)是DC/DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中表征MOSFET的優(yōu)值系數(shù)(FOM)。器件的FOM可減低傳導(dǎo)和開關(guān)損耗,從而提高總的系統(tǒng)效率。這款MOSFET的性能高于很多前一代器件,有可能減少總的元器件數(shù)量,并簡化設(shè)計。

該器件適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、DC/AC逆變器,以及通信磚式電源、太陽能微逆變器和無刷直流電機(jī)的升壓轉(zhuǎn)換器中的初級側(cè)和次級側(cè)的同步整流。在這些應(yīng)用當(dāng)中,SiR872ADP的導(dǎo)通電阻比前一代器件低45%,可降低傳導(dǎo)損耗,提高系統(tǒng)的整體效率。

SiR872ADP進(jìn)行了100%的Rg和UIS測試,符合JEDEC JS709A的無鹵素規(guī)定,符合RoHS指令2011/65/EU。這款器件屬于近期發(fā)布的100V SiR846ADP和SiR870ADP,及80V SiR826ADP ThunderFET MOSFET之列,讓設(shè)計者可以從采用PowerPAK SO-8封裝的多款中等電壓器件中進(jìn)行選擇。借助ThunderFET、TrenchFET Gen IV和E/D系列MOSFET,Vishay能夠滿足所有功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的需求。

SiR872ADP供貨信息:

新一代的MOSFET SiR872ADP現(xiàn)可提供樣品,并已實現(xiàn)量產(chǎn),大批量訂貨的供貨周期為十三周到十四周。

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